双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DSN0603-2

超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列产品。该器件采用DSN0603 - 2（SOD962）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装。TrEOS保护系列产品经过优化，可高度可靠地保护非常敏感的高速接口免受ESD脉冲影响。

数据手册

5+
￥0.7993
50+
￥0.6606
150+
￥0.5912
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￥0.5392
2500+
￥0.4976
5000+
￥0.4768

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型号：SMCJ24CA 编号：C2939736

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：Leiditech(雷卯电子)

TVS二极管可广泛应用于消费电子产品、汽车工业、电信和智能控制系统等领域。

数据手册

5+
￥0.862835 ￥1.0151
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￥0.76466 ￥0.8996
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￥0.722585 ￥0.8501
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￥0.67014 ￥0.7884
3000+
￥0.55318 ￥0.6508
6000+
￥0.539155 ￥0.6343

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型号：SMBJ40CA-TR 编号：C133660

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

数据手册

5+
￥0.9378
50+
￥0.7298
150+
￥0.6406
500+
￥0.5293
2500+
￥0.4798

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型号：3.0SMBJ24CA 编号：C18199567

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管 3000W TVS浪涌保护器件常用于电源口

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￥1.0949
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￥0.853
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￥0.7493
500+
￥0.6199
3000+
￥0.5417
6000+
￥0.5071

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型号：SMCJ20CA 编号：C152086

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。

数据手册

5+
￥1.1487
50+
￥0.9056
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￥0.8014
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￥0.6715
3000+
￥0.6136
6000+
￥0.5788

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型号：PESD2IVN-UX 编号：C552499

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

采用超小型SOT323 (SC - 70)表面贴装器件(SMD)塑料封装的静电放电(ESD)保护二极管，旨在保护两条汽车车载网络线路免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥1.32964 ￥2.0456
50+
￥0.99671 ￥1.8122
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￥0.77049 ￥1.7122
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￥0.71433 ￥1.5874
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￥0.689355 ￥1.5319
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￥0.674325 ￥1.4985

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型号：SMBJ33CA 编号：C3719737

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥1.5108
50+
￥1.1782
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￥1.0356
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￥0.8578
3000+
￥0.7786

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型号：P4SMA10CA 编号：C108203

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO-214AC（SMA）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供 6.8 V 至 550 V 的击穿电压选择。单向器件的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件小于 5.0 皮秒。芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

数据手册

5+
￥1.6188
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￥1.271
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￥1.122
500+
￥0.936
2500+
￥0.8532

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型号：SMBJ15CA 编号：C3719755

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

5+
￥1.6385
50+
￥1.294
150+
￥1.1463
500+
￥0.9621

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型号：5.0SMDJ58CA 编号：C2997075

封装：DO-214AB

品牌：SET(赛尔特)

瞬态抑制二极管（TVS）是一种电路保护元件，它可以削弱或过滤突增的瞬态电压（过压），在浪涌到来瞬间几纳秒时间内发生雪崩击穿，将浪涌电流引至接地端，并将电压箱位在安全范围内，从而实现了高效能的电压保护。

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1+
￥2.42
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￥1.81
30+
￥1.55
100+
￥1.22

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型号：SMCJ40CA-TR 编号：C133647

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：ST(意法半导体)

SMCJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护低于1500 W（10/1000 μs）的浪涌。平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。SMCJ采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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1+
￥3.03
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￥2.4
30+
￥2.13
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￥1.8
500+
￥1.65
1000+
￥1.56

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型号：5.0SMDJ28CA 编号：C2972742

封装：SMC(DO214AB)

品牌：JKSEMI(金开盛)

TVS二极管可用于多种应用,如消费电子产品、电信和智能控制系统。

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1+
￥3.56
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￥2.85
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￥2.49
100+
￥2.14
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￥1.86
1000+
￥1.75

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型号：HESDNC5VB1AF-B 编号：C3033472

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，适用于5V系统，提供单通道高效保护，有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保敏感电子设备安全。保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性，是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。

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100+
￥0.0183
1000+
￥0.0179
3000+
￥0.0176
10000+
￥0.0164

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型号：PESDNC2FD5VB 编号：C5451651

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计，具备强大的单通道保护功能。能有效抑制高达9A的双向瞬态ESD电流，确保电子设备不受静电损害。15pF低结电容特性保证了在高速信号传输中保持卓越的信号完整性，是各类高集成度和高速接口应用的理想ESD防护方案。

100+
￥0.03592 ￥0.0449
1000+
￥0.02752 ￥0.0344
3000+
￥0.02288 ￥0.0286
10000+
￥0.02016 ￥0.0252
50000+
￥0.01776 ￥0.0222
100000+
￥0.0164 ￥0.0205

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型号：LESD9D5.0CT5G 编号：C18198390

封装：SOD-923

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-923封装的双向ESD静电防护二极管，针对5V系统提供卓越单通道保护。具备8A峰值脉冲电流IPP性能，有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保电路不受损坏。15pF低结电容设计有利于高速数据线路信号完整性，是现代紧凑型电子设备接口和高抗干扰要求的理想ESD防护组件。

20+
￥0.06723 ￥0.0747
200+
￥0.06588 ￥0.0732
600+
￥0.06498 ￥0.0722
2000+
￥0.06408 ￥0.0712

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型号：HPESDNC5D5VB 编号：C22439704

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管专为单一通道设计，耐压5V，具备强效的20A瞬态电流处理能力，电容值33pF，确保在保护电路免受静电冲击的同时，适应于更广泛的数据传输速率需求，为电子设备安全运行增添稳固保障。

20+
￥0.071544 ￥0.0813
200+
￥0.069872 ￥0.0794
600+
￥0.068816 ￥0.0782
3000+
￥0.067672 ￥0.0769

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型号：PESD5V0U1UA 编号：C7473296

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供单通道高效防护。具备2.5A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，保护电路免受损坏。结电容低至2.5pF，确保在高速数据传输应用中保持出色的信号完整性，是小型化电子设备的理想选择，提供卓越的静电防护性能。

50+
￥0.075975 ￥0.1013
500+
￥0.058725 ￥0.0783
1500+
￥0.0492 ￥0.0656
10000+
￥0.041775 ￥0.0557
20000+
￥0.036825 ￥0.0491
50000+
￥0.034125 ￥0.0455

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型号：HESDUC5VB1AF-B 编号：C3033473

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供单通道保护。具备3A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路安全。超低结电容0.6pF设计，尤其适合高速数据传输接口，兼具卓越信号完整性和高级别的静电防护效能，是现代电子设备的理想选择。

数据手册

50+
￥0.08942 ￥0.1052
500+
￥0.070125 ￥0.0825
1500+
￥0.059415 ￥0.0699
10000+
￥0.05083 ￥0.0598
20000+
￥0.04522 ￥0.0532
50000+
￥0.042245 ￥0.0497

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型号：ESD8L5.0C 编号：C22368644

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

采用无引脚超小型DFN1006表面贴装器件（SMD）塑料封装的飞法双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。极低的电容、高ESD最大额定值和超小封装的组合，使该器件非常适合高速数据线保护和天线保护应用。

50+
￥0.09459 ￥0.1051
500+
￥0.07371 ￥0.0819
1500+
￥0.0621 ￥0.069
10000+
￥0.05508 ￥0.0612
20000+
￥0.04905 ￥0.0545
50000+
￥0.04581 ￥0.0509

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型号：ESD8E7.0C 编号：C22368633

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

采用DFN1006(SOD882)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的低电容双向静电放电(ESD)保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

20+
￥0.099 ￥0.132
200+
￥0.0771 ￥0.1028
600+
￥0.06495 ￥0.0866
2000+
￥0.057675 ￥0.0769
10000+
￥0.051375 ￥0.0685
20000+
￥0.047925 ￥0.0639

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型号：ESD5LM5.0C-HXY 编号：C4748791

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管，专为单通道应用提供卓越保护。具有5V工作电压耐受值VRWM，能有效防止过电压损害。器件在瞬态条件下可承受峰值脉冲电流IPP高达2.5A，并具备超低结电容CJ仅为2.5pF，确保在提供强大ESD防护的同时，最大程度地减少对高速信号完整性的影响，是高要求接口的理想防静电解决方案。

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