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首页 > 热门关键词 > tvs瞬态抑制二极管
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双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：10.4A
型号：SMBJ36CA 编号：C7466428
封装：SMB(DO-214AA)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为36V系统设计，提供全面正负向过压保护。能在瞬态事件中承受10.4A峰值脉冲电流，快速响应并有效钳位电压波动，适用于电源线、信号线的双向浪涌防护，有效抵御雷击、静电等引起的瞬态冲击，确保电子设备稳定运行。

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    ￥0.140154 ￥0.1491

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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：16.4A
    型号：SMAJ15CA 编号：C46956337
    封装：SMA
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    SMA封装的优质双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效双向过电压保护打造。其VRWM额定反向工作电压为15V，在遭遇瞬态事件时能安全承受峰值脉冲电流IPP高达16.4A，确保在快速响应下将电压尖峰箝位至安全水平，有效防止电路因雷击、静电放电或电源波动等引起的损坏，保障系统稳定性和可靠性。

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      ￥0.1551

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    双向TVS 6.5V截止 峰值浪涌电流：35.7A
    型号：SMAJ6.5CA WK 编号：C46956335
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    这款SMA封装的高性能双向TVS瞬态抑制二极管，专为6.5V系统提供强劲过压防护。其卓越性能体现在高达35.7A的峰值脉冲电流承受能力上，能在正负电压尖峰下迅速响应并有效钳位，确保电子设备免受雷击、静电放电和电源瞬变等带来的冲击损害，保障电路稳定可靠运行。

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    双向TVS 40V截止 峰值脉冲电流：9.3A
    型号：SMBJ40CA 编号：C7466426
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，适用于中等电压系统的全面防护。具有40V稳定的双向反向工作电压VRWM，能在正负瞬态过压下承受高达9.3A峰值脉冲电流IPP，快速响应并高效钳位电压尖峰，有效防止雷击、静电放电等引起的电路损坏，为电源线与信号线提供卓越的双向浪涌保护。

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    单向TVS 36V截止 峰值脉冲电流：3.4A
    型号：SMF36A 编号：C7466392
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SOD-123FL封装的单向TVS瞬态抑制二极管，专为36V系统提供过电压保护。具备出色的峰值脉冲电流IPP承载能力（3.4A），能在电路遭受正向瞬态过电压时迅速响应并有效钳位，防止浪涌和瞬态事件对电子设备造成损害，是高压电源线、信号接口的理想防护组件。

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    双向TVS 12V截止 峰值脉冲电流：10.1A
    型号：SMF12CA 编号：C7466406
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    SOD-123FL封装的高效双向TVS瞬态抑制二极管，专为精密电子设备提供卓越过电压保护。具有12V的反向工作电压VRWM和高达10.1A的双向峰值脉冲电流IPP能力，能在瞬间吸收并抑制电源线、信号线上的浪涌及瞬态干扰，有效防止静电放电和过压事件对电路造成的损害，是现代低电压应用的理想防护组件。

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    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：6.9A
    型号：SMAJ36CA YP 编号：C46956336
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    该SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为36V工作电压下的双向过压保护而设计。器件具备出色的瞬态响应能力，能承受峰值脉冲电流IPP高达6.9A，在正负方向均可高效吸收与钳位异常电压，有效防止浪涌、静电放电等对电路造成的损害，确保电子设备在高压瞬变环境下稳定可靠运行。

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    双向TVS 3.3V截止
    型号：SP4020-01FTG-C 编号：C2940620
    封装：SOD-323
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    SP4020-01FTG-C VRWM:3.3V IPP=21A 低容 瞬态抑制二极管(TVS) 空气30KA 接触30KA
    数据手册

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      ￥0.5906

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      ￥0.28
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    双向TVS 45V截止 峰值脉冲电流：8.3A
    型号：SMBJ45CA 编号：C7466424
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款TVS瞬态抑制二极管采用SMB封装，具备双向保护功能，适用于45V工作电压环境下的电路防护。其设计能够承受高达8.3A的峰值脉冲电流，在正负瞬态过电压情况下迅速响应并有效箝位电压，确保电子设备免受瞬态浪涌冲击损害，是精密电路的理想过压保护元件。

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      ￥0.08874 ￥0.0986
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    双向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：21.7A
    型号：SMF5.0CA 编号：C7466389
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为5V系统提供高效过电压保护。拥有出色的双向峰值脉冲电流IPP能力高达21.7A，在正负方向均可快速响应瞬态电压变化，并有效钳位至安全水平，防止浪涌、静电放电对电路造成损害，适用于各类低电压高速接口和电源线的瞬态防护需求。

    • 20+

      ￥0.1166 ￥0.1325

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      ￥0.06072 ￥0.069
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    双向TVS 6.5V截止 峰值脉冲电流：53.6A
    型号：SMBJ6.5CA 编号：C7466421
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为低电压系统设计，具备6.5V稳定的双向反向工作电压VRWM。能在正负瞬态过压下承受高达53.6A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并高效钳位异常电压，提供全面的双向浪涌保护，有效防止雷击、静电等冲击对电子设备造成损害，适用于电源及信号线的高效防护需求。

    • 10+

      ￥0.19647 ￥0.2183

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      ￥0.11277 ￥0.1253

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      ￥0.09594 ￥0.1066
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    双向TVS 26V截止 峰值脉冲电流：9.5A
    型号：SMAJ26CA 编号：C7466479
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管专为26V系统设计，提供全面的正负过压保护。具备9.5A峰值脉冲电流处理能力，能在瞬间电压波动时快速响应并精确钳位至安全水平，有效防止雷击、浪涌及静电放电对电子设备造成的冲击，确保电路稳定和持久运行。

    • 20+

      ￥0.143968 ￥0.1636

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      ￥0.114752 ￥0.1304

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      ￥0.088792 ￥0.1009

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    • 20000+

      ￥0.075768 ￥0.0861
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    双向TVS 28.2V截止 峰值脉冲电流：13.3A
    型号：P6SMB33CA 编号：C7495253
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为28.2V系统提供全面的正负向过压防护。具备13.3A峰值脉冲电流承受能力，在面对双向瞬态电压冲击时能快速响应并有效钳位，确保电子设备不受瞬间高压损害，是中等功率应用的理想选择，实现高效、可靠的浪涌保护。

    • 10+

      ￥0.30756 ￥0.3495

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      ￥0.256256 ￥0.2912

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      ￥0.160864 ￥0.1828
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    低电容4线TVS阵列
    型号：SRV05-4MR6T1G 编号：C2901302
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    四路 瞬态抑制二极管(TVS) 向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8/20μs：5A 最大钳位电压：28V 空气30KA 接触30KA
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4546

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      ￥0.3636

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      ￥0.2839

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      ￥0.2566

    • 9000+

      ￥0.2429
  • 有货
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    单向TVS 48V截止 峰值浪涌电流：194A@8/20us
    型号：SMDJ48A 编号：C2996937
    封装：DO-214AB
    品牌：SET(赛尔特)
    瞬态抑制二极管（TVS）是一种电路保护元件，它可以削弱或过滤突增瞬态电压（过压），在浪涌到来瞬间几纳秒时间内发生雪崩击穿，将浪涌电流引至接地端，并将电压箱位在安全范围内，从而实现了高效能的电压保护。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.89737 ￥0.9446

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      ￥0.787645 ￥0.8291

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      ￥0.74062 ￥0.7796

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      ￥0.68191 ￥0.7178

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      ￥0.624435 ￥0.6573

    • 6000+

      ￥0.60876 ￥0.6408
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    双向TVS 6V截止 峰值浪涌电流：19.4A
    型号：SMF6.0CA 编号：C46550841
    封装：SOD-123FL
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效双向过电压保护设计。具备6V的反向工作电压VRWM及高达19.4A的峰值脉冲电流IPP能力，能快速响应并吸收正负方向的电压瞬变和浪涌冲击，有效防止静电放电和过压对电路造成损害，尤其适用于高速数据线、I/O接口等低电压系统的瞬态防护需求。

    • 50+

      ￥0.1048

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      ￥0.0627
  • 有货
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    单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：43.5A
    型号：SMAJ5.0A 编号：C46956328
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    这款SMA封装单向TVS瞬态抑制二极管，专为5V系统提供强大过电压保护。具备43.5A的峰值脉冲电流IPP能力，能在电路遭遇正向瞬态高压时迅速响应并钳位至安全水平，有效防止浪涌和瞬变对电子设备造成损害，适用于高功率、高速接口等场合的卓越瞬态防护需求。

    • 50+

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      ￥0.0714
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    单向TVS 25.6V截止 峰值脉冲电流：14.7A
    型号：P6SMB30A 编号：C7495251
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该SMB封装单向TVS瞬态抑制二极管，专为25.6V系统提供卓越的正向过压保护。器件具备14.7A峰值脉冲电流处理能力，在遭遇正向瞬态电压时快速响应并精确钳位，有效防止电路因瞬间高压受损，是高可靠性、中等电流应用的理想防护解决方案。

    • 20+

      ￥0.153543 ￥0.1651

    • 200+

      ￥0.136803 ￥0.1471

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      ￥0.110205 ￥0.1185
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    双向TVS 5.8V截止 峰值浪涌电流：57.1A
    型号：P6SMB6.8CA 编号：C46550837
    封装：SMB
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    此款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于5.8V系统，为正负向过电压提供全面防护。具备卓越的58.1A峰值脉冲电流承受能力，在遭遇双向瞬态电压时能快速响应并高效钳位，有效保护电路免受瞬间高压冲击，尤其适合高浪涌电流处理要求的小型化电子设备设计。

    • 20+

      ￥0.2193

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      ￥0.1336

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    单向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：5.1A
    型号：SMF24A 编号：C7495269
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款SOD-123FL封装单向TVS瞬态抑制二极管，专为24V系统设计，提供卓越的正向过电压保护。器件具备5.1A峰值脉冲电流IPP能力，能在电路遇到瞬态高压时迅速响应并钳位至安全水平，有效防止浪涌和瞬变对电子设备造成损害，是中高电压环境下电源线、信号接口的理想防护组件。

    • 50+

      ￥0.107568 ￥0.1296

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      ￥0.087399 ￥0.1053

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    双向TVS 36V截止 峰值脉冲电流：6.9A
    型号：SMAJ36CA 编号：C7466471
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为36V工作电压下的双向过压保护而设计。器件具备出色的瞬态响应能力，能承受峰值脉冲电流IPP高达6.9A，在正负方向均可高效吸收与钳位异常电压，有效防止浪涌、静电放电等对电路造成的损害，确保电子设备在高压瞬变环境下稳定可靠运行。

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    单向TVS 30V截止 峰值脉冲电流：12.4A
    型号：SMBJ30A 编号：C7466432
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SMB封装Uni单向TVS瞬态抑制二极管，专为30V系统提供高效过压防护。具备12.4A峰值脉冲电流承受能力，在瞬态电压事件中快速响应并精确钳位至安全水平，有效抵御雷击、静电等瞬变现象对电子设备的冲击，是中等电压应用的理想单向浪涌保护器件。

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    单向TVS 15V截止 峰值脉冲电流：24.6A
    型号：SMBJ15A 编号：C7466446
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SMB封装的Uni单向TVS瞬态抑制二极管专为中低电压应用设计，具备15V稳定的反向工作电压VRWM。在面对瞬态过压时，可承受高达24.6A的峰值脉冲电流IPP，实现快速响应和高效钳位，有效保护电子设备免受雷击、静电放电等瞬态事件导致的损害，是电源线、信号线的理想单向过压防护方案。

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    单向TVS 5.8V截止 峰值脉冲电流：58.1A
    型号：P6SMB6.8A 编号：C7495254
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SMB封装的单向TVS瞬态抑制二极管专为5.8V系统提供精密过压保护，具有出色的瞬态响应能力。其能承受高达58.1A的峰值脉冲电流，在正向过电压事件中迅速钳位，有效防护敏感电子元件不受瞬时高压冲击，尤其适用于需要高浪涌电流处理能力的小型化电路设计。

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    单向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：21.7A
    型号：SMF5.0A 编号：C7466390
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    SOD-123FL封装单向TVS瞬态抑制二极管，专为高速、高效防护设计。具备5V额定反向工作电压VRWM及高达21.7A的单向峰值脉冲电流IPP能力，能在电路遭遇过压瞬变时快速响应，有效吸收并钳位异常电压，防止对敏感电子组件造成损害。适用于I/O接口、电源线等低电压系统的瞬态保护需求。

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    单向TVS 18V截止 峰值脉冲电流：6.8A
    型号：SMF18A 编号：C7466401
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SOD-123FL封装单向TVS瞬态抑制二极管，针对18V系统提供高级正向过电压防护。具备6.8A峰值脉冲电流IPP能力，在电路遭遇正向瞬态高压时可迅速响应并钳位，有效防止浪涌、瞬态事件对电子设备造成冲击，是中高电压应用的理想选择，保障电源线和信号接口安全稳定。

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    双向TVS 6.8V截止 峰值浪涌电流：17.9A@10/1000us
    型号：SMF6.8CA 编号：C48935654
    封装：SOD-123FL
    品牌：KUU
    TVS瞬态抑制二极管

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    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：65.22A
    型号：SMBJ5.0CA 编号：C46956404
    封装：SMB
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管专为5V电压系统设计，提供强大的正负向过压保护。在瞬态事件中能承受高达65.3A的峰值脉冲电流，响应迅速并有效钳位异常电压，尤其适用于低电压环境下的电源线、信号线防雷击、静电放电等高电流冲击，是低压应用的理想高效浪涌防护元件。

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    双向TVS 10V截止 峰值脉冲电流：35.3A
    型号：SMBJ10CA 编号：C7495258
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，特别适用于中低电压系统的全面防护。具备10V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负瞬态过压下表现出色，能承受高达35.3A的峰值脉冲电流IPP。快速响应并高效钳位异常电压，为电源线、信号线以及各类电子设备提供卓越的双向浪涌保护，确保系统免受雷击、静电放电等瞬态事件影响。

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    双向TVS 8.5V截止 峰值浪涌电流：41.7A
    型号：SMBJ8.5CA 编号：C7466414
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为中低电压系统设计，提供全面的正负向过压保护。具有8.5V稳定的双向反向工作电压VRWM，在瞬态事件中能承受高达41.7A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并有效钳位异常电压，适用于电源线、信号线等场合，为电子设备提供卓越的双向浪涌防护，抵御雷击、静电放电等冲击。

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