BAT54开关二极管_厂家_价格_品牌_库存

40 V、300 mA通用信号肖特基二极管

50+
￥0.1022
500+
￥0.0801
3000+
￥0.0679

有货

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型号：BAT54SLT1G-MS 编号：C50275679

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

BAT54SLT1G是一款肖特基二极管，它的反向重复峰值电压为 30V，平均整流输出电流为 0.2A，被广泛用于：电源管理、信号处理、电路保护、以及消费电子领域的数码相机、音频设备、游戏机的信号处理电路等,-MS是品牌

50+
￥0.1127
500+
￥0.0884
3000+
￥0.0749
6000+
￥0.0668
24000+
￥0.0598
51000+
￥0.056

有货

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型号：BAT54CW,115-JSM 编号：C53113979

封装：SOT-323

二极管配置：1对共阴极正向压降(Vf)：1V@100mA 直流反向耐压(Vr)：30V 整流电流：200mA

20+
￥0.1274
200+
￥0.0999
600+
￥0.0847

有货

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型号：BAT54HT1G-MS 编号：C41383971

封装：SOD-323

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款肖特基二极管，采用SOD-323封装,它的额定电压30V,额定电流0.2A，具有低功耗及高效能应用，被广泛应用于无线通信、电源管理、数字数码产品、仪器仪表等

20+
￥0.1344
200+
￥0.1047
600+
￥0.0882
2000+
￥0.0783
10000+
￥0.0697
20000+
￥0.0651

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型号：BAT54SW,115-JSM 编号：C53113918

封装：SOT-323

二极管配置：1对串联式正向压降(Vf)：1V@100mA 直流反向耐压(Vr)：30V 整流电流：200mA

20+
￥0.1366
200+
￥0.1072
600+
￥0.0908

有货

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型号：BAT54AW,115-JSM 编号：C53114068

封装：SOT-323

二极管配置：1对共阳极正向压降(Vf)：1V@100mA 直流反向耐压(Vr)：30V 整流电流：200mA

20+
￥0.1366
200+
￥0.1072
600+
￥0.0908

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型号：BAT54WS-7-F-CN 编号：C42419960

封装：SOD-323

品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOD-323 正向压降(Vf):1V@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流(Io): 300mA 反向电流(Ir):2uA@25V

100+
￥0.02261 ￥0.0238
1000+
￥0.022135 ￥0.0233
3000+
￥0.021755 ￥0.0229
9000+
￥0.021375 ￥0.0225

有货

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型号：HBAT54SWQ7F 编号：C42389389

封装：SOT-323

肖特基二极管是一款具有快速开关特性的半导体器件。本款二极管的最大平均正向电流（IF）为0.2A，在反向电压（VR）达到30V的情况下能够保持非导通状态。当正向电压（VF）为1V时，该二极管处于导通状态。在无外部偏压情况下，其反向漏电流（IR）不超过2微安。瞬态条件下，最大瞬间正向电流（IFSM）可达0.6A。这些特性使得此二极管适用于高频开关电源、信号整流及保护电路等场合。

50+
￥0.105424 ￥0.1198
500+
￥0.082104 ￥0.0933
3000+
￥0.069168 ￥0.0786
6000+
￥0.061424 ￥0.0698
24000+
￥0.054648 ￥0.0621
51000+
￥0.05104 ￥0.058

有货

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型号：HBAT54XV2T1G 编号：C22396422

封装：SOD-523

本品为独立式的肖特基二极管，正向压降低至400mV，确保高效能电力转换与节能表现。直流反向耐压为30V，提供可靠保护，防止反向电压损害。尽管整流电流为200mA，但其在低功耗电子设备如蓝牙耳机、智能手表及小型充电电路中展现出色性能，是追求小型化与高效能设计的理想元件，为您的创新电子产品提供精悍动力。

20+
￥0.118272 ￥0.1344
200+
￥0.092136 ￥0.1047
600+
￥0.077616 ￥0.0882
3000+
￥0.068904 ￥0.0783
9000+
￥0.061336 ￥0.0697
21000+
￥0.057288 ￥0.0651

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型号：SBAT54CWT1G 编号：C894271

封装：SOT-323-3

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

5+
￥0.532083 ￥1.0433
50+
￥0.382366 ￥0.9326
150+
￥0.274381 ￥0.8851
500+
￥0.256029 ￥0.8259
3000+
￥0.247876 ￥0.7996
6000+
￥0.242947 ￥0.7837

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型号：BAT54C,215-CN 编号：C42419956

封装：SOT-23

品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 二极管配置: 1对共阴极正向压降(Vf):1V@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流(Io): 200mA

50+
￥0.0615
500+
￥0.0473
3000+
￥0.0394
6000+
￥0.0347

有货

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型号：BAT54CLT1G-CN 编号：C42436832

封装：SOT-23

特性：大电流承受能力。正向压降低。开关速度快

50+
￥0.071725 ￥0.0755
500+
￥0.05548 ￥0.0584
3000+
￥0.046455 ￥0.0489
6000+
￥0.04104 ￥0.0432
24000+
￥0.038095 ￥0.0401
51000+
￥0.03553 ￥0.0374

有货

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型号：BAT54W-E3-08-CN 编号：C42379409

封装：SOD-123

Diode 30 V 300mA Surface Mount SOD-123

50+
￥0.09291 ￥0.0978
500+
￥0.07239 ￥0.0762
3000+
￥0.06099 ￥0.0642
6000+
￥0.05415 ￥0.057
24000+
￥0.048165 ￥0.0507
51000+
￥0.04503 ￥0.0474

有货

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型号：HBAT54SWT1G 编号：C42389390

封装：SOT-323

这款肖特基二极管具备0.2A的最大连续正向电流（IF），以及30V的最高反向电压（VR），确保了在多种电路设计中的可靠性。它在正向导通时的电压降（VF）为1V，有助于减少能量损耗。该二极管在无正向电流时的反向漏电流（IR）小于2微安，表明其良好的阻断性能。此外，它还能承受高达0.6A的瞬时峰值正向浪涌电流（IFSM）。鉴于这些特点，这款二极管适用于高频开关、电压保护以及需要快速恢复时间的应用中。

20+
￥0.13107 ￥0.1542
200+
￥0.102085 ￥0.1201
600+
￥0.08602 ￥0.1012
3000+
￥0.07633 ￥0.0898
9000+
￥0.068 ￥0.08
21000+
￥0.063495 ￥0.0747

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型号：NSVBAT54HT1G-HXY 编号：C52754521

封装：SOD-323

该肖特基二极管为独立式结构，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于减少导通状态下的功耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件的正向浪涌电流（IFSM）能力达0.6A，适用于低电压电源整流、高频信号检波、极性保护及箝位电路等应用，具备较快的开关响应特性。

20+
￥0.135565 ￥0.1427
200+
￥0.106305 ￥0.1119
600+
￥0.09006 ￥0.0948
3000+
￥0.08037 ￥0.0846
9000+
￥0.071915 ￥0.0757
21000+
￥0.067355 ￥0.0709

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型号：BAT54XV2T5G-HXY 编号：C52754537

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗电路中可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）仅为2μA，有助于提升系统能效。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对响应速度和效率要求较高的整流、检波及电源管理等应用场景。

20+
￥0.17366 ￥0.1828
200+
￥0.136135 ￥0.1433
600+
￥0.11533 ￥0.1214
3000+
￥0.102885 ￥0.1083
9000+
￥0.092055 ￥0.0969
21000+
￥0.08626 ￥0.0908

有货

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型号：BAT54CTA-HXY 编号：C52754630

封装：SOT-23

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置时漏电流（IR）仅为2μA，表现出较低的导通损耗与优异的截止特性。器件的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于需要双通道同步工作的电路，如便携设备中的电源管理、信号整流、电压钳位及高频开关功能等场景。

10+
￥0.226385 ￥0.2383
100+
￥0.18031 ￥0.1898
300+
￥0.15732 ￥0.1656
3000+
￥0.14003 ￥0.1474
6000+
￥0.126255 ￥0.1329
9000+
￥0.11932 ￥0.1256

有货

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型号：NSVBAT54HT1G 编号：C179609

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.2637
100+
￥0.2119
300+
￥0.186
3000+
￥0.1548

有货

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型号：BAT54KFILM-HXY 编号：C52754613

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流能力，反向重复峰值电压为40V。其正向压降为0.6V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流低至5μA，确保良好的关断特性。器件能承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、信号解调、电压箝位以及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

10+
￥0.3743 ￥0.394
100+
￥0.29811 ￥0.3138
300+
￥0.26011 ￥0.2738
3000+
￥0.231515 ￥0.2437
6000+
￥0.208715 ￥0.2197
9000+
￥0.19722 ￥0.2076

有货

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型号：BAT54-02V-G3-08-HXY 编号：C52754535

封装：SOD-523

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为0.2A，最大反向电压VR为30V。其正向压降VF为0.8V，在导通状态下维持适中的功耗水平；反向漏电流IR低至2μA，展现出优异的反向阻断能力。器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对低漏电和稳定整流性能有要求的电源管理、信号解调及保护电路等应用场景。

10+
￥0.40565 ￥0.427
100+
￥0.323095 ￥0.3401
300+
￥0.281865 ￥0.2967
3000+
￥0.250895 ￥0.2641
6000+
￥0.226195 ￥0.2381
9000+
￥0.21375 ￥0.225

有货

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型号：BAT5403WE6327HTSA1-HXY 编号：C52754520

封装：SOD-323

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频开关电路、电源极性保护及信号箝位等场合，具备快速恢复特性和较高的能效表现。

10+
￥0.44821 ￥0.4718
100+
￥0.35701 ￥0.3758
300+
￥0.31141 ￥0.3278
3000+
￥0.27721 ￥0.2918
6000+
￥0.24985 ￥0.263
9000+
￥0.23617 ￥0.2486

有货

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型号：BAT54SW,115-CN 编号：C42419959

封装：SOT-323

品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-323 二极管配置: 1对串联式正向压降(Vf):1V@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流(Io): 200mA

50+
￥0.0766
500+
￥0.0593
3000+
￥0.0497

有货

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型号：LBAT54SWT1G 编号：C12741

封装：SOT-323-3

品牌：LRC(乐山无线电)

肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

50+
￥0.1083
500+
￥0.0854
3000+
￥0.0728

有货

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型号：S-LBAT54CLT1G 编号：C559091

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。极快的开关速度。低正向电压：0.35V（典型值）@ IF = 10mAdc

数据手册

20+
￥0.1345
200+
￥0.1061
600+
￥0.0904
3000+
￥0.0809

有货

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型号：BAT54SW_R1_00001 编号：C391408

封装：SOT-323-3

品牌：PANJIT(强茂)

特性：低开启电压。快速开关。PN 结保护环，用于瞬态和 ESD 保护。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品。符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤素）

数据手册

20+
￥0.1718
200+
￥0.1389
600+
￥0.1207
3000+
￥0.1028

有货

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型号：BAT54JFILM-HXY 编号：C52754586

封装：SOD-323

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

10+
￥0.25555 ￥0.269
100+
￥0.203585 ￥0.2143
300+
￥0.177555 ￥0.1869
3000+
￥0.15808 ￥0.1664
6000+
￥0.1425 ￥0.15
9000+
￥0.134615 ￥0.1417

有货

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型号：SBAT54XV2T5G-HXY 编号：C52754546

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为30V。其正向压降为0.8V，反向漏电流低至2μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受0.6A的峰值正向浪涌电流，适用于对功耗和稳定性有要求的低功率电路，如便携式电子设备中的电源整流、信号钳位及高频开关等应用场合。

10+
￥0.268945 ￥0.2831
100+
￥0.214225 ￥0.2255
300+
￥0.186865 ￥0.1967
3000+
￥0.166345 ￥0.1751
6000+
￥0.14991 ￥0.1578
9000+
￥0.14174 ￥0.1492

有货

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型号：BAT5402VH6327XTSA1-HXY 编号：C52754536

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗应用中可有效减少能量损耗。反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源管理、信号整流及保护电路等场景。

10+
￥0.378765 ￥0.3987
100+
￥0.30172 ￥0.3176
300+
￥0.26315 ￥0.277
3000+
￥0.23427 ￥0.2466
6000+
￥0.211185 ￥0.2223
9000+
￥0.199595 ￥0.2101

有货

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型号：BAT54SDW-7-F-HXY 编号：C50177005

封装：SOT-363

该肖特基二极管额定平均整流电流（IF）为0.2A，最大反向重复电压（VR）为30V，适用于低电压直流电路中的整流与隔离应用。其正向导通压降为1V，在低电流条件下可有效减少功率损耗，提高电源效率。反向漏电流为2µA，具备较好的反向阻断能力。该器件常用于便携式电子设备、电池供电系统、开关电源、适配器以及各类消费类电子产品中的续流、防反接和保护电路，具有响应速度快、开关特性优良的特点，适合高频工作环境。

10+
￥0.403465 ￥0.4247
100+
￥0.321385 ￥0.3383
300+
￥0.280345 ￥0.2951
3000+
￥0.249565 ￥0.2627
6000+
￥0.224865 ￥0.2367
9000+
￥0.21261 ￥0.2238

有货

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型号：BAT54S,215-CN 编号：C42419957

封装：SOT-23