BAT54开关二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BAT54C,215-CN 编号：C42419956

封装：SOT-23

品牌：ChipNobo(无边界)

品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 二极管配置: 1对共阴极正向压降(Vf):1V@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流(Io): 200mA

50+
￥0.0612
500+
￥0.047
3000+
￥0.0391
6000+
￥0.0344

有货

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型号：BAT54CW,115-JSM 编号：C53113979

封装：SOT-323

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

二极管配置：1对共阴极正向压降(Vf)：1V@100mA 直流反向耐压(Vr)：30V 整流电流：200mA

20+
￥0.0667
200+
￥0.0652
600+
￥0.0643

有货

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型号：BAT54SW,115-JSM 编号：C53113918

封装：SOT-323

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

二极管配置：1对串联式正向压降(Vf)：1V@100mA 直流反向耐压(Vr)：30V 整流电流：200mA

20+
￥0.0715
200+
￥0.07
600+
￥0.0689

有货

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型号：BAT54AW,115-JSM 编号：C53114068

封装：SOT-323

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

二极管配置：1对共阳极正向压降(Vf)：1V@100mA 直流反向耐压(Vr)：30V 整流电流：200mA

20+
￥0.0715
200+
￥0.07
600+
￥0.0689

有货

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型号：BAT54GWJ-HXY 编号：C52754565

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为0.2A，最大反向电压达30V。其正向压降典型值为0.45V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流仅为0.5μA，体现出良好的关断特性。器件可承受峰值达4A的非重复性浪涌电流（IFSM），适用于低电压、高效率要求的整流、续流及信号解调等电路场合，适合对空间和能效有较高要求的便携式或紧凑型电子设备。

20+
￥0.166535 ￥0.1753
200+
￥0.130625 ￥0.1375
600+
￥0.110675 ￥0.1165
3000+
￥0.098705 ￥0.1039
9000+
￥0.088255 ￥0.0929
21000+
￥0.082745 ￥0.0871

有货

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型号：LBAT54BST5G 编号：C383179

封装：SOD-882

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：极快的开关速度。低正向电压-0.35 伏（典型值），IF = 10 mA。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。产品材料符合 RoHS 要求

数据手册

10+
￥0.2633
100+
￥0.2118
300+
￥0.1861
1000+
￥0.1667

有货

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型号：BAT54CWFILMY 编号：C2980568

封装：SOT-323

品牌：ST(意法半导体)

汽车级40 V、300 mA通用小型信号肖特基二极管

数据手册

5+
￥0.8243
50+
￥0.6458
150+
￥0.5565
500+
￥0.4895

有货

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型号：HBAT54SWQ7F 编号：C42389389

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一款具有快速开关特性的半导体器件。本款二极管的最大平均正向电流（IF）为0.2A，在反向电压（VR）达到30V的情况下能够保持非导通状态。当正向电压（VF）为1V时，该二极管处于导通状态。在无外部偏压情况下，其反向漏电流（IR）不超过2微安。瞬态条件下，最大瞬间正向电流（IFSM）可达0.6A。这些特性使得此二极管适用于高频开关电源、信号整流及保护电路等场合。

50+
￥0.056496 ￥0.0642
500+
￥0.055264 ￥0.0628
3000+
￥0.054472 ￥0.0619
6000+
￥0.05368 ￥0.061

有货

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型号：HBAT54SWT1G 编号：C42389390

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备0.2A的最大连续正向电流（IF），以及30V的最高反向电压（VR），确保了在多种电路设计中的可靠性。它在正向导通时的电压降（VF）为1V，有助于减少能量损耗。该二极管在无正向电流时的反向漏电流（IR）小于2微安，表明其良好的阻断性能。此外，它还能承受高达0.6A的瞬时峰值正向浪涌电流（IFSM）。鉴于这些特点，这款二极管适用于高频开关、电压保护以及需要快速恢复时间的应用中。

20+
￥0.070295 ￥0.0827
200+
￥0.068765 ￥0.0809
600+
￥0.067745 ￥0.0797
3000+
￥0.066725 ￥0.0785

有货

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型号：NSVBAT54HT1G-HXY 编号：C52754521

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于减少导通状态下的功耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件的正向浪涌电流（IFSM）能力达0.6A，适用于低电压电源整流、高频信号检波、极性保护及箝位电路等应用，具备较快的开关响应特性。

20+
￥0.070965 ￥0.0747
200+
￥0.069445 ￥0.0731
600+
￥0.0684 ￥0.072
3000+
￥0.067355 ￥0.0709

有货

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型号：HBAT54XV2T1G 编号：C22396422

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本品为独立式的肖特基二极管，正向压降低至400mV，确保高效能电力转换与节能表现。直流反向耐压为30V，提供可靠保护，防止反向电压损害。尽管整流电流为200mA，但其在低功耗电子设备如蓝牙耳机、智能手表及小型充电电路中展现出色性能，是追求小型化与高效能设计的理想元件，为您的创新电子产品提供精悍动力。

20+
￥0.118272 ￥0.1344
200+
￥0.092136 ￥0.1047
600+
￥0.077616 ￥0.0882
3000+
￥0.068904 ￥0.0783
9000+
￥0.061336 ￥0.0697
21000+
￥0.057288 ￥0.0651

有货

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型号：BAT54TS_R1_00001 编号：C282266

封装：SOD-523

品牌：PANJIT(强茂)

特性：低开启电压。快速开关。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤素）

数据手册

20+
￥0.1614
200+
￥0.1263
600+
￥0.1068
5000+
￥0.0951

有货

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型号：BAT54WS-HE3-18 编号：C5358751

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低开启电压。快速开关。采用PN结保护环，防止过电压，如静电放电。有符合AEC-Q101标准的产品。符合RoHS标准，有商业级产品

数据手册

5+
￥0.5547
50+
￥0.4336
150+
￥0.373
500+
￥0.321048 ￥0.3276
2500+
￥0.285376 ￥0.2912
5000+
￥0.26754 ￥0.273

有货

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型号：BAT54CLT1G-CN 编号：C42436832

封装：SOT-23

品牌：ChipNobo(无边界)

特性：大电流承受能力。正向压降低。开关速度快

50+
￥0.06916 ￥0.0728
500+
￥0.05301 ￥0.0558
3000+
￥0.043985 ￥0.0463
6000+
￥0.03857 ￥0.0406
24000+
￥0.035625 ￥0.0375
51000+
￥0.03306 ￥0.0348

有货

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型号：BAT54XV2T5G-HXY 编号：C52754537

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗电路中可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）仅为2μA，有助于提升系统能效。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对响应速度和效率要求较高的整流、检波及电源管理等应用场景。

20+
￥0.090915 ￥0.0957
200+
￥0.08892 ￥0.0936
600+
￥0.08759 ￥0.0922
3000+
￥0.08626 ￥0.0908

有货

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型号：BAT54CTA-HXY 编号：C52754630

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置时漏电流（IR）仅为2μA，表现出较低的导通损耗与优异的截止特性。器件的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于需要双通道同步工作的电路，如便携设备中的电源管理、信号整流、电压钳位及高频开关功能等场景。

10+
￥0.12578 ￥0.1324
100+
￥0.123025 ￥0.1295
300+
￥0.121125 ￥0.1275
1000+
￥0.11932 ￥0.1256

有货

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型号：BAT54JFILM-HXY 编号：C52754586

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

10+
￥0.14193 ￥0.1494
100+
￥0.138795 ￥0.1461
300+
￥0.136705 ￥0.1439
1000+
￥0.134615 ￥0.1417

有货

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型号：S-LBAT54SLT1G 编号：C5185761

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场所和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。极快的开关速度。低正向电压：在 IF = 10 mA 时为 0.35 V（典型值）

20+
￥0.2348
200+
￥0.1945
600+
￥0.1722
3000+
￥0.1588
9000+
￥0.1471
21000+
￥0.1409

有货

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型号：BAT5403WE6327HTSA1-HXY 编号：C52754520

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频开关电路、电源极性保护及信号箝位等场合，具备快速恢复特性和较高的能效表现。

10+
￥0.248995 ￥0.2621
100+
￥0.243485 ￥0.2563
300+
￥0.239875 ￥0.2525
1000+
￥0.23617 ￥0.2486

有货

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型号：NSVBAT54HT1G 编号：C179609

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.3707
100+
￥0.2978
300+
￥0.2614
3000+
￥0.2175

有货

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型号：BAT54SFILMY 编号：C2969796

封装：SOT-23

品牌：ST(意法半导体)

汽车级40 V、300 mA通用小型信号肖特基二极管

数据手册

5+
￥0.51
50+
￥0.4091
150+
￥0.3586
500+
￥0.3208

有货

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型号：BAT54SWFILMY 编号：C2970987

封装：SOT-323

品牌：ST(意法半导体)

汽车级40 V、300 mA通用小型信号肖特基二极管

数据手册

5+
￥0.826
50+
￥0.6584
150+
￥0.5747
500+
￥0.5118

有货

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型号：LBAT54SLT1G 编号：C27636110

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

特性：高电流能力。低正向压降。极快的开关速度

50+
￥0.0664
500+
￥0.0508
3000+
￥0.043

有货

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型号：SBAT54XV2T5G-HXY 编号：C52754546

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为30V。其正向压降为0.8V，反向漏电流低至2μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受0.6A的峰值正向浪涌电流，适用于对功耗和稳定性有要求的低功率电路，如便携式电子设备中的电源整流、信号钳位及高频开关等应用场合。

10+
￥0.149435 ￥0.1573
100+
￥0.14611 ￥0.1538
300+
￥0.143925 ￥0.1515
1000+
￥0.14174 ￥0.1492

有货

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型号：BAT54KFILM-HXY 编号：C52754613

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流能力，反向重复峰值电压为40V。其正向压降为0.6V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流低至5μA，确保良好的关断特性。器件能承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、信号解调、电压箝位以及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

10+
￥0.207955 ￥0.2189
100+
￥0.2033 ￥0.214
300+
￥0.20026 ￥0.2108
1000+
￥0.19722 ￥0.2076

有货

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型号：BAT5402VH6327XTSA1-HXY 编号：C52754536

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗应用中可有效减少能量损耗。反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源管理、信号整流及保护电路等场景。

10+
￥0.2215
100+
￥0.2166
300+
￥0.2134

有货

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型号：BAT54SDW-7-F-HYX 编号：C50177005

封装：SOT-363

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管额定平均整流电流（IF）为0.2A，最大反向重复电压（VR）为30V，适用于低电压直流电路中的整流与隔离应用。其正向导通压降为1V，在低电流条件下可有效减少功率损耗，提高电源效率。反向漏电流为2µA，具备较好的反向阻断能力。该器件常用于便携式电子设备、电池供电系统、开关电源、适配器以及各类消费类电子产品中的续流、防反接和保护电路，具有响应速度快、开关特性优良的特点，适合高频工作环境。

10+
￥0.224105 ￥0.2359
100+
￥0.219165 ￥0.2307
300+
￥0.21584 ￥0.2272
1000+
￥0.21261 ￥0.2238

有货

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型号：BAT54-02V-G3-08-HXY 编号：C52754535

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为0.2A，最大反向电压VR为30V。其正向压降VF为0.8V，在导通状态下维持适中的功耗水平；反向漏电流IR低至2μA，展现出优异的反向阻断能力。器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对低漏电和稳定整流性能有要求的电源管理、信号解调及保护电路等应用场景。

10+
￥0.22534 ￥0.2372
100+
￥0.2204 ￥0.232
300+
￥0.217075 ￥0.2285
1000+
￥0.21375 ￥0.225

有货

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型号：BAT54CWFILM 编号：C283258

封装：SOT-323-3

品牌：ST(意法半导体)

40 V、300 mA通用信号肖特基二极管

数据手册

10+
￥0.4017
100+
￥0.3103
300+
￥0.2646

有货

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型号：BAT54S,215-CN 编号：C42419957

封装：SOT-23

品牌：ChipNobo(无边界)

品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 二极管配置: 1对串联式正向压降(Vf):1V@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流(Io): 200mA

50+
￥0.0564
500+
￥0.0434
3000+
￥0.0362

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