开关二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1N4448HWT-7 编号：C139447

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。超小表面贴装封装。用于通用开关应用。高电导。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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20+
￥0.2604
200+
￥0.2085
600+
￥0.1796

有货

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型号：BAV19WS-7-F 编号：C92318

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高反向击穿电压。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

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10+
￥0.2806
100+
￥0.2229
300+
￥0.1941

有货

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型号：BAV19W-7-F 编号：C459848

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高反向击穿电压。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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10+
￥0.3032
100+
￥0.238
300+
￥0.2054

有货

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型号：BAS70W-04-7-F-HXY 编号：C52754639

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达70V。在导通状态下，其正向压降（VF）为1.25V，有助于降低功耗；反向漏电流（IR）低至2.5μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于对体积和效率敏感的小信号整流、电源管理及高频开关电路等应用场景。

10+
￥0.304855 ￥0.3209
100+
￥0.24282 ￥0.2556
300+
￥0.21185 ￥0.223
3000+
￥0.188575 ￥0.1985
6000+
￥0.169955 ￥0.1789
9000+
￥0.160645 ￥0.1691

有货

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型号：BAS20-7-F 编号：C526423

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高电导率。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

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20+
￥0.3103
200+
￥0.22374 ￥0.2486
600+
￥0.17152 ￥0.2144
3000+
￥0.15504 ￥0.1938
9000+
￥0.1408 ￥0.176
21000+
￥0.13312 ￥0.1664

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型号：HBA892 E6327 编号：C22461938

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款射频开关，采用独立式二极管设计，1V正向压降支持100mA电流，直流反向耐压达30V，漏电电流仅20nA，确保信号纯净与系统稳定性，适用于高频通信领域，提供卓越的性能与可靠性。

10+
￥0.323285 ￥0.3895
100+
￥0.255557 ￥0.3079
300+
￥0.221693 ￥0.2671
1000+
￥0.196295 ￥0.2365
5000+
￥0.17596 ￥0.212
8000+
￥0.165834 ￥0.1998

有货

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型号：SBAV99WT1G 编号：C327513

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SC-70/SOT-323 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

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10+
￥0.3387
100+
￥0.2855
300+
￥0.259
3000+
￥0.2265
6000+
￥0.2106
9000+
￥0.2026

有货

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型号：LL4150GS08 编号：C2979755

封装：SOD-80

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅外延平面二极管。低正向压降。高正向电流能力。应用：高速开关。计算机和工业应用中的通用用途

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10+
￥0.3493
100+
￥0.2812
300+
￥0.2472

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型号：BAT41KFILM-HXY 编号：C52754601

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）为1.24V，在较高反向耐压下仍保持合理的导通特性；反向漏电流（IR）低至0.5μA，有助于减少静态功耗。器件可承受2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对反向电压要求较高且需低漏电性能的整流、箝位及开关保护电路。

10+
￥0.356345 ￥0.3751
100+
￥0.28386 ￥0.2988
300+
￥0.24757 ￥0.2606
3000+
￥0.2204 ￥0.232
6000+
￥0.198645 ￥0.2091
9000+
￥0.187815 ￥0.1977

有货

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型号：BAW567DW 编号：C2910253

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

10+
￥0.3657
100+
￥0.2865
300+
￥0.2469

有货

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型号：BAS16V 编号：C68956

封装：SOT-563

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

75V,200mA,trr=4ns,VF=1.25V@150mA,PD=150mW

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10+
￥0.3842
100+
￥0.2997
300+
￥0.2575

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型号：MMBD4448HAQW 编号：C2992068

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：快速开关速度。超小表面贴装封装。适用于通用开关应用。高电导功率耗散

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10+
￥0.3947
100+
￥0.3154
300+
￥0.2758

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型号：BAV303-TR 编号：C499507

封装：MicroMELF

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅外延平面二极管。节省空间。密封部件。适合SOD-323/SOT-23封装。电气数据与BAV/190至BAV/193、BAV200至BAV200相同。 AEC-Q101认证。应用：通用

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10+
￥0.3985
100+
￥0.3313
300+
￥0.2977

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型号：BAS70-06Q-7-F-HXY 编号：C52754619

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为70V。其正向压降为1.25V，在反向偏置条件下漏电流仅为2.5μA，表现出较低的导通损耗和优异的反向截止特性。器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于需要双路同步整流、电压箝位或极性保护等功能的电路，常见于便携设备、消费类电子产品及通信模块中的电源管理单元。

10+
￥0.401185 ￥0.4223
100+
￥0.31958 ￥0.3364
300+
￥0.27873 ￥0.2934
3000+
￥0.24814 ￥0.2612
6000+
￥0.22363 ￥0.2354
9000+
￥0.211375 ￥0.2225

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型号：BAV21WQ-7-F 编号：C17673947

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

10+
￥0.4116
100+
￥0.3345
300+
￥0.2959
3000+
￥0.267

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型号：1N4148WS-HE3-08 编号：C435854

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅外延平面二极管。快速开关二极管。符合AEC-Q101标准。符合RoHS标准，商业级

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10+
￥0.4176
100+
￥0.3435
300+
￥0.3065

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型号：BAS70-04-G3-08-HXY 编号：C52754635

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在工作状态下能效表现良好；反向漏电流（IR）低至2.5μA，有助于降低静态功耗。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对电压钳位、信号整流或电源极性保护有需求的电子电路中，尤其适合空间受限且需多级串联使用的场合。