开关二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1N4148WHE3-TP 编号：C712340

封装：SOD-123

品牌：MCC(美微科)

特性：无卤。AEC-Q101认证。快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。无铅涂层/RoHS合规（“P”后缀表示符合RoHS标准）

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50+
￥0.1143
500+
￥0.0915
3000+
￥0.0768

有货

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型号：BAS16WS 编号：C699071

封装：SOD-323(SC-90)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：VR 75V。 IFAV 200mA。应用：极快开关

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50+
￥0.1144
500+
￥0.0923
3000+
￥0.0691

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型号：HBAS3218X 编号：C42389378

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具备0.25安培的正向电流（IF/A），并能承受最高250伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.25伏特，反向漏电流（IR/uA）低至0.1微安。此外，它还能承受4.5安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）。这些特性使其非常适合应用于需要高可靠性和快速开关速度的电子设计中，如在消费电子产品的信号处理及保护电路中发挥重要作用。

20+
￥0.1162
200+
￥0.1136
600+
￥0.1119

有货

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型号：BAV70 编号：C3003018

封装：SOT-23

品牌：Huixin(慧芯)

特性：快速开关速度。适用于通用开关应用。高电导

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50+
￥0.1167
500+
￥0.0915
3000+
￥0.0748
6000+
￥0.0664
24000+
￥0.0591
51000+
￥0.0552

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型号：LBAV74LT1G 编号：C12782

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：产品材料符合RoHS要求

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3000+
￥0.069167
9000+
￥0.067183

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型号：1N4148WS 编号：C3002998

封装：SOD-323

品牌：Huixin(慧芯)

特性：SOD-323封装。快速开关

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50+
￥0.1205
500+
￥0.0954
3000+
￥0.0747
6000+
￥0.0664
24000+
￥0.0591
51000+
￥0.0552

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型号：BAS16 编号：C699081

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。高电导率。表面贴装封装，非常适合自动插入

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50+
￥0.1235
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3000+
￥0.08

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型号：BAS516-TP 编号：C668864

封装：SOD-523

品牌：MCC(美微科)

特性：高开关速度。适用于通用开关应用。表面贴装封装。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）

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50+
￥0.1249
500+
￥0.0985
1500+
￥0.0839

有货

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型号：LBAV70WT1G 编号：C383182

封装：SOT-323

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。适用于高速开关应用

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50+
￥0.1273
500+
￥0.1021
3000+
￥0.088

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型号：BAS21 编号：C699086

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。低电流泄漏。标记：JS

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50+
￥0.1276
500+
￥0.1017
3000+
￥0.0844

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型号：BAV199 编号：C7528914

封装：SOT-23

品牌：AM(安美)

特性：快速开关速度，适用于通用开关应用。高电导率。低电流泄漏。小外形表面贴装封装。符合RoHS标准/环保EMC

20+
￥0.12768 ￥0.1344
200+
￥0.099465 ￥0.1047
600+
￥0.08379 ￥0.0882
3000+
￥0.074385 ￥0.0783
9000+
￥0.066215 ￥0.0697
21000+
￥0.061845 ￥0.0651

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型号：BAS70-04FILM-HXY 编号：C52754622

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式配置，额定正向电流为0.2A，最大反向电压达70V。在正常工作条件下，其正向压降为1.25V，反向漏电流仅为2.5μA，表现出良好的反向阻断能力与较低的导通损耗。器件可承受高达2A的峰值正向浪涌电流，适用于需要较高耐压和稳定性能的整流、信号解调及电源极性保护等电路场合。串联结构有助于在有限空间内实现更高的反向耐压需求。

20+
￥0.1311
200+
￥0.1282
600+
￥0.1263

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型号：BAS21 编号：C3003008

封装：SOT-23

品牌：Huixin(慧芯)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入

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20+
￥0.1328
200+
￥0.1036
600+
￥0.0873
3000+
￥0.0772
9000+
￥0.0687
21000+
￥0.0642

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型号：BAV20W 编号：C968071

封装：SOD-123

品牌：YANGJIE(扬杰)

BAV20W-F2-0000HF

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50+
￥0.1328
500+
￥0.1058
3000+
￥0.089

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型号：BAS16WX 编号：C68958

封装：SOD-323

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：快速开关速度。适用于通用开关应用。高电导

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20+
￥0.1328
200+
￥0.1047
600+
￥0.0891

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型号：SBAS70-04LT1G-HXY 编号：C52754623

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至2.5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低压整流与信号处理场景，常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

10+
￥0.1363
100+
￥0.1333
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型号：BAR46AFILM-HXY 编号：C52754621

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，具有0.2A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在25℃下反向漏电流（IR）典型值为5μA，能够承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM）。此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的紧凑型电路设计，常见于电源管理、信号解调及高频开关等应用场景。