100V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-123FL

这款肖特基二极管具备2A的最大正向电流IF，峰值反向电压VR为100V，正向电压降VF低至0.85V，有效降低了能量损耗。反向漏电流IR在标准测试条件下不超过20μA，同时支持高达50A的瞬时正向浪涌电流IFSM。该二极管以其快速的开关特性和低导通电压，适用于高频开关电源、整流电路及保护电路中，能够提高系统的整体效率和可靠性，是高性能电子设计的理想选择。

20+
￥0.1551
200+
￥0.1217
600+
￥0.1031

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型号：SS210A 编号：C5350021

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：SUNMATE(森美特)

特性：肖特基势垒芯片。非常适合自动组装。低功耗、高效率。适用于低电压应用。保护环芯片结构。塑料外壳材料具有UL 94V-0阻燃等级

数据手册

20+
￥0.1573
200+
￥0.1226
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￥0.0816
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￥0.0762

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型号：SS310A50 编号：C18198664

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：JUXING(钜兴)

特性：低外形封装。适合自动贴装。超快反向恢复时间。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。高温焊接：端子在260℃下可承受10秒。符合RoHS 2002/95/1和WEEE 2002/96/EC标准

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￥0.16264 ￥0.1712
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￥0.12673 ￥0.1334
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￥0.106685 ￥0.1123
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￥0.094715 ￥0.0997
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￥0.08436 ￥0.0888
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￥0.078755 ￥0.0829

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型号：DSK310 编号：C47117485

封装：SOD-123FL

品牌：baocheng(宝乘)

直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：0.85V@3A 反向电流(Ir)：0.5mA@100V 正向浪涌电流(Ifsm)：100A 工作温度：-55℃~+125℃@(Tj)

20+
￥0.1653
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￥0.1275
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9000+
￥0.0829
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￥0.077

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型号：SS310F 编号：C183464

封装：SMAF

品牌：SHIKUES(时科)

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

数据手册

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￥0.165395 ￥0.1741
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￥0.080085 ￥0.0843

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型号：SS510BF 编号：C5122622

封装：SMBF

品牌：Slkor(萨科微)

特性：塑料封装，具有UL 94V-0阻燃等级。低功耗，高效率。设有保护环，用于过压保护。保证高温焊接：260℃/10秒（端子处）。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

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￥0.16764 ￥0.4191
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￥0.13388 ￥0.3347
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￥0.11696 ￥0.2924
1000+
￥0.10428 ￥0.2607
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￥0.0878 ￥0.2195
10000+
￥0.08272 ￥0.2068

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型号：DSK210W-6AF 编号：C48947211

封装：SOD-123FL

品牌：FOSAN(富捷/富信)

DSK210W-6AF

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￥0.1704
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￥0.1314
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￥0.1098
3000+
￥0.0968
9000+
￥0.0855
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￥0.0794

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型号：DSS210 编号：C41364886

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款二极管具有100V的最大电压和2A的最大电流能力，正向压降VF仅为0.85V，在保证高效导通的同时降低了能量损耗。反向电流IR仅为20μA，确保了在非导通状态下的低漏电特性。该二极管还能承受50A的浪涌电流IFSM，适用于需要快速开关和高可靠性的应用，如消费电子产品中的整流电路、电池充电器及各类电源管理系统。

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￥0.173445 ￥0.1865
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￥0.137361 ￥0.1477
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￥0.105183 ￥0.1131
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￥0.094767 ￥0.1019
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￥0.089094 ￥0.0958

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型号：BAT46WS-6AF 编号：C49009939

封装：SOD-323

品牌：FOSAN(富捷/富信)

20+
￥0.1742
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￥0.1344
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￥0.1122

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型号：SS510F 编号：C22368754

封装：SMAF

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款适用于电源转换、高频开关电路以及需要快速恢复时间的整流应用的肖特基二极管

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￥0.17595 ￥0.1955
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￥0.10251 ￥0.1139
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￥0.09126 ￥0.1014
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￥0.08523 ￥0.0947

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型号：SS210F-6AF 编号：C48947128

封装：SMAF

品牌：FOSAN(富捷/富信)

SS210F-6AF

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￥0.0828

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型号：BAT46JFILM-HXY 编号：C52754516

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有100V的反向重复峰值电压（VR）和0.15A的正向平均电流（IF）。其正向压降（VF）典型值为1V，在25℃环境下反向漏电流（IR）低至2μA，具备良好的导通与关断特性。器件可承受高达0.75A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等电路场合。

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￥0.17841 ￥0.1878
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￥0.139935 ￥0.1473
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￥0.11856 ￥0.1248
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￥0.09462 ￥0.0996
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￥0.088635 ￥0.0933

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型号：BAT46WS 编号：C2943036

封装：SOD-323

品牌：Slkor(萨科微)

特性：高击穿电压。低开启电压。用于瞬态保护的保护环结构

数据手册

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￥0.1823
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￥0.1219
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￥0.1025
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￥0.0852

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型号：BAT46W 编号：C5766591

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管以其0.15A的电流和100V的电压额定值，提供了高效的电路保护。其0.25V的低压降确保了能量损失的最小化。反向电流仅为100uA，保证了高反向阻断能力。此外，0.8A的浪涌电流承受能力使其能够应对突发的过载情况。

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￥0.1868
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型号：SS210F 编号：C22466244

封装：SMAF

品牌：XUMAO(旭茂微)

40MIL

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￥0.18756 ￥0.2084
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型号：SMD110PL-HXY 编号：C52754453

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为100V。其正向压降为0.85V，在导通时维持较低的功率损耗；反向漏电流为200μA，在较高反向电压下仍保持可控的漏电水平。该器件适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源转换场合，凭借肖特基势垒特性，具备较快的开关响应能力，有助于提升电路整体运行效率与稳定性。