50V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向平均电流（IF）为0.07A，最大反向重复峰值电压（VR）达70V。其正向压降（VF）为1V，在关断状态下反向漏电流（IR）仅为0.1μA，体现出良好的低功耗特性。器件可承受的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对空间和能效敏感的小型电子系统，如便携设备、消费类电子产品中的整流、箝位及高频开关功能。

10+
￥0.1444 ￥0.152
100+
￥0.141265 ￥0.1487
300+
￥0.139175 ￥0.1465
1000+
￥0.13699 ￥0.1442

有货

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型号：BAS70Q 编号：C2942465

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。低正向电压肖特基整流器。 VR 70V。 IFAV 0.07A。后缀为“Q”的产品型号表示符合AEC-Q101标准。应用：瞬态和静电放电保护

数据手册

20+
￥0.1569
200+
￥0.1228
600+
￥0.1038

有货

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型号：BAS70DB 编号：C3000408

封装：DFN1006-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：低正向电压。快速开关

数据手册

20+
￥0.1627
200+
￥0.1276
600+
￥0.1081
2000+
￥0.0964
10000+
￥0.0824
20000+
￥0.0769

有货

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型号：1PS76SB70-HXY 编号：C52754512

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，平均正向电流（IF）为0.07A，反向重复峰值电压（VR）为70V。其正向压降（VF）典型值为1V，在低电流工作条件下保持稳定导通特性；反向漏电流（IR）低至0.1μA，展现出优异的反向截止能力。器件的非重复浪涌正向电流（IFSM）为0.1A，适用于对功耗敏感的小信号整流、精密检测电路、便携式电子设备及低电流电源管理等应用场景。

10+
￥0.165585 ￥0.1743
100+
￥0.161975 ￥0.1705
300+
￥0.159505 ￥0.1679
1000+
￥0.15713 ￥0.1654

有货

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型号：BAS70WT-04 编号：C968047

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：YANGJIE(扬杰)

BAS70WT-04-F2-0000HF

数据手册

20+
￥0.1786
200+
￥0.1435
600+
￥0.124

有货

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型号：BAS70-04T 编号：C968042

封装：SOT-523(SC-75)

品牌：YANGJIE(扬杰)

BAS70-04T-F2-0000HF

数据手册

20+
￥0.1923
200+
￥0.1548
600+
￥0.1339

有货

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型号：BAS70-05 编号：C699083

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。符合J-STD-020C的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。模塑料符合UL 94 V-0阻燃等级，符合RoHS标准，无卤素。符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC

数据手册

20+
￥0.1947
200+
￥0.1572
600+
￥0.1363

有货

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型号：BAS70DW-06 编号：C21714100

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

电流:70mA 电压:70V

20+
￥0.2199
200+
￥0.1713
600+
￥0.1443

有货

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型号：BAS70BRW 编号：C51315110

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

20+
￥0.2237
200+
￥0.1757
600+
￥0.1517

有货

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型号：BAS70-05-6AF 编号：C49363380

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

20+
￥0.2262
200+
￥0.1744
600+
￥0.1457
3000+
￥0.1284

有货

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型号：BAS70-04-6AF 编号：C49363378

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

10+
￥0.2297
100+
￥0.1799
300+
￥0.1551
3000+
￥0.1364

有货

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型号：BAS70DW-04-7-F 编号：C134381

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

该肖特基势垒阵列设计用于多种配置，具有低泄漏性能。这通过仅需一个组件降低了组件放置成本。设计满足 AEC-Q101 要求。配置非常适合用作:极性保护二极管。两条数据线的轨到轨数据线保护。多路复用电路。高效、低电流桥式整流电路。续流二极管。开关二极管

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10+
￥0.6485
100+
￥0.5381
300+
￥0.483

有货

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型号：BAS70W-06 编号：C77311

封装：SOT-323

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

双二极管

数据手册

20+
￥0.1882
200+
￥0.1466
600+
￥0.1235

有货

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型号：BAS70-04Q 编号：C2942462

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。低正向电压肖特基整流器。 VRRM 70V。 IFAV 70mA。后缀为“Q”的产品表示通过AEC-Q101认证。应用：瞬态和ESD保护。汽车领域

20+
￥0.2213
200+
￥0.1743
600+
￥0.1482

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型号：BAS70TW 编号：C7528902

封装：SOT-363

品牌：AM(安美)

二极管配置：3个独立式直流反向耐压(Vr)：70V 平均整流电流(Io)：70mA 正向压降(Vf)：1V@15mA

10+
￥0.239495 ￥0.2521
100+
￥0.189335 ￥0.1993
300+
￥0.164255 ￥0.1729
3000+
￥0.145445 ￥0.1531
6000+
￥0.13034 ￥0.1372
9000+
￥0.122835 ￥0.1293

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型号：BAS70-06-7-F 编号：C134378

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款采用SOT23封装的70mA表面贴装肖特基势垒二极管，具有低正向压降和快速开关能力，采用PN结保护环设计，可实现瞬态和静电放电（ESD）保护。

数据手册

20+
￥0.2501
200+
￥0.1967
600+
￥0.1671

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型号：BAS7005E6327HTSA1-HXY 编号：C52754557

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为0.07A，最大反向电压（VR）达70V。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.1μA，展现出良好的反向截止特性。非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对空间布局和电路集成度有要求的场合，常用于双路信号整流、电源极性保护及低压逻辑电平转换等应用。

5+
￥0.26638 ￥0.2804
50+
￥0.260585 ￥0.2743
150+
￥0.25669 ￥0.2702
500+
￥0.2527 ￥0.266

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