45V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，正向平均电流为10A，最大反向重复电压为45V。其正向压降为0.65V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA。器件具备150A的非重复峰值正向浪涌电流能力（IFSM），适用于高效率电源转换、低压整流及续流保护等电路拓扑，共阴极配置便于双路输出或桥式应用中的布线与集成。

1+
￥4.1325 ￥4.35
10+
￥3.3535 ￥3.53
50+
￥2.964 ￥3.12
100+
￥2.5745 ￥2.71
500+
￥2.3465 ￥2.47
1000+
￥2.2325 ￥2.35

有货

立即购买

型号：MBR4045SPT 编号：C22369024

封装：TO-247S

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款适用于电源转换、高频开关电路以及需要快速恢复时间的整流应用的肖特基二极管

1+
￥4.1625 ￥5.55
10+
￥3.3525 ￥4.47
30+
￥2.9475 ￥3.93
90+
￥2.5425 ￥3.39
450+
￥2.3025 ￥3.07
900+
￥2.175 ￥2.9

有货

立即购买

型号：PMEG045V100EPE-QZ 编号：C7029094

封装：TO-277

品牌：Nexperia(安世)

平面低正向电压 (V_F) 肖特基势垒整流器,采用 CFP15B (SOT1289B) 功率扁平引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

1+
￥4.18
10+
￥4.12
30+
￥4.08
100+
￥4.04

有货

立即购买

型号：MBRF4045LCT 编号：C7429897

封装：ITO-220AB

品牌：LGE(鲁光)

特性：Trench Schottky Barrier技术。超低正向压降。低功耗、高效率。出色的低反向泄漏。出色的高温稳定性。高电流能力。应用：开关二极管。开关电源(SMPS)

1+
￥4.374 ￥4.86
10+
￥3.69 ￥4.1
50+
￥2.952 ￥3.28
100+
￥2.61 ￥2.9
500+
￥2.403 ￥2.67
1000+
￥2.304 ￥2.56

有货

立即购买

型号：SS10PH45HM3_A/H 编号：C962585

封装：TO-277A

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低的外形。典型高度为1.1mm。适合自动贴装。具有过压保护的保护环。高势垒技术，最高结温为175℃。低泄漏电流。应用：开关电源的高频整流器。续流二极管

数据手册

1+
￥4.43
10+
￥3.61
30+
￥3.2
100+
￥2.79

有货

立即购买

型号：SBCT1040-HXY 编号：C52754701

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）达45V。其正向压降（VF）低至0.52V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达120A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

1+
￥4.5695 ￥4.81
10+
￥3.705 ￥3.9
50+
￥3.2775 ￥3.45
100+
￥2.85 ￥3
500+
￥2.5935 ￥2.73
1000+
￥2.4605 ￥2.59

有货

立即购买

型号：MBR4045F 编号：C52953190

封装：TO-220F

品牌：MOT(仁懋)

电压:45V 电流:40A 共阴极肖特基二极管

1+
￥4.65
10+
￥3.78
50+
￥3.35

有货

立即购买

型号：RBQ10T45ANZC9-HXY 编号：C53262808

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流为10A，最大反向电压为45V。其正向压降为0.65V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，具备良好的阻断能力。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于需要高效整流和快速响应的电源转换、低压输出整流及多路同步续流等电路拓扑中。共阴极配置便于简化电路布局与连接。

1+
￥5.225 ￥5.5
10+
￥4.237 ￥4.46
50+
￥3.743 ￥3.94
100+
￥3.2585 ￥3.43
500+
￥2.964 ￥3.12
1000+
￥2.812 ￥2.96

有货

立即购买

型号：MBR3045PT 编号：C3039989

封装：TO-247

品牌：YFW(佑风微)

特性：低正向电压。高电流能力。高正向浪涌能力。低功耗，高效率。过压保护。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

数据手册

1+
￥5.51
10+
￥4.58
30+
￥4
90+
￥3.54
510+
￥3.27
1200+
￥3.12

有货

立即购买

型号：VSMBR3045CT-M3-HXY 编号：C52754662

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流为30A，最大反向电压为45V。其正向压降低至0.48V，有助于减少导通过程中的能量损耗；在反向偏置条件下，漏电流仅为40μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源以及对效率和热性能有较高要求的电子设备中。

1+
￥6.0895 ￥6.41
10+
￥4.94 ￥5.2
50+
￥4.37 ￥4.6
100+
￥3.8 ￥4
500+
￥3.458 ￥3.64
1000+
￥3.2775 ￥3.45

有货

立即购买

型号：RBR10T40ANZC9-HXY 编号：C53262834

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有10A的额定正向电流和45V的最大反向电压。其正向压降仅为0.65V，有助于降低导通损耗并提升系统效率；反向漏电流为100μA，在关断状态下维持良好的阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源、电源适配器及类似对效率与热性能有要求的电子电路中。

1+
￥6.0895 ￥6.41
10+
￥4.94 ￥5.2
50+
￥4.37 ￥4.6
100+
￥3.8 ￥4
500+
￥3.458 ￥3.64
1000+
￥3.2775 ￥3.45

有货

立即购买

型号：MBR2545CTG-HXY 编号：C52754695

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的平均正向电流（IF）和45V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.48V，有助于降低导通损耗，同时反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达280A的浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流及高频开关电路场合。

1+
￥6.7545 ￥7.11
10+
￥5.624 ￥5.92
50+
￥5.0065 ￥5.27
100+
￥4.3035 ￥4.53
500+
￥3.99 ￥4.2
1000+
￥3.8475 ￥4.05

有货

立即购买

型号：VS30CTQ045-M3-HXY 编号：C52754697

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的平均正向电流（IF）和45V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.48V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达280A的浪涌正向电流（IFSM），适用于高效率整流、开关电源及需要低电压降与高瞬态电流耐受能力的电子电路中。

1+
￥6.954 ￥7.32
10+
￥5.795 ￥6.1
50+
￥5.149 ￥5.42
100+
￥4.427 ￥4.66
500+
￥4.1135 ￥4.33
1000+
￥3.9615 ￥4.17

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示