20V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SS12 编号：C2934867

封装：SMA

品牌：KUU

打扁工艺

数据手册

20+
￥0.1457
200+
￥0.1144
600+
￥0.097
2000+
￥0.0837
10000+
￥0.0747
20000+
￥0.0698

有货

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型号：MBR0520-TP 编号：C78746

封装：SOD-123

品牌：MCC(美微科)

特性：无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）。适用于表面贴装应用。低正向电压。极低的热阻。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级为1

数据手册

20+
￥0.1557
200+
￥0.1233
600+
￥0.1053

有货

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型号：DS22W 编号：C353501

封装：SOD-123FL

品牌：晶导微电子

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

数据手册

20+
￥0.1736
200+
￥0.1365
600+
￥0.1159

有货

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型号：SS22B 编号：C437984

封装：SMB

品牌：晶导微电子

表面贴装肖特基势垒整流器，反向电压-20 至 200V，正向电流-2.0A

数据手册

20+
￥0.2179
200+
￥0.1686
600+
￥0.1411

有货

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型号：SD103CWS-7-F 编号：C165469

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒器件专为满足汽车应用的严格要求而设计。这些器件非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

10+
￥0.2444
100+
￥0.1956
300+
￥0.1713

有货

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型号：ST60PPF 编号：C19190384

封装：DO-35-1

品牌：ST(先科)

电压:20V 电流:50mA

10+
￥0.2501
100+
￥0.1997
500+
￥0.1595

有货

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型号：MBR120ESFT1G 编号：C5377901

封装：SOD-123FL

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：保护环用于应力保护。低泄漏。 150℃工作结温。环氧树脂符合UL 94 V-0（0.125英寸）。封装设计适合优化自动电路板组装。 ESD评级: -人体模型 = 3B。 -机器模型 = C。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准

数据手册

10+
￥0.2704
100+
￥0.2128
300+
￥0.184
3000+
￥0.16
6000+
￥0.1427
9000+
￥0.134

有货

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型号：MBR0540L-TP 编号：C435906

封装：SOD-123

品牌：MCC(美微科)

特性：无铅涂层/符合 RoHS 标准（“P”后缀表示符合 RoHS 标准）。适用于表面贴装应用。低正向电压和极低的热阻。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。湿度敏感度等级 1

数据手册

10+
￥0.3244
100+
￥0.2633
300+
￥0.2328
3000+
￥0.2099

有货

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型号：RB461F 编号：C77344

封装：SOT-323

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低功耗整流。适用于开关电源。超低正向电压（VF）。即使尺寸小，也能保证 700mA 的正向电流（IF）

数据手册

10+
￥0.339
100+
￥0.2651
300+
￥0.2281
3000+
￥0.2004

有货

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型号：SS52C 编号：C353177

封装：SMC

品牌：晶导微电子

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

数据手册

10+
￥0.4323
100+
￥0.3419
300+
￥0.2967
3000+
￥0.2628

有货

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型号：PMEG2005AEL,315 编号：C552807

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

平面型最大效率通用（MEGA）肖特基势垒二极管，集成保护环以实现应力保护，采用SOD882无引脚超小型塑料封装。

数据手册

10+
￥0.44
100+
￥0.3573
300+
￥0.316
1000+
￥0.2849
5000+
￥0.2395
10000+
￥0.2271

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型号：MBRA120ET3G-HXY 编号：C52988595

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压。其正向压降为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为500μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源保护电路中，尤其适合空间受限或需低热耗散的电子系统。

10+
￥0.44821 ￥0.4718
100+
￥0.35701 ￥0.3758
300+
￥0.31141 ￥0.3278
2000+
￥0.27721 ￥0.2918
4000+
￥0.24985 ￥0.263
10000+
￥0.23617 ￥0.2486

有货

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型号：SKL12-HXY 编号：C52754458

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为20V，典型正向压降低至0.55V，具备优异的导通效率。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关电路等场景。其低VF特性有助于减少功耗，提升系统整体能效，适合紧凑型电子设备中的多种基础功能实现。

5+
￥0.555845 ￥0.5851
50+
￥0.4427 ￥0.466
150+
￥0.386175 ￥0.4065
500+
￥0.343805 ￥0.3619
3000+
￥0.30989 ￥0.3262
6000+
￥0.292885 ￥0.3083

有货

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型号：RB411VAM-50TR-HXY 编号：C52754588

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为1A，最大反向电压为20V，正向压降低至0.45V，有助于减少导通损耗。在20V反向电压下，漏电流为1000μA。器件具备较强的浪涌承受能力，非重复峰值正向浪涌电流可达25A，适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换、极性保护及高频开关电路等应用场合。

5+
￥0.56031 ￥0.5898
50+
￥0.44631 ￥0.4698
150+
￥0.38931 ￥0.4098
500+
￥0.34656 ￥0.3648
3000+
￥0.31236 ￥0.3288
6000+
￥0.29526 ￥0.3108

有货

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型号：RB161VA-20TR 编号：C308724

封装：SOD-323FL

品牌：ROHM(罗姆)

特性：小功率模具类型（TUMD2）。低VF。高可靠性。应用：一般整流

数据手册

5+
￥0.6314
50+
￥0.5003
150+
￥0.4347
500+
￥0.3856

有货

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型号：SDM40E20LA-7 编号：C460109

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：极低的正向电压降。用于瞬态保护的保护环结构。高电导率。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的型号，具体数据手册不同

数据手册

5+
￥0.930946 ￥2.2706
50+
￥0.560108 ￥1.8068
150+
￥0.337701 ￥1.6081
500+
￥0.285621 ￥1.3601
3000+
￥0.262437 ￥1.2497
6000+
￥0.248514 ￥1.1834

有货

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型号：B330LA-E3/61T-HXY 编号：C52988644

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为30V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为500μA，适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，具备良好的瞬态耐受能力。该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景，凭借低VF特性有助于提升整体系统能效。

5+
￥1.19776 ￥1.2608
50+
￥0.948765 ￥0.9987
150+
￥0.84208 ￥0.8864
500+
￥0.70889 ￥0.7462
2000+
￥0.64961 ￥0.6838
4000+
￥0.61408 ￥0.6464

有货

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型号：RBR3L30ADDTE25-HXY 编号：C52988646

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为30V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流为500μA。器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于电源整流、极性保护、开关模式电源及高频电路等应用，能够在注重效率与热性能的电子系统中稳定工作。

5+
￥1.22075 ￥1.285
50+
￥0.967005 ￥1.0179
150+
￥0.85823 ￥0.9034
500+
￥0.72257 ￥0.7606
2000+
￥0.66215 ￥0.697
4000+
￥0.62586 ￥0.6588

有货

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型号：RB055L-30TE25-HXY 编号：C52988645

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和30V的最大反向电压。其正向压降为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为500μA。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应有要求的电源整流、极性保护及高频开关电路等场合。

5+
￥1.358975 ￥1.4305
50+
￥1.076445 ￥1.1331
150+
￥0.955415 ￥1.0057
500+
￥0.804365 ￥0.8467
2000+
￥0.737105 ￥0.7759
4000+
￥0.69673 ￥0.7334

有货

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型号：MBR120ESFT3G-HXY 编号：C52754455

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为20V，正向压降典型值为0.55V，在保持低导通损耗的同时具备良好的高频特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出场合。其低VF特性有助于减少系统功耗，提升整体能效表现。

5+
￥1.40505 ￥1.479
50+
￥1.11302 ￥1.1716
150+
￥0.98781 ￥1.0398
500+
￥0.83163 ￥0.8754
3000+
￥0.76209 ￥0.8022
6000+
￥0.720385 ￥0.7583

有货

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型号：RB081LAM-20TR 编号：C509930

封装：SOD-128

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小功率模具类型。超低正向电压。应用：一般整流

5+
￥1.5258
50+
￥1.2484
150+
￥1.1295
500+
￥0.9812

有货

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型号：PMEG2005BELD,315 编号：C478124

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

平面肖特基势垒整流器，集成保护环以进行应力保护，采用无引脚超小型 SOD882D（DFN1006D - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面焊盘可见且可焊接。

数据手册

5+
￥1.6601
50+
￥1.6388
150+
￥1.6246
500+
￥1.6104

有货

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型号：CMSH1-20MTR13-HXY 编号：C52988594

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为20V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为500μA，适用于对能效和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，具备良好的瞬态耐受能力。此类参数组合使其适合用于低压整流、电源极性保护及高频开关等应用场景。