fr快恢复二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RS2MB 编号：C915959

封装：SMB

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：塑料包装符合UL 94V-0阻燃等级。适用于印刷电路板。开放式结芯片。低反向泄漏。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：端子在250℃下可承受10秒。玻璃钝化芯片结

数据手册

20+
￥0.1648
200+
￥0.1287
600+
￥0.1086
3000+
￥0.0918
9000+
￥0.0814
21000+
￥0.0757

有货

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型号：1N4454TR 编号：C896638

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

高导通超快速二极管，源自 Process 1R。参见 MMBD1201-1205 了解特性。

数据手册

20+
￥0.1759
200+
￥0.1349
600+
￥0.1122
2000+
￥0.0986

有货

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型号：HER205 编号：C3075

封装：DO-15

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：塑料封装符合UL易燃性分类94V-0。高速开关，效率高。低反向泄漏。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：250°C / 10秒，0.375英寸(9.5mm)引脚长度，5磅(2.3kg)拉力

数据手册

20+
￥0.1871
200+
￥0.1455
600+
￥0.1224
2500+
￥0.1002
10000+
￥0.0881
20000+
￥0.0817

有货

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型号：US2MBF 编号：C5763783

封装：SMBF

品牌：YFW(佑风微)

I(AV) 2 VFMI(AV)(A) 2

20+
￥0.188
200+
￥0.1475
600+
￥0.125
5000+
￥0.1068
10000+
￥0.0951
20000+
￥0.0888

有货

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型号：US2MW 编号：C2898482

封装：SOD-123FL

品牌：YFW(佑风微)

特性：适用于表面贴装应用。薄型封装。玻璃钝化芯片结。高效率。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅

数据手册

10+
￥0.188
100+
￥0.1506
300+
￥0.1299
3000+
￥0.0984
6000+
￥0.0876
9000+
￥0.0818

有货

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型号：SF26 编号：C18651

封装：DO-15

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：塑料封装具有UL可燃性分类94V-0。适用于印刷电路板。超快速开关，实现高效率。低反向泄漏。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：250℃/10秒（端子处）

数据手册

1+
￥0.193
10+
￥0.1504
30+
￥0.1267
100+
￥0.1125
500+
￥0.1001
1000+
￥0.0935

有货

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型号：ES2G 编号：C7428246

封装：SMB

品牌：NH(纽航)

特性：玻璃钝化芯片结。超快反向恢复时间。低正向压降，高效能。低漏电流，高可靠性。高正向浪涌能力，高可靠性。应用：高频逆变器。 AC/DC转换器

20+
￥0.1965
200+
￥0.1522
600+
￥0.1276
3000+
￥0.1167

有货

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型号：ES1K 编号：C961784

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：YANGJIE(扬杰)

ES1K-F1-0000HF

数据手册

20+
￥0.2026
200+
￥0.1625
600+
￥0.1403

有货

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型号：HUS1ME361T 编号：C42389402

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款快恢复二极管设计用于高频开关应用，具有1A的平均正向电流（IF），并在反向电压（VR）下可承受高达1000V的电压。其正向电压降（VF）仅为1.7V，在确保高效能的同时，降低了能量损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）控制在微安级别（5µA），保证了设备在非导通状态下的低功耗特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达30A，适用于需要承受短时电流峰值的应用场景。这些特性使得该二极管成为在需要快速切换及高效率表现的电路设计中的理想选择。