550mW稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥0.4029
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型号：BZX84J-C3V6,115 编号：C551018

封装：SOD-323F

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：BZX84J-C8V2,115 编号：C551032

封装：SOD-323F

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：PZU3.9B2,115 编号：C455009

封装：SOD-323F

3.9V 550mW

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型号：BZX84J-B8V2,115 编号：C550996

封装：SOD-323F(SC-90)

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：BZX84J-B13,115 编号：C550969

封装：SOD-323F

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：1SMB5921B-13 编号：C5878418

封装：SMB

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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型号：1SMB5948B-13 编号：C5205185

封装：SMB

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥1.229
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型号：BZX84J-B2V4,115 编号：C550975

封装：SOD-323F(SC-90)

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥1.7743
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型号：BZX84J-C6V8,115 编号：C478191

封装：SOD-323F

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥2.0164
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型号：1SMB5942BT3G 编号：C152465

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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1+
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型号：SZ1SMB5918BT3G 编号：C604750

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型3级静电放电额定值（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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1+
￥2.92
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型号：SMBZ5919B-E3/52 编号：C7011970

封装：DO-214AA(SMBJ)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。低齐纳阻抗。低调节系数。符合J-STD-020的MSL 1级，最高峰值温度为268℃。应用：通用调节和保护应用

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￥7.24
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￥6.09
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型号：BZX84J-B3V3,115 编号：C550982

封装：SOD-323F(SC-90)

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：1SMB5930B 编号：C4749112

封装：SMB

品牌：晶导微电子

特性：总功耗：最大3W。宽齐纳反向电压范围3.3V至200V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装

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10+
￥0.4185
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型号：1SMB5922B 编号：C4749109

封装：SMB

品牌：晶导微电子

特性：总功耗：最大3W。宽齐纳反向电压范围3.3V至200V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装

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5+
￥0.4942
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￥0.3862
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￥0.3322
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型号：1SMB5924B 编号：C4749108

封装：SMB

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大3W。宽齐纳反向电压范围：3.3V至200V。适合表面贴装设计的小型塑料封装

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5+
￥0.5032
50+
￥0.3952
150+
￥0.3412

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型号：BZX84J-C10,115 编号：C550998

封装：SOD-323F(SC-90)

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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10+
￥0.5315
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￥0.457
300+
￥0.4198
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￥0.3748
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￥0.3525
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型号：1SMB5924B-13 编号：C5244670

封装：SMB

5+
￥0.5936
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￥0.5823
150+
￥0.5748

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型号：1SMB5919B 编号：C3015252

封装：SMB

特性：完整电压范围：3.0至200伏。高反向峰值功率耗散。平整的操作表面，便于精确放置。低泄漏电流。无铅，符合RoHS标准

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1+
￥0.7931
10+
￥0.6346
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￥0.5554

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型号：1SMB5919BT3G 编号：C70260

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

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5+
￥0.8424
50+
￥0.6681
150+
￥0.5809
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￥0.4671
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￥0.4148
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￥0.3886

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型号：1SMB5939BT3G 编号：C61200

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥0.9412
50+
￥0.9176
150+
￥0.9018

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型号：1SMB5926B-13 编号：C5244672

封装：SMB

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥1.227
50+
￥0.9896
150+
￥0.8879

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型号：SZ1SMB5937BT3G 编号：C604753

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V 至 200V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。通过 AEC-Q101 认证，具备生产件批准程序能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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1+
￥4.81
10+
￥4.7
30+
￥4.62

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型号：1SMB5915B 编号：C5174497

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围 3.3 至 200 V。高反向峰值功率耗散。平坦的操作表面，便于精确放置。低泄漏电流。无铅/符合 RoHS 标准

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100+
￥0.4725
1000+
￥0.455
3000+
￥0.4375
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￥0.4025
10000+
￥0.392

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型号：1SMB5921B 编号：C2978886

封装：SMB

特性：完整电压范围：3.0至200伏。高反向峰值功率耗散。平整的操作表面，便于精确放置。低泄漏电流。无铅，符合RoHS标准

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5+
￥0.8565
50+
￥0.6852
150+
￥0.5995

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型号：1SMB5940B-13 编号：C5244675

封装：SMB

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.9524
50+
￥0.9333
150+
￥0.9206

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型号：BZX84J-C6V2,115 编号：C179395

封装：SOD-323F

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥0.2007
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￥0.197
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￥0.1945
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型号：1SMB5923B 编号：C3015293

封装：SMB

特性：完整电压范围3.3至200V。高反向峰值功率耗散。平坦的操作表面，便于精确放置。低泄漏电流。无铅，符合RoHS标准

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￥0.8952
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￥0.7205
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型号：1SMB5951B 编号：C3015321

封装：SMB(DO-214AA)