550mW稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：1SMB5933B 编号：C3015337

封装：SMB

特性：完整电压范围3.3至200V。高反向峰值功率耗散。平坦的操作表面，便于精确放置。低泄漏电流。无铅，符合RoHS标准

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型号：BZX84J-B20,115 编号：C550972

封装：SOD-323F

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：BZX84J-C3V6,115 编号：C551018

封装：SOD-323F

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：BZX84J-B6V8,115 编号：C550993

封装：SOD-323F(SC-90)

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：BZX84J-C8V2,115 编号：C551032

封装：SOD-323F

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：PZU3.9B2,115 编号：C455009

封装：SOD-323F

3.9V 550mW

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型号：BZX84J-B2V4,115 编号：C550975

封装：SOD-323F(SC-90)

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：SZ1SMB5926BT3G 编号：C889925

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

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￥5.58
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型号：1SMB5924B 编号：C4749108

封装：SMB

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大3W。宽齐纳反向电压范围：3.3V至200V。适合表面贴装设计的小型塑料封装

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￥0.5032
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型号：1SMB5923B-13 编号：C672153

封装：SMB

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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型号：1SMB5948B-13 编号：C5205185

封装：SMB

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥1.229
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型号：1SMB5942BT3G 编号：C152465

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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型号：BZX84J-C6V8,115 编号：C478191

封装：SOD-323F

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥2.0164
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型号：1SMB5930B 编号：C4749112

封装：SMB

品牌：晶导微电子

特性：总功耗：最大3W。宽齐纳反向电压范围3.3V至200V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装

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￥0.4185
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型号：1SMB5924B-13 编号：C5244670

封装：SMB

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型号：1SMB5939BT3G 编号：C61200

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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￥0.9412
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型号：SZ1SMB5937BT3G 编号：C604753

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V 至 200V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。通过 AEC-Q101 认证，具备生产件批准程序能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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￥4.81
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型号：SZ1SMB5913BT3G 编号：C889917

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

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￥7.52
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￥6.25
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型号：1SMB5922B 编号：C4749109

封装：SMB

品牌：晶导微电子

特性：总功耗：最大3W。宽齐纳反向电压范围3.3V至200V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装

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￥0.4942
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￥0.3862
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￥0.3322
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型号：1SMB5921B-13 编号：C5878418

封装：SMB

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥0.9992
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￥0.8008
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￥0.7157

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型号：1SMB5919B 编号：C3015252

封装：SMB

特性：完整电压范围：3.0至200伏。高反向峰值功率耗散。平整的操作表面，便于精确放置。低泄漏电流。无铅，符合RoHS标准

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1+
￥0.7931
10+
￥0.6346
30+
￥0.5554

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型号：1SMB5932B-13 编号：C5244673

封装：SMB

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥1.0356
50+
￥1.0132
150+
￥0.9982

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型号：1SMB5926B-13 编号：C5244672

封装：SMB

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥1.1517
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￥0.9143
150+
￥0.8125

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型号：SZ1SMB5923BT3G 编号：C604752

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 ESD等级3（>16kV），符合人体模型。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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1+
￥2.49
10+
￥2.44
30+
￥2.4

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型号：SZ1SMB5918BT3G 编号：C604750

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型3级静电放电额定值（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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1+
￥2.86
10+
￥2.79
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￥2.75

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型号：SZ1SMB5927BT3G 编号：C889926

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

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￥5.21
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￥5.1
30+
￥5.03

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型号：1SMB5929B 编号：C7436434

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：YFW(佑风微)

特性：总功率耗散：最大 3W。宽齐纳反向电压范围 3.3V 至 200V。塑料封装，适合表面贴装设计。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品

5+
￥0.4854
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￥0.3798
150+
￥0.327
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￥0.2874
3000+
￥0.2623
6000+
￥0.2464

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型号：1SMB5921B 编号：C2978886

封装：SMB

特性：完整电压范围：3.0至200伏。高反向峰值功率耗散。平整的操作表面，便于精确放置。低泄漏电流。无铅，符合RoHS标准

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￥0.8565
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型号：1SMB5923B 编号：C3015293

封装：SMB