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首页 > 热门关键词 > 350mW稳压二极管
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耐压:4.3V 电流:3uA
型号：BZX84C4V3 编号：C46472834
封装：SOT-23
品牌：TECH PUBLIC(台舟)
这款稳压二极管，适合于各类高精度稳压及电路保护应用场景，以强大的功能性和稳定性满足您的多元化需求。

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    耐压:3.9V 电流:3uA@1.0V
    型号：BZX84C3V9 编号：C46472835
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款稳压二极管，适合于各类高精度稳压及电路保护应用场景，以强大的功能性和稳定性满足您的多元化需求。

    • 50+

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    耐压:11V 电流:0.1uA
    型号：BZX84C11 编号：C46472847
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款稳压二极管，适合于各类高精度稳压及电路保护应用场景，以强大的功能性和稳定性满足您的多元化需求。

    • 50+

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    耐压:3V 电流:10uA@1V
    型号：BZX84C3V0 编号：C46472837
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款稳压二极管，适合于各类高精度稳压及电路保护应用场景，以强大的功能性和稳定性满足您的多元化需求。

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    耐压:2.7V 电流:20uA@1.0V
    型号：BZX84C2V7 编号：C46472838
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款稳压二极管，适合于各类高精度稳压及电路保护应用场景，以强大的功能性和稳定性满足您的多元化需求。

    • 50+

      ￥0.1004

    • 500+

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    独立式 耐压:33V 电流:0.05uA
    型号：BZX84B33 编号：C970334
    封装：SOT-23
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装工艺。应用：350mW 表面贴装齐纳二极管
    数据手册

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    BZX84-C6V2,215-JSM
    型号：BZX84-C6V2,215-JSM 编号：C53114208
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6.2V 稳压值(范围)：5.8V~6.6V 耗散功率(Pd)：350mW R8(R8表示丝印)

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    稳压二极管 耐压:8.2V 电流:0.7uA@5V
    型号：TPBZX84C8V2LT1G 编号：C42436613
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款稳压二极管，适合于各类高精度稳压及电路保护应用场景，以强大的功能性和稳定性满足您的多元化需求。

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    稳压二极管 耐压:8.2V 电流:0.7uA@5V
    型号：BZX84C8V2 编号：C42436594
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款稳压二极管，适合于各类高精度稳压及电路保护应用场景，以强大的功能性和稳定性满足您的多元化需求。

    • 50+

      ￥0.1075

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    丝印Z17 独立式 耐压:4.3V 电流:3uA@1.0V
    型号：BZX84C4V3 编号：C841157
    封装：SOT-23
    品牌：LGE(鲁光)
    丝印Z17
    数据手册

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    BZX84-C5V1-JSM
    型号：BZX84-C5V1-JSM 编号：C18189334
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    5.1V 0.225W

    • 50+

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    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA
    型号：BZT52B4V3 编号：C3019932
    封装：SOD-123
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：平面芯片结构。 在陶瓷PCB上的功率耗散为350mW。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装过程。 有无铅版本
    数据手册

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    独立式 耐压:10V 电流:0.2uA
    型号：BZX84C10 编号：C545314
    封装：SOT-23
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。应用：350mW 表面贴装齐纳二极管
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    独立式 耐压:22V 电流:0.1uA@15.4V
    型号：BZT52B22 编号：C3019941
    封装：SOD-123
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：平面芯片结构。 在陶瓷PCB上的功率耗散为350mW。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装过程。 有无铅版本
    数据手册

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    独立式 耐压:10V 电流:0.2uA@7V
    型号：BZX84B10 编号：C970333
    封装：SOT-23
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装工艺。应用：350mW 表面贴装齐纳二极管
    数据手册

    • 20+

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    独立式 耐压:3.3V 电流:5uA
    型号：BZX84C3V3 编号：C545312
    封装：SOT-23
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。应用：350mW 表面贴装齐纳二极管
    数据手册

    • 20+

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    • 200+

      ￥0.101

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    • 21000+

      ￥0.0616
  • 有货
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    独立式 耐压:3.3V 电流:5uA@1V
    型号：BZX84C3V3 编号：C118563
    封装：TO-236
    品牌：ST(先科)
    3.3V 0.35W
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1294

    • 200+

      ￥0.1023

    • 600+

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    • 3000+

      ￥0.0781

    • 9000+

      ￥0.0703

    • 21000+

      ￥0.0661
  • 有货
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    独立式 耐压:3V 电流:10uA@1.0V
    型号：BZT52B3V0 编号：C3647087
    封装：SOD-123
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    齐纳二极管正向电压VF=0.9V 功耗/功率350mW 结点温度，结区温度150℃ 储存温度范围-55 ~ +150℃ BZT52B3V0 3V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1377

    • 200+

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    独立式 耐压:6.8V 电流:2uA
    型号：BZX84B6V8 编号：C970335
    封装：SOT-23
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装工艺。应用：350mW 表面贴装齐纳二极管
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1423

    • 100+

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    丝印Y15 独立式 耐压:43V 电流:0.1uA@30.1V
    型号：BZX84C43 编号：C841170
    封装：SOT-23
    品牌：LGE(鲁光)
    丝印Y15
    数据手册

    • 20+

      ￥0.14319 ￥0.1591

    • 200+

      ￥0.1116 ￥0.124

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  • 有货
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    独立式 耐压:18V 电流:0.1uA@12.6V
    型号：BZT52B18 编号：C2910071
    封装：SOD-123
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：平面芯片结构。 陶瓷 PCB 上 350mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 有无铅版本
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1477

    • 200+

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    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@11V
    型号：MMBZ5245B 编号：C3041330
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺
    数据手册

    • 20+

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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@2V
    型号：BZX84C5V1 编号：C545313
    封装：SOT-23
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。应用：350mW 表面贴装齐纳二极管
    数据手册

    • 20+

      ￥0.157

    • 200+

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    独立式 耐压:2.7V 电流:20uA@1.0V
    型号：BZX84C2V7 编号：C5359871
    封装：SOT-23
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。应用：350mW 表面贴装齐纳二极管
    数据手册

    • 20+

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    • 200+

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    BZX84-C18,215-JSM
    型号：BZX84-C18,215-JSM 编号：C53113970
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：16.8V~19.1V 耗散功率(Pd)：250mW

    • 20+

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    独立式 耐压:13V 电流:0.1uA
    型号：BZT585B13T-7 编号：C460799
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：击穿电压公差：±2.0%。 小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3148

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    • 3000+

      ￥0.196
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    5.6V 1uA
    型号：BZT52C5V6 编号：C47117496
    封装：SOD-123
    品牌：baocheng(宝乘)
    稳压值:5.6V 正向压降(Vf):0.9V@10mA反 向电流(Ir):1uA@2V耗散功率(Pd):350mW 阻抗：40Ω 工作温度:-55℃~+155*C@(Tj)

    • 50+

      ￥0.0685

    • 500+

      ￥0.0528

    • 3000+

      ￥0.0441

    • 6000+

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    耐压:18V 电流:0.1uA@12.6V
    型号：BZT52C18 编号：C47117502
    封装：SOD-123
    品牌：baocheng(宝乘)
    稳压值:18V 正向压降(Vf):0.9V@10mA反 向电流(Ir):0.1uA@12.6V耗散功率(Pd):350mW 阻抗：45Ω 工作温度:-55℃~+155*C@(Tj)

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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA
    型号：BZT52B5V1 编号：C3647090
    封装：SOD-123
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    齐纳二极管正向电压VF=0.9V 功耗/功率350mW 结点温度，结区温度150℃ 储存温度范围-55 ~ +150℃ BZT52B5V1 5.1V
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    独立式 耐压:5.6V 电流:1uA
    型号：BZT52C5V6 编号：C2827906
    封装：SOD-123
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：平面芯片结构。 在陶瓷PCB上的功率耗散为350mW。 通用型，中等电流。 非常适合自动化装配工艺
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