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首页 > 热门关键词 > 200mW稳压二极管
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独立式 耐压:39V 电流:0.1uA@27.3V
型号：BZT52C39S-7-F 编号：C151427
封装：SOD-323
品牌：DIODES(美台)
特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
数据手册

  • 10+

    ￥0.272624 ￥0.3098

  • 100+

    ￥0.196404 ￥0.2518

  • 300+

    ￥0.151504 ￥0.2228

  • 3000+

    ￥0.13668 ￥0.201

  • 6000+

    ￥0.124848 ￥0.1836

  • 9000+

    ￥0.118932 ￥0.1749
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    18V 50nA
    型号：SZMMBZ18VALT1G-HXY 编号：C49318008
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该静电和浪涌保护器件采用单向（Uni）结构，具备1.6A的峰值脉冲电流（IPP）能力，能够有效吸收静电放电（ESD）及瞬态电压干扰带来的能量冲击。其反向工作电压（VRWM）为14.5V，适用于中压信号线路的保护需求。器件提供2通道（LINE）配置，可同时保护多路信号线，提升系统稳定性。凭借紧凑的封装与高效的响应速度，该产品适合用于各类电子设备中的敏感电路防护，保障设备在复杂电磁环境下的可靠运行。

    • 10+

      ￥0.293835 ￥0.3093

    • 100+

      ￥0.232275 ￥0.2445

    • 300+

      ￥0.201495 ￥0.2121

    • 3000+

      ￥0.17841 ￥0.1878

    • 6000+

      ￥0.15998 ￥0.1684

    • 9000+

      ￥0.150765 ￥0.1587
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:18V 电流:0.05uA
    型号：DDZ9705S-7 编号：C2760585
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常尖锐的击穿特性。 齐纳电压（Vz）的容差非常小。 非常适合自动化组装过程。 极低的泄漏电流。 无铅设计/RoHS合规。 “绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.359538 ￥0.3866

    • 100+

      ￥0.262363 ￥0.3161

    • 300+

      ￥0.204984 ￥0.2808

    • 3000+

      ￥0.185639 ￥0.2543

    • 6000+

      ￥0.170236 ￥0.2332

    • 9000+

      ￥0.162498 ￥0.2226
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:6.2V 电流:2uA@4.0V
    型号：BZT52C6V2S-7-F 编号：C177018
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3827

    • 100+

      ￥0.31

    • 300+

      ￥0.2736
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:5.1V 电流:1.8uA@2V
    型号：MM3Z5V1B 编号：C603320
    封装：SOD-323F
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：宽齐纳电压范围选择，2.4V 至 75V。VZ 公差选择为 ±2%（B 系列）。非常小且薄的 SMD 封装。哑光镀锡（Sn）表面处理，无铅
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3836

    • 100+

      ￥0.3068

    • 300+

      ￥0.2685
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:12V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZX84C12S-7-F 编号：C460813
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-39V。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.464412 ￥0.8931

    • 50+

      ￥0.300132 ￥0.7146

    • 150+

      ￥0.200128 ￥0.6254

    • 500+

      ￥0.17872 ￥0.5585

    • 3000+

      ￥0.1616 ￥0.505

    • 6000+

      ￥0.153024 ￥0.4782
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:18V 电流:0.1uA@12.6V
    型号：BZT52C18SQ-7-F 编号：C5248653
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

    • 10+

      ￥0.4653

    • 100+

      ￥0.3874

    • 300+

      ￥0.3485
  • 有货
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    3个独立式 耐压:3.3V 电流:5uA@1.0V
    型号：BZX84C3V3TS-7-F 编号：C5124989
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：齐纳电压范围为 2.4-39V。 单个超小表面贴装封装中包含三个独立的二极管元件。 无铅/符合 RoHS 标准。 环保器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5973

    • 50+

      ￥0.5866

    • 150+

      ￥0.5794

    • 500+

      ￥0.5723
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:5.1V 电流:2uA@1.5V
    型号：UDZTE-175.1B 编号：C5362387
    封装：SOD-323
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：极其紧凑，2引脚迷你模具类型，适用于高密度安装（UMD2）。 高可靠性。 与贴片机兼容，适用于自动化生产
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7667

    • 50+

      ￥0.6787

    • 150+

      ￥0.641

    • 500+

      ￥0.5939
  • 有货
    • 立即购买
    2个独立式 耐压:5.1V 电流:5uA@2.0V
    型号：MMBZ5231BS-7-F 编号：C5205170
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 超小型表面贴装封装中的双隔离齐纳二极管。 非常适合自动化组装工艺。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8153

    • 50+

      ￥0.6713

    • 150+

      ￥0.5993

    • 500+

      ￥0.5453
  • 有货
    • 立即购买
    2个独立式 耐压:15V 电流:100nA@11V
    型号：MMBZ5245BS-7-F 编号：C5124991
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 超小型表面贴装封装中的双隔离齐纳二极管。 非常适合自动化组装工艺。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8744

    • 50+

      ￥0.6997

    • 150+

      ￥0.6123

    • 500+

      ￥0.5468
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:7.5V 电流:0.5uA@4V
    型号：UDZVFHTE-177.5B 编号：C510054
    封装：SOD-323FL
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：高可靠性。 小尺寸封装。应用：电压调节
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0006

    • 50+

      ￥0.7756

    • 150+

      ￥0.6792

    • 500+

      ￥0.5589
  • 有货
    • 立即购买
    3个独立式 耐压:15V 电流:0.1uA
    型号：MMBZ5245BTS-7-F 编号：C5249081
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小型表面贴装封装中的三个隔离齐纳二极管。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，高可靠性

    • 5+

      ￥1.1222

    • 50+

      ￥0.9992

    • 150+

      ￥0.9465

    • 500+

      ￥0.8807
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C3V9SW 编号：C4749090
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0733

    • 500+

      ￥0.0571

    • 3000+

      ￥0.0481
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA
    型号：BZT52C12S 编号：C571389
    封装：SOD-323
    品牌：High Diode(海德)
    特性：Pd 200mW-VZ 2.4V-43V。应用：稳定电压
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0746

    • 500+

      ￥0.0597

    • 3000+

      ￥0.053

    • 6000+

      ￥0.052

    • 24000+

      ￥0.051

    • 51000+

      ￥0.05
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:36V 电流:0.1uA@25.2V
    型号：BZT52C36S 编号：C353533
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0775

    • 500+

      ￥0.06

    • 3000+

      ￥0.0503
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@2V
    型号：BZT52B5V1S 编号：C499804
    封装：SOD-323
    品牌：SMC(桑德斯)
    特性：平面芯片结构。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 有无铅版本。 这是一种无卤设备。 所有SMC部件可追溯到晶圆批次。 可根据要求提供额外测试
    数据手册

    • 1+

      ￥0.07785 ￥0.2595

    • 10+

      ￥0.04134 ￥0.2067

    • 30+

      ￥0.01803 ￥0.1803

    • 100+

      ￥0.01605 ￥0.1605

    • 500+

      ￥0.01447 ￥0.1447

    • 1000+

      ￥0.01368 ￥0.1368
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:24V 电流:100nA@16.8V
    型号：BZT52C24S 编号：C353545
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0782

    • 500+

      ￥0.0609

    • 3000+

      ￥0.0513
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:10V 电流:0.2uA
    型号：BZT52C10S 编号：C571388
    封装：SOD-323
    品牌：High Diode(海德)
    特性：Pd 200mW-VZ 2.4V-43V。应用：稳定电压
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0797

    • 500+

      ￥0.0637

    • 3000+

      ￥0.053

    • 6000+

      ￥0.052

    • 24000+

      ￥0.051

    • 51000+

      ￥0.05
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:10V 电流:0.1uA@8V
    型号：MM3Z10 编号：C21547699
    封装：SOD-323
    品牌：DOWO(东沃)
    特性：低齐纳阻抗。 200mW功率耗散。 高稳定性和高可靠性

    • 50+

      ￥0.0801

    • 500+

      ￥0.0624

    • 3000+

      ￥0.0526
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:24V 电流:0.1uA@16.8V
    型号：BZT52C24S 编号：C571394
    封装：SOD-323
    品牌：High Diode(海德)
    特性：Pd 200mW-VZ 2.4V-43V。应用：稳定电压
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0817

    • 500+

      ￥0.0653

    • 3000+

      ￥0.053

    • 6000+

      ￥0.052

    • 24000+

      ￥0.051

    • 51000+

      ￥0.05
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@11V
    型号：MM3Z15 编号：C128716
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    15V 0.2W
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0819

    • 500+

      ￥0.0638

    • 3000+

      ￥0.0538
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:6.8V 电流:0.5uA@3.5V
    型号：MM3Z6V8 编号：C169482
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0831

    • 500+

      ￥0.0648

    • 3000+

      ￥0.0546
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:3.3V 电流:5uA
    型号：BZT52C3V3S 编号：C499797
    封装：SOD-323
    品牌：SMC(桑德斯)
    特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 通用型、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 有无铅版本。 这是一款无卤设备。 所有 SMC 部件可追溯到晶圆批次。 可根据要求提供额外测试
    数据手册

    • 20+

      ￥0.084318 ￥0.1794

    • 200+

      ￥0.052059 ￥0.1407

    • 600+

      ￥0.032184 ￥0.1192

    • 3000+

      ￥0.028701 ￥0.1063

    • 9000+

      ￥0.025704 ￥0.0952

    • 21000+

      ￥0.024057 ￥0.0891
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA
    型号：BZT52C15S 编号：C2886375
    封装：SOD-323
    品牌：CBI(创基)
    电流:0.1µA 电压:15V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0852

    • 500+

      ￥0.0669

    • 3000+

      ￥0.0543

    • 6000+

      ￥0.0482

    • 24000+

      ￥0.043

    • 51000+

      ￥0.0401
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:3.6V 电流:5uA@1V
    型号：BZT52C3V6S 编号：C7544566
    封装：SOD-323
    品牌：DOWO(东沃)
    特性：齐纳击穿阻抗低。 最大功率耗散200mW。 高稳定性和高可靠性

    • 50+

      ￥0.0856

    • 500+

      ￥0.0667

    • 3000+

      ￥0.0562

    • 6000+

      ￥0.0499

    • 21000+

      ￥0.0444

    • 42000+

      ￥0.0415
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:56V 电流:0.1uA@39V
    型号：BZT52C56S 编号：C7544606
    封装：SOD-323
    品牌：DOWO(东沃)
    特性：齐纳击穿阻抗低。 最大功率耗散200mW。 高稳定性和高可靠性

    • 50+

      ￥0.0856

    • 500+

      ￥0.0667

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    耐压:20V 电流:0.1uA@14V
    型号：BZT52C20S 编号：C7544584
    封装：SOD-323
    品牌：DOWO(东沃)
    特性：齐纳击穿阻抗低。 最大功率耗散200mW。 高稳定性和高可靠性

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    独立式 耐压:4.7V 电流:2uA@1V
    型号：MM3Z4V7 编号：C169485
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    0.9V,0.2W
    数据手册

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    BZT52C56S
    型号：BZT52C56S 编号：C51315199
    封装：SOD-323
    品牌：CBI(创基)

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