188V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMB5355A 编号：C7441040

封装：SMB

品牌：XCH(旭昌辉)

稳压值精度5%，低漏电流，适用于稳压和过压监测电路。

5+
￥0.6536
50+
￥0.5192
150+
￥0.452
500+
￥0.4016
3000+
￥0.3492
6000+
￥0.329

有货

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型号：SMA2Z3.3A 编号：C22391967

封装：SMA

品牌：YFW(佑风微)

特性：完整电压范围3.0至300伏。高反向峰值功耗。高可靠性。低泄漏电流。标准齐纳电压容差为±5%

5+
￥0.6557
50+
￥0.5165
150+
￥0.4469
500+
￥0.3947
2500+
￥0.3617

有货

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型号：SMAZ16-13-F 编号：C155528

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6637
50+
￥0.5173
150+
￥0.4441
500+
￥0.3892
2500+
￥0.3453
5000+
￥0.3233

有货

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型号：BZX84-B4V7,215 编号：C426829

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

低功耗电压调节二极管，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24的±1%、±2%和大约±5%公差范围。该系列包括37种击穿电压，标称工作电压从2.4 V到75 V。

数据手册

5+
￥0.6644
50+
￥0.5143
150+
￥0.4393
500+
￥0.383
3000+
￥0.338
6000+
￥0.3155

有货

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型号：TP1SMB5941BT3G 编号：C49452375

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率耗散（Pd）：3.0W。齐纳电压（Vz）：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6715
50+
￥0.528
150+
￥0.4562
500+
￥0.4024

有货

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型号：TP1SMB5940BT3G 编号：C49452374

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：Pd 3.0W。 Vz 3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6715
50+
￥0.528
150+
￥0.4562
500+
￥0.4024

有货

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型号：1SMA5918A 编号：C5293616

封装：SMAG

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

IZT(mA)73.5

数据手册

5+
￥0.6727
50+
￥0.5431
150+
￥0.4783
500+
￥0.4297
2500+
￥0.3909

有货

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型号：TP1SMB5953BT3G 编号：C49452387

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：Pd 3.0W。 Vz 3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6746
50+
￥0.5311
150+
￥0.4593
500+
￥0.4055

有货

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型号：TP1SMB5923BT3G 编号：C49452357

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率耗散（Pd）：3.0W。齐纳电压（Vz）：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6746
50+
￥0.5311
150+
￥0.4593
500+
￥0.4055

有货

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型号：TP1SMB5938BT3G 编号：C49452372

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率耗散Pd：3.0W。齐纳电压Vz：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6746
50+
￥0.5311
150+
￥0.4593
500+
￥0.4055

有货

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型号：TP1SMB5946BT3G 编号：C49452380

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率耗散：3.0W。齐纳电压：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6746
50+
￥0.5311
150+
￥0.4593
500+
￥0.4055

有货

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型号：TP1SMB5947BT3G 编号：C49452381

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：Pd 3.0W。 Vz 3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条表示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6746
50+
￥0.5311
150+
￥0.4593
500+
￥0.4055

有货

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型号：TP1SMB5939BT3G 编号：C49452373

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：Pd 3.0W。 Vz 3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6746
50+
￥0.5311
150+
￥0.4593
500+
￥0.4055

有货

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型号：TP1SMB5922BT3G 编号：C49452356

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：Pd 3.0W。 Vz 3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6746
50+
￥0.5311
150+
￥0.4593
500+
￥0.4055

有货

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型号：TP1SMB5927BT3G 编号：C49452361

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率耗散（Pd）：3.0W。齐纳电压（Vz）：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6746
50+
￥0.5311
150+
￥0.4593
500+
￥0.4055

有货

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型号：BZX585-B6V2,115 编号：C426826

封装：SOD-523(SC-79)

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD523 (SC-79)超小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

5+
￥0.7075
50+
￥0.6203
150+
￥0.5828
500+
￥0.5362
3000+
￥0.5112
6000+
￥0.4988

有货

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型号：SMAZ5V1-13-F 编号：C154748

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7319
50+
￥0.5873
150+
￥0.515
500+
￥0.4608
2500+
￥0.4059
5000+
￥0.3842

有货

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型号：1SMB5929B 编号：C688898

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.7643
50+
￥0.6059
150+
￥0.5267
500+
￥0.4673
3000+
￥0.4115
6000+
￥0.3878

有货

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型号：1SMB5934B 编号：C688910

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.775
50+
￥0.6169
150+
￥0.5378
500+
￥0.4785
3000+
￥0.4162
6000+
￥0.3925

有货

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型号：1SMA5919A 编号：C713639

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围 3.3 至 200 伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低漏电流

数据手册

5+
￥0.8084
50+
￥0.6546
150+
￥0.5777
500+
￥0.52
2500+
￥0.3768
5000+
￥0.3537

有货

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型号：1SMB5918BT3G 编号：C7422621

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：批量处理设计，出色的功率耗散提供更好的反向泄漏电流和热阻。齐纳反向电压范围宽，为3.3V至200V。小封装尺寸，适用于高密度应用。非常适合自动化组装过程。无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准

5+
￥0.8263
50+
￥0.6727
150+
￥0.5959
500+
￥0.5383
3000+
￥0.4282
6000+
￥0.4052

有货

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型号：3SMB5945B 编号：C2983227

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整的电压范围：3.3至240伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.8305
50+
￥0.6612
150+
￥0.5766
500+
￥0.5132
3000+
￥0.4203
6000+
￥0.395

有货

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型号：PBSS4350T-QVL 编号：C7508556

封装：CFP-3

品牌：Nexperia(安世)

NPN低VCEsat晶体管，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。PNP互补型号：PBSS5350T-Q

5+
￥0.857
50+
￥0.6794
150+
￥0.5906
500+
￥0.524
2500+
￥0.4707
5000+
￥0.444

有货

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型号：1N5386B 编号：C5334280

封装：DO-15

品牌：LGE(鲁光)

特性：硅平面功率齐纳二极管，用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%，添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差，其他齐纳电压和公差可按需提供

数据手册

5+
￥0.9318
50+
￥0.7416
150+
￥0.6465
500+
￥0.5751
3000+
￥0.4943
6000+
￥0.4657

有货

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型号：1SMA5934BT3G 编号：C94409

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0689
50+
￥0.8388
150+
￥0.7402
500+
￥0.6172
2500+
￥0.5259
5000+
￥0.4931

有货

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型号：1SMA5932BT3G 编号：C36389

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0737
50+
￥0.864
150+
￥0.7741
500+
￥0.6619
2500+
￥0.571
5000+
￥0.541

有货

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型号：1SMA5917BT3G 编号：C72594

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册