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首页 > 热门关键词 > 68V稳压二极管
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独立式 耐压:56V 电流:0.5uA
型号：1SMA5943BT3G 编号：C238876
封装：SMA
品牌：onsemi(安森美)
特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:39V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5939BT3G 编号：C238874
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:43V 电流:0.5uA@32.7V
    型号：1SMA5940BT3G 编号：C65696
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:8.2V 电流:2.5uA@6.5V
    型号：SZ1SMA5923BT3G 编号：C604742
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 ESD 等级：人体模型 3 级（>16kV）。 扁平操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 通过 AEC-Q101 认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:36V 电流:0.5uA@27.4V
    型号：1SMA5938BT3G 编号：C238873
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5932BT3G-MS 编号：C18547734
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5930BT3G-MS 编号：C18547732
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    33V 500nA
    型号：1SMA5937BT3G-MS 编号：C18547739
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    独立式 耐压:22V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5933BT3G 编号：C150051
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5916BT3G-MS 编号：C18547724
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5933BT3G-MS 编号：C18547735
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5925BT3G-MS 编号：C18547728
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

    • 10+

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    耐压:10V 电流:2.5uA@8V
    型号：SZ1SMA5925BT3G 编号：C896068
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5934BT3G-MS 编号：C18547736
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5935BT3G-MS 编号：C18547737
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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      ￥0.33364 ￥0.3512

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5918BT3G-MS 编号：C18547726
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

    • 10+

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5941BT3G-MS 编号：C18547743
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    型号：1SMA5928BT3G-MS 编号：C18547730
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    型号：1SMA5940BT3G-MS 编号：C18547742
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5939BT3G-MS 编号：C18547741
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5938BT3G-MS 编号：C18547740
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5936BT3G-MS 编号：C18547738
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    独立式 耐压:27V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5935BT3G 编号：C235764
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5913BT3G-MS 编号：C18547722
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5942BT3G-MS 编号：C18547744
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

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    独立式 耐压:47V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5941BT3G 编号：C238875
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 电流:1uA@34V
    型号：ZMY68 编号：C212741
    封装：DO-213AB
    品牌：DIOTEC(德欧泰克)
    68V 1.3W
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    耐压:15V 电流:0.5uA@11.4V
    型号：SZ1SMA5929BT3G 编号：C462962
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    耐压:3.3V 电流:50uA
    型号：SZ1SMA5913BT3G 编号：C896061
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:30V 电流:0.5uA@22.8V
    型号：SZ1SMA5936BT3G 编号：C604747
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。通过 AEC-Q101 认证，可提供生产件批准程序文件。SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件
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