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首页 > 热门关键词 > 43V稳压二极管
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描述
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硅平面齐纳二极管
型号：BZT52C5V6SW 编号：C3019297
封装：SOD-323W
品牌：晶导微电子
特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
数据手册

  • 50+

    ￥0.0845

  • 500+

    ￥0.066

  • 3000+

    ￥0.0557
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    独立式 耐压:6.2V 电流:3uA@4V
    型号：BZT52C6V2S 编号：C353511
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0873

    • 500+

      ￥0.0678

    • 3000+

      ￥0.0569
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C3V3SW 编号：C2838490
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0948

    • 500+

      ￥0.0753

    • 3000+

      ￥0.0587
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:27V 电流:0.1uA@18.9V
    型号：AD-BZX84C27 编号：C2975802
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：平面芯片结构。 齐纳电压从 2.4V 到 43V。 超小表面贴装封装，功率耗散 300mW。 通过 AEC-Q101 认证
    数据手册

    • 20+

      ￥0.152964 ￥0.2428

    • 200+

      ￥0.100965 ￥0.1905

    • 600+

      ￥0.069402 ￥0.1614

    • 3000+

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    • 21000+

      ￥0.051858 ￥0.1206
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:18V 电流:100nA@12.6V
    型号：BZT52C18S 编号：C353551
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0756

    • 500+

      ￥0.0585

    • 3000+

      ￥0.0489
  • 有货
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    独立式 耐压:36V 电流:0.1uA@25.2V
    型号：BZT52C36S 编号：C353533
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0775

    • 500+

      ￥0.06

    • 3000+

      ￥0.0503
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    耐压:3.6V 电流:5uA@1.0V
    型号：BZX84C3V6WQ 编号：C20167773
    封装：SOT-323(SC-70)
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级，无卤。 湿度敏感度等级1。 齐纳电压2.4V~43V。 Vz 公差约 ± 5%。 后缀为“Q”的型号表示符合AEC-Q101标准。应用：一般调节功能

    • 10+

      ￥0.2564

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      ￥0.206

    • 300+

      ￥0.1808
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    耐压:15V 电流:0.1uA@10.5V
    型号：BZX84C15WQ 编号：C20167752
    封装：SOT-323(SC-70)
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级，无卤。 湿度敏感度等级1。 齐纳电压2.4V~43V。 Vz 公差约 ± 5%。 后缀为“Q”的型号表示符合AEC-Q101标准。应用：一般调节功能

    • 10+

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    • 100+

      ￥0.206

    • 300+

      ￥0.1808
  • 有货
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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C3V9SW 编号：C4749090
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0739

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      ￥0.0487
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    独立式 耐压:3.6V 电流:5uA
    型号：BZT52C3V6S 编号：C353525
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0756

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    独立式 耐压:24V 电流:100nA@16.8V
    型号：BZT52C24S 编号：C353545
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

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    独立式 耐压:30V 电流:0.1uA
    型号：BZT52C30S 编号：C353537
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

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      ￥0.0511
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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C18SW 编号：C3019312
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0788

    • 500+

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      ￥0.0519
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    独立式 耐压:13V 电流:0.1uA
    型号：BZT52C13S 编号：C353557
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0844

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C36SW 编号：C4749095
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0952

    • 500+

      ￥0.0746

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      ￥0.061
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    独立式 耐压:24V 电流:0.1uA
    型号：AD-BZX84C24 编号：C2975643
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：平面芯片结构。 齐纳电压从2.4V到43V。 超小表面贴装封装，功耗300mW。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 20+

      ￥0.09712 ￥0.2428

    • 200+

      ￥0.05715 ￥0.1905

    • 600+

      ￥0.03228 ￥0.1614

    • 3000+

      ￥0.02878 ￥0.1439

    • 9000+

      ￥0.02576 ￥0.1288

    • 21000+

      ￥0.02412 ￥0.1206
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C6V2SW 编号：C3019295
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1065

    • 500+

      ￥0.0828

    • 3000+

      ￥0.0696
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    独立式 耐压:8.2V 电流:0.7uA
    型号：AD-BZX84C8V2 编号：C2975670
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：平面芯片结构。 齐纳电压从2.4V到43V。 超小表面贴装封装，功耗300mW。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 20+

      ￥0.131112 ￥0.2428

    • 200+

      ￥0.08382 ￥0.1905

    • 600+

      ￥0.054876 ￥0.1614

    • 3000+

      ￥0.048926 ￥0.1439

    • 9000+

      ￥0.043792 ￥0.1288

    • 21000+

      ￥0.041004 ￥0.1206
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:39V 电流:100nA@27.3V
    型号：BZT52C39S 编号：C353531
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0761

    • 500+

      ￥0.0596

    • 3000+

      ￥0.0504

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      ￥0.0449

    • 24000+

      ￥0.0401

    • 51000+

      ￥0.0375
  • 订货
    • 我要订货
    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C24SW 编号：C4749102
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0886

    • 500+

      ￥0.0692

    • 3000+

      ￥0.0584
  • 有货
    • 立即购买
    稳压二极管 耐压:3V 电流:10uA@1V
    型号：BZT52C3V0SW 编号：C4749092
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.09

    • 500+

      ￥0.0706

    • 3000+

      ￥0.0576
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C33SW 编号：C4749096
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.103

    • 500+

      ￥0.0793

    • 3000+

      ￥0.0661
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:33V 电流:0.1uA
    型号：BZT52C33S 编号：C353535
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0736

    • 500+

      ￥0.0573

    • 3000+

      ￥0.0483

    • 6000+

      ￥0.0429

    • 24000+

      ￥0.0382

    • 51000+

      ￥0.0356
  • 订货
    • 我要订货
    独立式 耐压:20V 电流:0.1uA@14V
    型号：BZT52C20S 编号：C353549
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.074

    • 500+

      ￥0.0578

    • 3000+

      ￥0.0488
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:27V 电流:0.1uA@18.9V
    型号：BZT52C27S 编号：C353543
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0824

    • 500+

      ￥0.0651

    • 3000+

      ￥0.0513

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      ￥0.0456

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      ￥0.0379
  • 订货
    • 我要订货
    独立式 耐压:22V 电流:100nA@15.4V
    型号：BZT52C22S 编号：C353547
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0848

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      ￥0.0665

    • 3000+

      ￥0.0546
  • 有货
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    独立式 耐压:11V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZT52C11S 编号：C353561
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.097

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      ￥0.061
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    稳压二极管 耐压:11V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZT52C11SW 编号：C4749106
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1057

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      ￥0.0819

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      ￥0.0661
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C20SW 编号：C4749104
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1057

    • 500+

      ￥0.0819

    • 3000+

      ￥0.0661
  • 有货
    • 立即购买
    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C30SW 编号：C4749097
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1057

    • 500+

      ￥0.0819

    • 3000+

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