40V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

该电压基准芯片可提供最高36V的输入电压耐受能力，基准输出电流达100mA，支持外部电阻对输出电压进行精确调节，适用于需要稳定参考电压的模拟与混合信号系统。其具备良好的温度稳定性和低动态输出阻抗，能够在宽输入范围内保持高精度输出。常用于电源管理、数据采集模块及ADC/DAC参考源电路中，适用于通信设备、便携式仪器及高精度电子装置中的可调稳压与基准参考应用。

10+
￥0.3718
100+
￥0.295
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型号：MMBT3904-QR 编号：C7508497

封装：SC-70

品牌：Nexperia(安世)

NPN开关晶体管，采用小型SOT23 (SC-70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号为MMBT3906。

20+
￥0.2118
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型号：HPZR-C47X 编号：C6054147

封装：SOD-123W

品牌：Nexperia(安世)

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￥1.4555
200+
￥0.5808
500+
￥0.5614
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型号：HPZR-C47-QX 编号：C6631877

封装：SOD-123W

品牌：Nexperia(安世)

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￥1.537
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￥0.6133
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￥0.5928
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型号：CMOZ43L TR PBFREE 编号：C5970149

封装：SOD-523

品牌：Central(中环)

1+
￥2.8005
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￥1.1175
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￥1.0801
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型号：1SS389 编号：C5766547

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管专为高效能应用设计，具有0.35A的正向电流IF，适用于多种电子设备中的整流与保护功能。其反向电压VR可达40V，确保在常见应用场景下的可靠性。正向电压VF仅为0.6V，有效降低了能量损耗，提升了电路效率。反向漏电流IR低至5uA，减少了不必要的能耗。此外，该二极管的非重复峰值正向浪涌电流IFSM高达2A，增强了对瞬时过载的承受能力。此款二极管非常适合应用于需要高效电能转换及精细电源管理的消费电子产品中。

20+
￥0.11718 ￥0.1302
200+
￥0.09189 ￥0.1021
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￥0.07785 ￥0.0865
3000+
￥0.06948 ￥0.0772
9000+
￥0.06219 ￥0.0691
21000+
￥0.05823 ￥0.0647

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型号：SD103AX 编号：C5766558

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流IF为0.35A，最大反向电压VR为40V。其正向压降VF为0.6V，在40V反向电压下漏电流IR仅为5μA，表现出优异的低功耗特性。器件可承受2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对体积和效率敏感的小功率整流、信号检波及电源管理等电路，尤其适合便携式或低电流应用场景。

50+
￥0.1252
500+
￥0.0982
3000+
￥0.0832

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型号：1SS388 编号：C5766546

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于高频整流、信号解调、电源极性保护及低功耗电子设备中的续流与箝位功能。