39V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-123

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。宽齐纳反向电压范围：2.4 V至110 V。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。通用型，中等电流。人体模型静电放电等级3（>16 kV）。产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力

20+
￥0.1903
200+
￥0.1492
600+
￥0.1264

有货

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型号：TZMB39-GS08 编号：C413430

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。 VZ 公差 ±5%（TZMC）。 VZ 公差 ±2%（TZMB）。应用：电压稳定

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单价：
￥0.446106 / 个

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型号：AZ23C39-7-F 编号：C5126675

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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5+
￥0.5921
50+
￥0.4781
150+
￥0.4211

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型号：1SMB5939BT3G 编号：C61200

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥0.9412
50+
￥0.9176
150+
￥0.9018

有货

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型号：1N5366BG 编号：C898896

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥2.71
10+
￥2.15
30+
￥1.91
100+
￥1.61

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型号：MMSZ39VCW 编号：C248752

封装：SOD-123

品牌：TC(德昌)

39V,500mW

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50+
￥0.057592 ￥0.1252
500+
￥0.035352 ￥0.0982
3000+
￥0.021632 ￥0.0832
6000+
￥0.019292 ￥0.0742
24000+
￥0.017264 ￥0.0664
51000+
￥0.016172 ￥0.0622

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型号：BZT52B39 编号：C46532422

封装：SOD-123

品牌：POPPULA(宝浦莱)

50+
￥0.0952
500+
￥0.0746
3000+
￥0.0632

有货

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型号：MM1Z39W 编号：C2856875

封装：SOD-123W

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于对高精度电压调节及良好热效能有要求的小型化电路设计。

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50+
￥0.1139
500+
￥0.0896
3000+
￥0.068
6000+
￥0.0599
24000+
￥0.0529
45000+
￥0.0491

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型号：GDZJ39B_AY_10001 编号：C188551

封装：DO-34

品牌：PANJIT(强茂)

39V 500mW

数据手册

20+
￥0.1513
200+
￥0.1189
600+
￥0.1009
5000+
￥0.0901
10000+
￥0.0808
20000+
￥0.0757

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型号：MMBZ5259B-7-F 编号：C5244943

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

10+
￥0.1608
100+
￥0.1577
300+
￥0.1556

有货

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型号：BZX84C39Q-7-F 编号：C7224155

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

10+
￥0.1899
100+
￥0.1854
300+
￥0.1824

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型号：BZT52HC39WF-7 编号：C5244725

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

特性：扁平引脚封装设计，实现低外形和高功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，为“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性

10+
￥0.2008
100+
￥0.196
300+
￥0.1928

有货

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型号：TZMC39-GS08 编号：C3735241

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。TZMC：Vz 容差 ±5%。TZMB：Vz 容差 ±2%。应用：电压稳定

20+
￥0.2436
200+
￥0.1968
600+
￥0.1708

有货

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型号：DZ23C39-7-F 编号：C5244880

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

5+
￥0.2639
50+
￥0.2577
150+
￥0.2536

有货

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型号：BZX84C39W-7-F 编号：C5248724

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

10+
￥0.2819
100+
￥0.2764
300+
￥0.2727

有货

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型号：MMSZ39T1G 编号：C152483

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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