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描述

价格(含税)

库存

操作

BZT52C51W

型号：BZT52C51W 编号：C51814187

封装：SOD-123

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.0857
500+
￥0.0663
3000+
￥0.0555
6000+
￥0.049

有货

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51V 1uA@39V

型号：TP1SMA5942BT3G 编号：C49274802

封装：SMA

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：总功耗：最大1.5W。宽齐纳反向电压范围：3.6V至200V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装

10+
￥0.4377
100+
￥0.3441
300+
￥0.2973
1000+
￥0.2622

有货

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51V 1uA@39V

型号：SMAZ51-TP 编号：C49274878

封装：SMA

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：总功耗：最大1.5W。宽齐纳反向电压范围：3.6V至200V。适合表面贴装设计的小型塑料封装

10+
￥0.3657
100+
￥0.2865
300+
￥0.2469
1000+
￥0.2172

有货

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硅平面齐纳二极管

型号：BZT52C51 编号：C216736

封装：SOD-123

品牌：SHIKUES(时科)

51V 0.5W

数据手册

50+
￥0.0958
500+
￥0.0746
3000+
￥0.0629
6000+
￥0.0558
24000+
￥0.0497
51000+
￥0.0464

有货

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硅平面齐纳二极管

型号：MM1Z51B 编号：C382829

封装：SOD-123

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大500mW。宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。公差约±2%

数据手册

50+
￥0.1012
500+
￥0.0791
3000+
￥0.0667

有货

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齐纳二极管，2.0 - 120V，1W

型号：RD51FM 编号：C3015372

封装：DO-214AC(SMA)

特性：完整的2.0至120伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流。无铅/符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.5779
50+
￥0.5119
150+
￥0.4789
500+
￥0.4541
2500+
￥0.4343

有货

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MM1Z51

型号：MM1Z51 编号：C51315387

封装：SOD-123

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.0428
500+
￥0.0418
3000+
￥0.0411

有货

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耐压:51V 电流:1uA@39V

型号：MM1Z51W 编号：C2856878

封装：SOD-123W

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适合对电压精度和热稳定性要求高的电路设计，是高电压电源管理的理想之选。

数据手册

50+
￥0.11
500+
￥0.0857
3000+
￥0.0722
6000+
￥0.0641
24000+
￥0.0571
45000+
￥0.0533

有货

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耐压:51V 电流:0.1uA@39V

型号：MM3Z51W 编号：C2856998

封装：SOD-323W

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于各类高精度稳压及电路保护应用场景，以卓越性能，满足您的电路设计需求。

数据手册

50+
￥0.1176
500+
￥0.0906
3000+
￥0.0756
6000+
￥0.0666
24000+
￥0.0588
45000+
￥0.0545

有货

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BZT52C51S

型号：BZT52C51S 编号：C51315198

封装：SOD-323

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.0414
500+
￥0.0403
3000+
￥0.0396

有货

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51V 1uA@39V

型号：MM5Z51 编号：C51814204

封装：SOD-523

品牌：CBI(创基)

特性：标准齐纳击穿电压范围：2.0V 至 75V。稳态功率额定值：200mW

50+
￥0.0524
500+
￥0.0512
3000+
￥0.0503

有货

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耐压:56V 电流:0.1uA@39V

型号：BZT52C56-MS 编号：C41383970

封装：SOD-123

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款齐纳二极管广泛用于电源电路，用于稳压和过压保护，电源储能、工控电路、通讯设备、智能控制

20+
￥0.0688
200+
￥0.0672
600+
￥0.0662
2000+
￥0.0651

有货

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51V 1uA@39V

型号：MM3Z51 编号：C23791870

封装：SOD-323

品牌：HT(金誉)

特性：总功率耗散：最大300 mW。小型塑料封装，适合表面贴装设计。公差约 ±5%

50+
￥0.059
500+
￥0.0577
3000+
￥0.0568

有货

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独立式耐压:51V 电流:1uA@39V

型号：BZT52C51 编号：C5223652

封装：SOD-123W

品牌：Slkor(萨科微)

特性：总功率耗散：最大500mW。宽齐纳反向电压范围2.4V至51V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。公差约±5%

数据手册

3000+
￥0.0624
9000+
￥0.0598
27000+
￥0.05824
36000+
￥0.0572

我要订货

耐压:51V 电流:1uA@39V

型号：MM1Z51W 编号：C3019271

封装：SOD-123W

品牌：晶导微电子

特性：总功耗：最大500mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。适合表面贴装设计的小型塑料封装。公差约为±5%

数据手册

50+
￥0.0868
500+
￥0.0679
3000+
￥0.0574

有货

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独立式耐压:51V 电流:0.1uA@39V

型号：1N5262B-TR 编号：C3000862

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。标准齐纳电压公差：订购代码中带“B”后缀的为±5%，带“C”后缀的为±2%。该二极管也有MiniMELF封装（型号为TZM5221至TZM5267）、SOT-23封装（型号为MMBZ5225至MMBZ5267）和SOD-123封装（型号为MMSZ5225至MMSZ5267）。应用：电压稳定

数据手册

10+
￥0.2903
100+
￥0.2263
300+
￥0.1943
1000+
￥0.1702

有货

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耐压:51V 电流:1uA@39V

型号：MM1Z51V 编号：C41425408

封装：SOD-123

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：总功耗：最大500mW。宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。适合表面贴装设计的小型塑料封装。公差约为±5%

单价：
￥0.0437 / 个

我要订货

51V 1uA@39V

型号：BZT52C51 编号：C41425407

封装：SOD-123

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：总功耗：最大500mW。宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。公差约 ±5%

单价：
￥0.0437 / 个

我要订货

51V 1uA@39V

型号：MM1Z51 编号：C26338138

封装：SOD-123

品牌：HT(金誉)

特性：总功耗：最大500 mW。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。公差约为 ±5%

50+
￥0.059
500+
￥0.0577
3000+
￥0.0568

有货

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耐压:51V 电流:0.1uA@39V

型号：MM3Z51W 编号：C4749036

封装：SOD-323W

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大300mW。宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。公差约为±5%

数据手册

50+
￥0.0883
500+
￥0.0694
3000+
￥0.0568

有货

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耐压:56V 电流:0.1uA@39V

型号：BZT52C56S 编号：C7544606

封装：SOD-323

品牌：DOWO(东沃)

特性：齐纳击穿阻抗低。最大功率耗散200mW。高稳定性和高可靠性

50+
￥0.0856
500+
￥0.0667
3000+
￥0.0562
6000+
￥0.0499
21000+
￥0.0444
42000+
￥0.0415

有货

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独立式耐压:51V 电流:0.1uA@39V

型号：LMSZ5262BT1G 编号：C883188

封装：SOD-123

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。宽齐纳反向电压范围：2.4 V至110 V。专为优化自动电路板组装而设计的封装。小封装尺寸，适用于高密度应用。通用、中等电流。人体模型静电放电等级为3级（>16 kV）。产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力

数据手册

20+
￥0.1591
200+
￥0.1281
600+
￥0.1108

有货

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硅平面齐纳二极管

型号：MM3Z51 编号：C118622

封装：SOD-323

品牌：ST(先科)

51V 0.3W

数据手册

10+
￥0.2388
100+
￥0.1905
300+
￥0.1663

有货

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独立式耐压:51V 电流:0.1uA@39V

型号：MM3Z51 编号：C438345

封装：SOD-323

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大300mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。适合表面贴装设计的小型塑料封装。公差约为±5%

数据手册

50+
￥0.1212
500+
￥0.0952
3000+
￥0.0756

有货

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独立式耐压:51V 电流:0.1uA@39V

型号：MMSZ5262A_R1_00001 编号：C263328

封装：SOD-123

品牌：PANJIT(强茂)

特性：平面芯片结构。500mW 功率耗散。非常适合自动化组装过程。符合欧盟 RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU 指令) 的无铅产品。符合 IEC61249 标准的绿色模塑料 (无卤素)

数据手册

20+
￥0.167
200+
￥0.1325
600+
￥0.1133

有货

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耐压:51V 电流:1uA@39V

型号：MM1Z51BW 编号：C4749063

封装：SOD-123W

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大500mW。齐纳反向电压范围宽：2.0V至75V。小型塑料封装，适合表面贴装设计。公差约为±2%

数据手册

50+
￥0.1094
500+
￥0.0851
3000+
￥0.0716

有货

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独立式耐压:51V 电流:0.1uA@39V

型号：MMSZ5262B_R1_00001 编号：C263329

封装：SOD-123

品牌：PANJIT(强茂)

特性：平面芯片结构。 500mW 功率耗散。非常适合自动化组装过程。符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品。符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料

数据手册

20+
￥0.1696
200+
￥0.1361
600+
￥0.1175

有货

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硅平面齐纳二极管

型号：MM1Z51 编号：C107457

封装：SOD-123

品牌：ST(先科)

硅平面齐纳二极管

数据手册

1+
￥0.2263
10+
￥0.1775
30+
￥0.1504
100+
￥0.1341

有货

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耐压:51V 电流:0.1uA@39V

型号：MM3Z51-MS 编号：C22459437

封装：SOD-323

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款齐纳二极管，额定齐纳电压（Vz）: 51V，VZT电压范围：48V-54V,以低功耗：200mW,仅0.1uA反向电流，稳定的性能适应于：如手机、平板电脑和其他便携式电子设备等领域。

20+
￥0.0876
200+
￥0.0855
600+
￥0.0842
3000+
￥0.0829

订货

我要订货

独立式耐压:51V 电流:0.1uA@39V

型号：SZMMSZ5262BT1G 编号：C894699

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

5+
￥0.8665
50+
￥0.8472
150+
￥0.8344

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

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