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1W稳压二极管耐压:36V 电流:5uA

型号：1N4753APF 编号：C22393392

封装：DO-41

品牌：ST(先科)

1W稳压二极管耐压:36V 电流:5uA

25+
￥0.193
250+
￥0.1504
750+
￥0.1267

有货

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独立式耐压:36V 电流:0.1uA

型号：BZT52C36-7-F 编号：C124189

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.239
200+
￥0.1959
600+
￥0.1719

有货

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1对共阳极耐压:36V 电流:100nA@27V

型号：AZ23C36-7-F 编号：C151558

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.3285
100+
￥0.2718
300+
￥0.2435

有货

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独立式耐压:36V 电流:0.2uA

型号：PLZ36D-G3/H 编号：C3729148

封装：MicroSMF(DO-219AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管，超小超薄 MicroSMF (DO-219AC) 封装。低泄漏电流。出色的稳定性。高温焊接：端子处 260℃ / 10 s。可进行波峰焊和回流焊（回流焊符合 JPC / JEDEC J-STD 020，双波峰焊符合 IEC 61760-1）。可提供 AEC-Q101 认证。基础型号 G3-符合 RoHS 标准，环保，工业级。基础型号 HG3-符合 RoHS 标准，环保，AEC-Q101 认证。 ESD 抗扰度符合 IEC 61000-4-2（根据零件表）。浪涌性能符合零件表

10+
￥0.373
100+
￥0.2985
300+
￥0.2612
1000+
￥0.2333

有货

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耐压:36V 电流:0.1uA@27V

型号：MMSZ5258BQ-7-F 编号：C5205157

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.3994
100+
￥0.3195
300+
￥0.2795

有货

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独立式耐压:36V 电流:0.045uA@25.2V

型号：MM3Z36VB 编号：C891607

封装：SOD-323FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：宽齐纳电压范围选择，2.4V 至 75V。 VZ 公差选择为 ±2% B 系列。非常小且薄的表面贴装器件（SMD）封装。哑光镀锡（Sn）表面处理，无铅

数据手册

10+
￥0.4461
100+
￥0.357
300+
￥0.3124

有货

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耐压:36V 电流:27.4uA@75V

型号：SMB3Z36A 编号：C5162183

封装：SMB

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除。低电感。高峰值反向功耗。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.285
50+
￥1.0179
250+
￥0.9034
500+
￥0.7606
2500+
￥0.697
5000+
￥0.6588

有货

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独立式耐压:36V 电流:0.1uA@27V

型号：MM3Z36 编号：C382868

封装：SOD-323

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大300mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。适合表面贴装设计的小型塑料封装。公差约为±5%

数据手册

50+
￥0.0691
500+
￥0.0538
3000+
￥0.0453
6000+
￥0.0402
24000+
￥0.0358
51000+
￥0.0334

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硅平面齐纳二极管

型号：MM3Z36W 编号：C3019205

封装：SOD-323W

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大300mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。小型塑料封装，适合表面贴装设计。公差约为±5%

数据手册

50+
￥0.0921
500+
￥0.0717
3000+
￥0.0581

有货

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36V 100nA

型号：BZT52B36 编号：C5805660

封装：SOD-123

品牌：XZT(信展通)

特性：平面芯片结构。通用型，中等电流。非常适合自动化组装过程。有无铅版本

50+
￥0.1137
500+
￥0.0894
3000+
￥0.0722
6000+
￥0.059613 ￥0.0641
24000+
￥0.053103 ￥0.0571
51000+
￥0.049569 ￥0.0533

有货

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耐压:36V 电流:0.1uA@27V

型号：MM3Z36BW 编号：C4749046

封装：SOD-323W

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大300mW。宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。适合表面贴装设计的小型塑料封装。公差约±2%

数据手册

50+
￥0.1153
500+
￥0.0893
3000+
￥0.0721

有货

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独立式耐压:36V 电流:0.1uA@25.2V

型号：BZX84C36W 编号：C968268

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：YANGJIE(扬杰)

BZX84C36W-F2-0000HF

数据手册

20+
￥0.1482
200+
￥0.1198
600+
￥0.104

有货

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耐压:36V 电流:0.1uA

型号：MMSZ5258B-TP 编号：C5452793

封装：SOD-123

品牌：MCC(美微科)

特性：齐纳电压范围：2.4V-75V。 VZ 公差：±5%。平面芯片结构。人体模型静电放电额定值：16KV。无卤“绿色”器件。湿度敏感度等级：1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅表面处理/符合RoHS标准

20+
￥0.1984
200+
￥0.1576
600+
￥0.135

有货

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独立式耐压:36V 电流:5uA

型号：1N4753A-TAP 编号：C241986

封装：DO-204AL(DO-41)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳定和限幅电路。标准齐纳电压容差为±5%。通过AEC-Q101认证。应用：电压稳定

数据手册

10+
￥0.2303
100+
￥0.2258
300+
￥0.2228
1000+
￥0.2198

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稳压二极管耐压:36V 电流:5uA@27V

型号：MM1W36L 编号：C5155239

封装：SOD-123FL

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大1W。宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。适合表面贴装设计的小型塑料封装

数据手册

20+
￥0.2399
200+
￥0.1881
600+
￥0.1594

有货

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独立式耐压:36V 电流:0.05uA

型号：MM5Z36VT1G 编号：C891655

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

数据手册

63000+
￥0.15612
126000+
￥0.153518
252000+
￥0.149615
504000+
￥0.14311

我要订货

独立式耐压:36V 电流:0.1uA

型号：TZMB36-GS08 编号：C3732532

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。TZMC：Vz 容差 ±5%。TZMB：Vz 容差 ±2%。应用：电压稳定

10+
￥0.2692
100+
￥0.2154
300+
￥0.1884

有货

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耐压:36V 电流:0.1uA@27V

型号：CZRF52C36-HF 编号：C6170495

封装：1005(SOD-323F)

品牌：Comchip(典琦)

特性：350mW 功率耗散。 2-39V 高电压。设计用于小表面安装。极薄/无引线封装。无铅产品

10+
￥0.3442
100+
￥0.2722
300+
￥0.2362
1000+
￥0.2092
4000+
￥0.1687

有货

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1对共阳极耐压:36V 电流:0.1uA@27V

型号：AZ23C36_R1_00001 编号：C268441

封装：SOT-23

品牌：PANJIT(强茂)

特性：双齐纳二极管采用共阳极配置。功率耗散额定值为300mW。齐纳电压范围为2.4~51V。非常适合自动插入。有共阴极样式可供选择（参见DZ系列）。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。采用符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）

数据手册

10+
￥0.456
100+
￥0.3687
300+
￥0.325

有货

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硅平面齐纳二极管

型号：MM3Z36 编号：C118619

封装：SOD-323

品牌：ST(先科)

36V 0.3W

数据手册

50+
￥0.1132
500+
￥0.0889
3000+
￥0.0694
6000+
￥0.0613
24000+
￥0.0542
51000+
￥0.0505

订货

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硅平面齐纳二极管

型号：1N5258BPF 编号：C7497660

封装：DO-35

品牌：ST(先科)

硅平面齐纳二极管

50+
￥0.1247
500+
￥0.0921
1500+
￥0.0771

有货

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停产独立式耐压:36V 电流:0.1uA@27V

型号：ZMM5258B 编号：C118710

封装：LL-34

品牌：ST(先科)

此料号已停产，后续升级为无铅玻璃料号ZMM5258BPF,升级产品性能品质不变

数据手册

20+
￥0.1558
200+
￥0.1212
600+
￥0.1021

有货

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耐压:36V 电流:0.05uA

型号：MMSZ36T1G 编号：C236212

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。

数据手册

20+
￥0.1854
200+
￥0.1455
600+
￥0.1234

有货

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独立式耐压:36V 电流:0.1uA@25.2V

型号：BZX84C36-7-F 编号：C460821

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

20+
￥0.2116
200+
￥0.1695
600+
￥0.1462

有货

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1SMA4753A

型号：1SMA4753A 编号：C5293646

封装：SMAG

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

IZT(mA)7

数据手册

10+
￥0.2277
100+
￥0.222
300+
￥0.2183

有货

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稳压二极管

型号：BZX84-C36,215 编号：C454933

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

36V 250mW

数据手册

20+
￥0.316
200+
￥0.2698
600+
￥0.2442
3000+
￥0.2288
9000+
￥0.2154
21000+
￥0.2083

订货

我要订货

独立式耐压:36V 电流:50nA@25.2V

型号：SZBZX84C36LT1G 编号：C463425

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

数据手册

10+
￥0.3251
100+
￥0.2563
300+
￥0.2219
3000+
￥0.1844
6000+
￥0.1638
9000+
￥0.1535

有货

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MMSZ5258B-E3-08

型号：MMSZ5258B-E3-08 编号：C3729647

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.3805
50+
￥0.372
150+
￥0.3664
500+
￥0.3607

有货

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BZT52C36

型号：BZT52C36 编号：C53058744

封装：SOD-123

品牌：luJing(鲁晶)

50+
￥0.0485
500+
￥0.0475
3000+
￥0.0468

有货

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独立式耐压:36V 电流:0.1uA@27V

型号：BZT52-C36S-AU_R1_00001 编号：C2901405

封装：SOD-323

品牌：PANJIT(强茂)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4~75V。非常适合自动化组装工艺。通过 AEC-Q101 认证。符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品。采用符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料

数据手册

20+
￥0.0851
200+
￥0.0833
600+
￥0.0821
2000+
￥0.0808

有货

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