33V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1N4752A-G_AY_10001 编号：C391344

封装：DO-41G

品牌：PANJIT(强茂)

特性：低电感。高温焊接：端子在260℃下可承受110秒。玻璃封装，具有保险商实验室易燃性分类。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

数据手册

2500+
￥0.114
7500+
￥0.10925
22500+
￥0.1064
30000+
￥0.1045

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型号：MMBZ5257BS-7-F 编号：C6227744

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。超小型表面贴装封装中的双隔离齐纳二极管。非常适合自动化组装过程。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

5+
￥0.4959
50+
￥0.4841
150+
￥0.4762

有货

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型号：BZX84C33S-7-F 编号：C5566682

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

5+
￥0.5406
50+
￥0.5277
150+
￥0.5191

有货

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型号：MMBZ5257BT-7-F 编号：C7303337

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。平面芯片结构。通用型。非常适合自动化组装工艺。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

5+
￥0.7499
50+
￥0.7354
150+
￥0.7257

有货

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型号：ZMY33-GS08 编号：C6939235

封装：DO-213AB

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于具有高功率额定值的稳定和限幅电路。齐纳电压根据国际E 24标准分级。可根据要求提供更小的电压容差。这些二极管也有DO-41封装，型号为ZPY3V9至ZPY75

单价：
￥1.930266 / 个

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型号：BZX84C33 编号：C5244778

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥2.1314
50+
￥1.6717
150+
￥1.4957

有货

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型号：BZT52B33JS-TP 编号：C914287

封装：SOD-323

品牌：MCC(美微科)

特性：标准Vz公差：±2%。平面芯片结构。 200mW功率耗散。非常适合自动化组装过程。无卤“绿色”器件。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅涂层/符合RoHS标准

数据手册

1+
￥2.54
10+
￥2.03
30+
￥1.82

有货

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型号：BZT52C33 编号：C699150

封装：SOD-123

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：高可靠性。非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。齐纳电压2.4V~75V

数据手册

50+
￥0.1236
500+
￥0.0974
3000+
￥0.0778
6000+
￥0.0691
24000+
￥0.0615
51000+
￥0.0574

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型号：BZT52B33 编号：C25836768

封装：SOD-123

品牌：YFW(佑风微)

20+
￥0.1317
200+
￥0.1014
600+
￥0.0846
3000+
￥0.0762
9000+
￥0.0675
21000+
￥0.0628

订货

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型号：BZX84B33 编号：C41382575

封装：SOT-23

品牌：YFW(佑风微)

20+
￥0.1364
200+
￥0.105
600+
￥0.0876
3000+
￥0.0789
9000+
￥0.0699
21000+
￥0.065

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型号：MMSZ5257A_R1_00001 编号：C2919037

封装：SOD-123

品牌：PANJIT(强茂)

特性：平面芯片结构。500mW 功率耗散。非常适合自动化组装过程。符合欧盟 RoHS 2.0 的无铅产品。符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料

数据手册

20+
￥0.1614
200+
￥0.1269
600+
￥0.1077
3000+
￥0.0961
9000+
￥0.0862
21000+
￥0.0808

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型号：SZ33VGD322 编号：C49207652

封装：SOD-323

品牌：SSGSEMI(世晶半导体)

特性：总功耗：最大500mW。宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。非常适合自动化组装过程

20+
￥0.1627
200+
￥0.1276
600+
￥0.1081

有货

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型号：SZ33VGD522 编号：C49207615

封装：SOD-523

品牌：SSGSEMI(世晶半导体)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.0-75V

20+
￥0.1878
200+
￥0.1473
600+
￥0.1248

有货

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型号：LBZT52B33T1G 编号：C2972804

封装：SOD-123

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：500mW功率耗散。适用于表面贴装应用。齐纳击穿电压范围为2.0V至36V。提供无铅封装

数据手册

55+
￥0.167688
100+
￥0.161478
500+
￥0.134136
1000+
￥0.114264
2000+
￥0.111283

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型号：CDZVT2R33B 编号：C3733361

封装：SOD-923

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小封装类型。应用：电压调节

5+
￥0.2926
50+
￥0.2852
150+
￥0.2803

有货

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型号：DFLZ33Q-7 编号：C6831809

封装：PowerDI123

品牌：DIODES(美台)

特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。大型外露焊盘和散热片，具备卓越的热性能。专利联锁夹设计，具备高浪涌能力，美国专利号 #7,095,113。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。可提供生产件批准程序（PPAP）文件

5+
￥1.3519
50+
￥1.3245
150+
￥1.3063

有货

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型号：BZX84C33VLFHT116 编号：C5336615

封装：SOT-23

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小封装类型。应用：电压调节

数据手册

5+
￥1.451
50+
￥1.1546
150+
￥1.0276

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型号：SMAZ33-13-F 编号：C211413

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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单价：
￥0.561541 / 个

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型号：SZAF33A 编号：C2842088

封装：SMA-FL

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：1W SMA-FL齐纳电压调节二极管。塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。产品材料符合RoHS要求。用于过压保护。保证260℃/10秒高温焊接。 IEC61000-4-2 ESD空气接触≥±15kV。 MSL：1。产品材料符合RoHS要求且无卤。 Vz公差：±5%（Ta = 25℃）。 Vfmax = 1.2V（IF = 200mA）。 P = 1W

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