17.5V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1SMA5929A 编号：C2980865

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：Slkor(萨科微)

特性：小电流下的齐纳阻抗低。高可靠性。耐焊接热：260°C / 10S

数据手册

10+
￥0.3819
100+
￥0.3071
300+
￥0.2696
1000+
￥0.2415
5000+
￥0.1946
10000+
￥0.1833

有货

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型号：1SMA4730A 编号：C5455734

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。薄型封装，内置应力消除。玻璃钝化结。低电感。典型值：高于11V时小于5.0μA。保证高温焊接：端子在260°C下保持10秒。塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级

10+
￥0.40356 ￥0.4484
100+
￥0.3258 ￥0.362
300+
￥0.28692 ￥0.3188
1000+
￥0.25776 ￥0.2864
5000+
￥0.20205 ￥0.2245
10000+
￥0.19044 ￥0.2116

有货

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型号：BZT52C3V3T-7 编号：C151563

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

10+
￥0.422
100+
￥0.3435
300+
￥0.3042
3000+
￥0.2748
6000+
￥0.2512
9000+
￥0.2394

有货

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型号：TP1SMA5944BT3G 编号：C49274804

封装：SMA

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：总功耗：最大1.5W。宽齐纳反向电压范围：3.6V至200V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装

10+
￥0.4406
100+
￥0.347
300+
￥0.3002
1000+
￥0.2651
5000+
￥0.237

有货

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型号：PTZTE256.2B-MS 编号：C22459364

封装：SMA

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款1W稳压管采用SMA封装，稳压值(标称值): 6.2V，他稳压值(范围为6.2V-7V)，具备低静态电流特性，广泛适用于移动通信设备、嵌入式系统、仪表仪器、DC-DC转换器的基准电压源、以及各种需要高精度电压稳压的场合。

10+
￥0.44821 ￥0.4718
100+
￥0.35701 ￥0.3758
300+
￥0.31141 ￥0.3278
2000+
￥0.27721 ￥0.2918
4000+
￥0.24985 ￥0.263
10000+
￥0.23617 ￥0.2486

有货

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型号：1N4734A-TAP 编号：C241984

封装：DO-41 (DO-204AL)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳定和限幅电路。标准齐纳电压容差为±5%。通过AEC-Q101认证。应用：电压稳定

数据手册

5+
￥0.4699
50+
￥0.3672
150+
￥0.3159
500+
￥0.26353 ￥0.2774
2500+
￥0.23427 ￥0.2466
5000+
￥0.21964 ￥0.2312

有货

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型号：1N4750A-TAP 编号：C241993

封装：DO-204AL(DO-41)

品牌：VISHAY(威世)

27V,1.3W

数据手册

5+
￥0.4848
50+
￥0.3848
150+
￥0.3348
500+
￥0.2973
2500+
￥0.2672
5000+
￥0.2522

有货

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型号：BZX84-C6V2,215 编号：C131668

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

低功耗电压调节二极管，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24的±1%、±2%和大约±5%公差范围。该系列包括37种击穿电压，标称工作电压从2.4 V到75 V。

数据手册

5+
￥0.4933
50+
￥0.3973
150+
￥0.3493
500+
￥0.3133
3000+
￥0.2834
6000+
￥0.269

有货

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型号：1SMB5924B 编号：C22393404

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BORN(伯恩半导体)

3W SMB封装贴片稳压管

5+
￥0.4986
50+
￥0.393
150+
￥0.3402
500+
￥0.3006
2500+
￥0.2623
5000+
￥0.2464

有货

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型号：1SMB5921B 编号：C713656

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.51489 ￥0.5721
50+
￥0.41094 ￥0.4566
150+
￥0.35892 ￥0.3988
500+
￥0.31986 ￥0.3554
3000+
￥0.27027 ￥0.3003
6000+
￥0.2547 ￥0.283

有货

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型号：BZX384B9V1-E3-08 编号：C241956

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

9.1V,200mW

数据手册

10+
￥0.5181
100+
￥0.4221
300+
￥0.3741
3000+
￥0.28804 ￥0.3032
6000+
￥0.26068 ￥0.2744
9000+
￥0.247 ￥0.26

有货

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型号：1SMA5922A 编号：C330254

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围3.3至240伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流。无铅/符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.52695 ￥0.5855
50+
￥0.41895 ￥0.4655
150+
￥0.36495 ￥0.4055
500+
￥0.32445 ￥0.3605
2500+
￥0.27288 ￥0.3032
5000+
￥0.25668 ￥0.2852

有货

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型号：BZX84-C12,215 编号：C108437

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

低功耗电压调节二极管，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24的±1%、±2%和大约±5%公差范围。该系列包括37种击穿电压，标称工作电压从2.4 V到75 V。

数据手册

10+
￥0.528
100+
￥0.432
300+
￥0.384
3000+
￥0.3433
6000+
￥0.3145
9000+
￥0.3

有货

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型号：BZX384B15-E3-18 编号：C5359567

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面稳压二极管，稳压电压按照国际E24标准分级。标准稳压电压公差为 ±5%，将 “C” 替换为 “B” 可实现 ±2% 公差。符合AEC-Q101标准。具备3D模型。依据AEC-Q101的ESD能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V

5+
￥0.5435
50+
￥0.4237
150+
￥0.3637
500+
￥0.3188
2500+
￥0.2828
5000+
￥0.2648

有货

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型号：SMAZ15-13-F 编号：C110524

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5521
50+
￥0.4413
150+
￥0.3858
500+
￥0.3442
2500+
￥0.2666
5000+
￥0.2499

有货

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型号：1SMB5920BT3G 编号：C7422623

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：批量处理设计，出色的功率耗散提供更好的反向泄漏电流和热阻。齐纳反向电压范围宽，为3.3V至200V。小封装尺寸，适用于高密度应用。非常适合自动化组装过程。无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准

5+
￥0.5897
50+
￥0.4877
150+
￥0.4367
500+
￥0.3985
3000+
￥0.2804
6000+
￥0.265

有货

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型号：1SMA5934A 编号：C688906

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至200V。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.5948
50+
￥0.4748
150+
￥0.4148
500+
￥0.3698
2500+
￥0.2981
5000+
￥0.28

有货

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型号：MMSZ5245C-E3-08 编号：C142579

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压容差：带“B”后缀为 ±5%，带“C”后缀为 ±2%。符合 AEC-Q101 标准。 ESD 能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V。基础产品编号-E3：符合 RoHS 标准，商业级。基础产品编号-HE3：符合 RoHS 标准，符合 AEC-Q101 标准

数据手册

5+
￥0.5992
50+
￥0.4817
150+
￥0.423
500+
￥0.3789
3000+
￥0.3436
6000+
￥0.326

有货

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型号：1N5349B 编号：C5186085

封装：DO-15

品牌：LGE(鲁光)

特性：硅平面功率齐纳二极管，用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%，添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差，其他齐纳电压和公差可按需提供

数据手册

5+
￥0.712405 ￥0.7499
50+
￥0.575605 ￥0.6059
150+
￥0.50711 ￥0.5338
500+
￥0.394155 ￥0.4149
2500+
￥0.353115 ￥0.3717
6000+
￥0.332595 ￥0.3501

有货

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型号：1SMB5916B 编号：C713625

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.71388 ￥0.7932
50+
￥0.56268 ￥0.6252
150+
￥0.48708 ￥0.5412
500+
￥0.43038 ￥0.4782
3000+
￥0.36135 ￥0.4015
6000+
￥0.33867 ￥0.3763

有货

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型号：1SMB5914B 编号：C713654

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.74268 ￥0.8252
50+
￥0.59139 ￥0.6571
150+
￥0.5157 ￥0.573
500+
￥0.45891 ￥0.5099
3000+
￥0.39312 ￥0.4368
6000+
￥0.37044 ￥0.4116

有货

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型号：SMBJ5365B 编号：C5444843

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围 3.3 至 200 V。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流。无铅/符合 RoHS 标准

5+
￥0.74502 ￥0.8278
50+
￥0.59382 ￥0.6598
150+
￥0.51822 ￥0.5758
500+
￥0.46152 ￥0.5128
3000+
￥0.41616 ￥0.4624
6000+
￥0.39348 ￥0.4372

有货

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型号：1SMB5921BT3G 编号：C53356

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.7606
50+
￥0.6077
150+
￥0.5312
500+
￥0.4738
2500+
￥0.4279
5000+
￥0.405

有货

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型号：BZX384-B5V1,115 编号：C426823

封装：SOD-323

品牌：Nexperia(安世)

低功耗电压调节二极管，采用小型SOD323 (SC-76)表面贴装器件(SMD)塑料封装。二极管的公差范围为标准化的E24 ±1%、±2%和近似±5%。该系列包括37种击穿电压，标称工作电压范围为2.4 V至75 V。

数据手册

5+
￥0.7909
50+
￥0.6293
150+
￥0.5485
500+
￥0.473166 ￥0.4878
3000+
￥0.415548 ￥0.4284
6000+
￥0.392074 ￥0.4042

有货

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型号：1SMA5930B 编号：C330251

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至240伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低漏电流。无铅/符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.798
50+
￥0.5964
150+
￥0.4956
500+
￥0.42

有货

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型号：1N5344B 编号：C5274447

封装：DO-15

品牌：LGE(鲁光)

塑封稳压管

数据手册

5+
￥0.8229
50+
￥0.6549
150+
￥0.5709
500+
￥0.5079
3000+
￥0.4365
6000+
￥0.4113

有货

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型号：SMAZ5V6-13-F 编号：C110526

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8604
50+
￥0.6756
150+
￥0.5832
500+
￥0.5139
2500+
￥0.4359
5000+
￥0.4081

有货

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型号：1SMA5928BT3G 编号：C235763

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.9101
50+
￥0.7055
150+
￥0.6178
500+
￥0.5084
2500+
￥0.4596
5000+
￥0.4304

有货

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型号：1N5337B 编号：C5331143

封装：DO-27(DO-201AD)

品牌：LGE(鲁光)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于具有高功率额定值的稳定和限幅电路。标准齐纳电压公差为±10%，后缀为“B”的公差为±5%，可根据要求提供其他齐纳电压和公差

数据手册

5+
￥0.95855 ￥1.009
50+
￥0.828875 ￥0.8725
150+
￥0.7733 ￥0.814
1250+
￥0.70395 ￥0.741
2500+
￥0.673075 ￥0.7085
5000+
￥0.65455 ￥0.689

有货

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型号：1SMA5929BT3G 编号：C32357

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9627
50+
￥0.7705
150+
￥0.6744
500+
￥0.6023
2500+
￥0.4573
5000+
￥0.4285

有货

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