13.4V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：硅平面功率齐纳二极管，用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%，添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差，其他齐纳电压和公差可按需提供

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￥0.6087
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￥0.4839
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￥0.4215
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￥0.3747
3000+
￥0.3217
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￥0.3029

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型号：1SMB5927B 编号：C2992884

封装：SMB

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

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￥0.625536 ￥0.6516
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￥0.442368 ￥0.4608
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￥0.396576 ￥0.4131
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￥0.359904 ￥0.3749
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￥0.341568 ￥0.3558

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型号：SMF5913A 编号：C5293669

封装：SOD-123FL

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

IZT(mA)113.6

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￥0.6313
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￥0.5045
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￥0.4412
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￥0.3937

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型号：1N4733A 编号：C140851

封装：DO-41

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￥0.6619
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￥0.5354
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￥0.4721
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￥0.4128

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型号：TP1SMB5925BT3G 编号：C49452359

封装：SMB

特性：功率耗散（Pd）：3.0W。齐纳电压（Vz）：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

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￥0.6626
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￥0.5191
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￥0.3935

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型号：BZX85C15-TAP 编号：C467533

封装：DO-41 (DO-204AL)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。齐纳电压根据国际E24标准分级。用“B”替换后缀“C”可实现±2%的公差。通过AEC-Q101认证。符合RoHS标准且无卤。应用：电压稳定

数据手册

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￥0.6653
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￥0.5405
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￥0.4781
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￥0.4313
2500+
￥0.3572
5000+
￥0.3384

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型号：TP1SMB5938BT3G 编号：C49452372

封装：SMB

特性：功率耗散Pd：3.0W。齐纳电压Vz：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

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￥0.6657
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￥0.5221
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￥0.4504
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￥0.3966

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型号：TP1SMB5949BT3G 编号：C49452383

封装：SMB

特性：功率耗散（Pd）：3.0W。齐纳电压（Vz）：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

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￥0.6657
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型号：SZMMSZ4678T1G 编号：C513070

封装：SOD-123

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。带SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥0.6732
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￥0.5484
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￥0.4392
3000+
￥0.3386

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型号：TP1SMB5932BT3G 编号：C49452366

封装：SMB

特性：功率耗散 Pd：3.0W。齐纳电压 Vz：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

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￥0.6746
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￥0.5311
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￥0.4055

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型号：1SMA5914B 编号：C5455735

封装：DO-214AC(SMA)

特性：完整电压范围：3.3至200 V。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流。封装：SMA (DO-214AC) 模压塑料。环氧树脂：UL94V-0级阻燃。引脚：表面贴装成型引脚。极性：色带表示阴极。安装位置：任意。重量：0.093克

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2500+
￥0.3742
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型号：TP1SMB5927BT3G 编号：C49452361

封装：SMB

特性：功率耗散（Pd）：3.0W。齐纳电压（Vz）：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

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￥0.7084
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￥0.5649
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￥0.4932
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￥0.4393

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型号：TP1SMB5921BT3G 编号：C49452355

封装：SMB

特性：功率耗散Pd：3.0W。齐纳电压Vz：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

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￥0.7144
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￥0.5709
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￥0.4453

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型号：SMAZ7V5-13-F 编号：C155270

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

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￥0.7152
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￥0.5515
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￥0.4697
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￥0.4083
2500+
￥0.3592
5000+
￥0.3346

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型号：1N5359B 编号：C5308028

封装：DO-201AD

品牌：SUNMATE(森美特)

特性：完整电压范围5.1至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

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￥0.7391 ￥0.778
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￥0.5909 ￥0.622
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￥0.5168 ￥0.544
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￥0.45201 ￥0.4758
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￥0.40755 ￥0.429
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￥0.385225 ￥0.4055

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型号：SMBJ5369B 编号：C7421472

封装：SMB

特性：完整电压范围3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流。无铅/符合RoHS标准

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￥0.74601 ￥0.8289
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￥0.65151 ￥0.7239
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￥0.61101 ￥0.6789
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￥0.56043 ￥0.6227
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￥0.53793 ￥0.5977
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￥0.52443 ￥0.5827

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型号：1SMB5929B 编号：C688898

封装：SMB

特性：完整电压范围：3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

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￥0.7643
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￥0.6059
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￥0.5267
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￥0.4673
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￥0.4115
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￥0.3878

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型号：BZX84J-B5V6,115 编号：C550989

封装：SOD-323F

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.7678
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￥0.6142
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￥0.5374
500+
￥0.4798
3000+
￥0.4337
6000+
￥0.4107

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型号：1SMB5928B 编号：C713632

封装：SMB

特性：完整电压范围：3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.7932
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￥0.6362
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￥0.5577
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￥0.4989
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￥0.4079
6000+
￥0.3844

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型号：1SMA5919A 编号：C713639

封装：DO-214AC(SMA)

特性：完整电压范围 3.3 至 200 伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低漏电流

数据手册

5+
￥0.8083
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￥0.6544
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￥0.5775
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￥0.5198
2500+
￥0.3766
5000+
￥0.3536

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型号：SMAZ5V1-13-F 编号：C154748

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8127
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￥0.6521
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￥0.5718
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￥0.5116
2500+
￥0.4506

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型号：SMAZ10-13-F 编号：C500781

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8308
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￥0.6774
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￥0.6008
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￥0.5433
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￥0.4973

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型号：SZMM3Z5V1T1G 编号：C152297

封装：SOD-323

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

5+
￥0.92
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￥0.7699
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￥0.6949
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￥0.6386
3000+
￥0.4989

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型号：BZT52H-C6V2,115 编号：C179382

封装：SOD-123F

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD123F小型扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

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￥0.9799
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￥0.8472
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￥0.7809
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￥0.7311
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￥0.6557
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￥0.6358

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型号：1SMA5920BT3G 编号：C141342

封装：SMA

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0014
50+
￥0.7773
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￥0.6812
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￥0.5613
2500+
￥0.508
5000+
￥0.4759

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型号：1SMB5941BT3G-MS 编号：C18547795

封装：SMB

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：齐纳电压范围：3.3 V至200 V。人体模型3级静电放电等级（> 16 kV）。扁平操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶面或底面电路板安装

5+
￥1.05597 ￥1.1733
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￥0.82917 ￥0.9213
150+
￥0.73197 ￥0.8133
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￥0.61074 ￥0.6786
2500+
￥0.55674 ￥0.6186
5000+
￥0.52425 ￥0.5825

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型号：1SMA5939BT3G 编号：C238874

封装：SMA

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

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￥1.0798
50+
￥0.858
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￥0.763
500+
￥0.6444
2500+
￥0.5476
5000+
￥0.5159

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型号：BZT52H-C15,115 编号：C454949

封装：SOD-123F

品牌：Nexperia(安世)

15V 830mW

数据手册

5+
￥1.0886
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￥0.8711
150+
￥0.7624
500+
￥0.6808
3000+
￥0.6156
6000+
￥0.5829

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型号：1SMA5917BT3G 编号：C72594

封装：SMA