5V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压容差为 ±5%。应用：电压稳定

10+
￥0.2329
100+
￥0.2279
300+
￥0.2246
1000+
￥0.2213

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型号：SZBZX84C8V2ET3G 编号：C896959

封装：SOT-23

数据手册

5+
￥0.6319
50+
￥0.6179
150+
￥0.6085

有货

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型号：SZMMSZ4691T1G 编号：C894649

封装：SOD-123

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。 ESD等级为3级（> 16 kV），符合人体模型。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

单价：
￥0.30564 / 个

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型号：BZT52C8V2LP-7 编号：C5248678

封装：X1-DFN1006-2

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

5+
￥1.0015
50+
￥0.8137
150+
￥0.7198

有货

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型号：SML4745AHE3_A/I 编号：C3731868

封装：DO-214AC(SMA)

特性：适合表面贴装应用。符合RoHS标准。低齐纳阻抗。低调节系数。保证高温焊接：端子处260℃/10s。标准电压容差为±10%，后缀A为±5%。可提供AEC-Q101认证

1+
￥1.78
10+
￥1.74
30+
￥1.71

有货

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型号：MM3Z8V2CW 编号：C261265

封装：SOD-323

品牌：TC(德昌)

8.2V 200mW

数据手册

50+
￥0.063852 ￥0.1252
500+
￥0.040262 ￥0.0982
3000+
￥0.025792 ￥0.0832
6000+
￥0.023002 ￥0.0742
24000+
￥0.020584 ￥0.0664
51000+
￥0.019282 ￥0.0622

有货

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型号：BZT52B8V2S 编号：C5805748

封装：SOD-323

品牌：XZT(信展通)

特性：平面芯片结构。通用型，中等电流。非常适合自动化组装过程。有无铅版本

50+
￥0.0978
500+
￥0.0762
3000+
￥0.0642

有货

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型号：MM1Z8V2BW 编号：C2856897

封装：SOD-123W

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于对高精度电压调节及良好热效能有要求的小型化电路设计。

数据手册

50+
￥0.1129
500+
￥0.0886
3000+
￥0.068
6000+
￥0.0599
24000+
￥0.0529
45000+
￥0.0491

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型号：BZX84C7V5Q-13-F 编号：C6133200

封装：SOT-23

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

10+
￥0.1791
100+
￥0.1748
300+
￥0.172

有货

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型号：BZX84C8V2Q-13-F 编号：C6136746

封装：SOT-23

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

10+
￥0.1803
100+
￥0.176
300+
￥0.1731

有货

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型号：BZX84C7V5LT116 编号：C253206

封装：SOT-23

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小模具类型。应用：电压调节

数据手册

3000+
￥0.095789
9000+
￥0.091895
27000+
￥0.089559
36000+
￥0.087222

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型号：DDZX6V8C-13 编号：C6022250

封装：SOT-23

特性：非常尖锐的击穿特性。在FR-4 PCB上的功耗为300mW。齐纳电压（Vz）的公差非常小。非常适合自动化组装过程。极低的泄漏电流。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑。 “绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。有单独数据手册的汽车级兼容部件（DDZX5V1BQ）

10+
￥0.219
100+
￥0.2138
300+
￥0.2103

有货

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型号：BZX79C8V2 编号：C895338

封装：DO-35

数据手册

5+
￥0.2596
50+
￥0.2538
150+
￥0.25

有货

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型号：PTZTE258.2B 编号：C308718

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小功率模具类型。应用：电压调节

数据手册

530+
￥0.500813
1000+
￥0.429268

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型号：DDZ6V8CS-7 编号：C526552

封装：SOD-323

特性：非常尖锐的击穿特性。齐纳电压（Vz）容差非常小。非常适合自动化组装过程。极低的漏电流。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.3475
100+
￥0.2781
300+
￥0.2433

有货

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型号：MM3Z7V5C 编号：C891649

封装：SOD-323FL

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单价：
￥0.16368 / 个

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型号：1SMB5921B-13 编号：C5878418

封装：SMB

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.9992
50+
￥0.8008
150+
￥0.7157

有货

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型号：BZD27C9V1P-E3-08 编号：C5957194

封装：DO-219AB(SMF)

5+
￥1.3483
50+
￥1.3196
150+
￥1.3005

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型号：SZMM5Z8V2ST1G 编号：C894570

封装：SOD-523

数据手册

1+
￥1.45
10+
￥1.42
30+
￥1.4
100+
￥1.38

有货

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型号：MMSZ8V2ET1G 编号：C891739

封装：SOD-123

数据手册

1+
￥2.16
10+
￥2.11
30+
￥2.08
100+
￥2.05

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型号：1N4757A-TAP 编号：C467493

封装：DO-204AL(DO-41)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳定和限幅电路。标准齐纳电压容差为 ±5%。通过 AEC-Q101 认证。应用：电压稳定

数据手册

1+
￥2.81
10+
￥2.21
30+
￥1.96

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型号：SZ7V5HD122 编号：C49207669

封装：SOD-123

品牌：SSGSEMI(世晶半导体)

特性：总功耗：最大500mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至39V。适合表面贴装设计的小型塑料封装

20+
￥0.1377
200+
￥0.108
600+
￥0.0915

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型号：1SMA4761A 编号：C49242710

封装：SMA

品牌：PDW(芯格诺科技)

齐纳二极管是优秀的稳压装置，专为稳压、调压等设计。

20+
￥0.1751
200+
￥0.1373
600+
￥0.1163

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型号：DDZ6V8B-7 编号：C3001671

封装：SOD-123

特性：非常严格的Vz公差。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.2425
100+
￥0.2377
300+
￥0.2345

有货

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型号：1SMA4749A 编号：C49242705

封装：SMA

品牌：PDW(芯格诺科技)

齐纳二极管是优秀的稳压装置，专为稳压、调压等设计。

20+
￥0.2488
200+
￥0.1951
600+
￥0.1653

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型号：BZV55B8V2 编号：C2988344

封装：MiniMELF(SOD-80C)

品牌：EIC

特性：硅平面齐纳二极管。用作低压稳压器或电压基准。标准齐纳电压容差为 ±2%。无铅/符合RoHS标准

数据手册

1+
￥0.2595
10+
￥0.2076
30+
￥0.1817

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型号：BZT52HC7V5WF-7 编号：C5244734

封装：SOD-123F

特性：扁平引脚封装设计，实现低外形和高功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，为“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性

10+
￥0.26
100+
￥0.2549
300+
￥0.2515

有货

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型号：DDZ9691Q-7 编号：C5124993

封装：SOD-123