4.6V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52C4V3S-7-F 编号：C260909

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.3263
100+
￥0.2611
300+
￥0.2284

有货

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型号：BZT52C4V3-TP 编号：C779123

封装：SOD-123

品牌：MCC(美微科)

特性：平面芯片结构。通用中电流。非常适合自动组装工艺。无卤素，“绿色”器件。防潮等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅涂层/符合RoHS标准

数据手册

50+
￥0.0306
500+
￥0.0241
3000+
￥0.0205
6000+
￥0.0183
24000+
￥0.0165
51000+
￥0.0154

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型号：AZ23C4V3-TP 编号：C779196

封装：SOT-23

品牌：MCC(美微科)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。同一封装内两个二极管的△Vz ≤ 5%。非常适合自动化组装工艺。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤“绿色”器件。无铅涂层/符合RoHS标准。 ESD（HBM）：30KV

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50+
￥0.0762
500+
￥0.06
3000+
￥0.051
6000+
￥0.0456
24000+
￥0.0409
51000+
￥0.0384

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型号：LBZX84C4V3LT1G 编号：C12726

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

4.3V 0.225W

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50+
￥0.1173
500+
￥0.0914
3000+
￥0.077

有货

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型号：AZ23C4V3-7-F 编号：C212605

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

4.3V,300mW,共阳

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10+
￥0.4298
100+
￥0.3446
300+
￥0.302

有货

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型号：MM3Z4V3T1G 编号：C150063

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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5+
￥0.6456
50+
￥0.5162
150+
￥0.4515

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型号：BZX84C4V3Q-7-F 编号：C5244786

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.3143
50+
￥0.3076
150+
￥0.3031

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型号：BZX84C4V3 编号：C2858526

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

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10+
￥0.1131
100+
￥0.0883
300+
￥0.0745
3000+
￥0.0617
6000+
￥0.0545
9000+
￥0.0506

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型号：BZX84C4V3Q-13-F 编号：C7224182

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

10+
￥0.2236
100+
￥0.2193
300+
￥0.2165

有货

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型号：BZX84C4V3-7-F 编号：C460825

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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单价：
￥0.160778 / 个

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型号：BZT52C4V3S 编号：C2891790

封装：SOD-323

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：齐纳击穿阻抗低。最大功率耗散 200mW。高稳定性和可靠性

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单价：
￥0.04025 / 个

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型号：BZT52C4V3S 编号：C5805772

封装：SOD-323

品牌：XZT(信展通)

特性：平面芯片结构。通用型，中等电流。非常适合自动化组装过程。有无铅版本

50+
￥0.088
500+
￥0.0686
3000+
￥0.0578

有货

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型号：BZT52C4V3 编号：C5805696

封装：SOD-123

品牌：XZT(信展通)

特性：平面芯片结构。通用型，中等电流。非常适合自动化组装过程。有无铅版本

50+
￥0.0929
500+
￥0.0724
3000+
￥0.061

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型号：MM5Z4V3 编号：C41383590

封装：SOD-523

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：标准齐纳击穿电压范围：2.0 V至75 V。稳态功率额定值：200 mW

单价：
￥0.046 / 个

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型号：BZT52C4V3 编号：C5334033

封装：SOD-123

品牌：ElecSuper(静芯)

耗散功率(W) 0.5 齐纳电压Vz(V) 4.3 IZT(mA) 5 ZZT(Ω) 90 ZZK(Ω) 600 IR(uA) 3 VF(V) 0.9

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50+
￥0.1009
500+
￥0.0792
3000+
￥0.0671
6000+
￥0.0598
24000+
￥0.0535
51000+
￥0.0501

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型号：SZ4V3HD122 编号：C49207663

封装：SOD-123

品牌：SSGSEMI(世晶半导体)

特性：总功耗：最大500mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至39V。适合表面贴装设计的小型塑料封装

20+
￥0.1377
200+
￥0.108
600+
￥0.0915

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型号：DZ23C4V3-7-F 编号：C5244888

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

10+
￥0.3021
100+
￥0.2964
300+
￥0.2925

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型号：BZX84C4V3S-7-F 编号：C5248733

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

5+
￥0.4266
50+
￥0.4182
150+
￥0.4126

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型号：BZX384C4V3-E3-08 编号：C3009190

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；用“B”替换“C”可实现±2%公差。有AEC-Q101认证型号。符合AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。基础型号E3：符合RoHS标准，商业级。基础型号HE3：符合RoHS标准，AEC-Q101认证

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