4.3V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBZ5229BW-7-F 编号：C5249056

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：小尺寸表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

10+
￥0.2105
100+
￥0.2055
300+
￥0.2022

有货

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型号：BZX84C4V3Q-13-F 编号：C7224182

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

10+
￥0.2236
100+
￥0.2193
300+
￥0.2165

有货

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型号：UDZ4V3B-7 编号：C5244988

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：小型表面贴装封装。非常适合自动化组装过程。非常尖锐的击穿特性。齐纳击穿电压公差非常小。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

10+
￥0.2274
100+
￥0.222
300+
￥0.2184

有货

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型号：BZX84C4V3-7-F 编号：C460825

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

单价：
￥0.160778 / 个

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型号：DZ23C4V3-7-F 编号：C5244888

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

10+
￥0.3021
100+
￥0.2964
300+
￥0.2925

有货

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型号：BZT585B4V3T-7 编号：C5244743

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

单价：
￥0.199255 / 个

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型号：TZMB4V3-GS08 编号：C7372053

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。 TZMC：Vz 公差 ±5%。 TZMB：Vz 公差 ±2%。应用：电压稳定

5+
￥0.5577
50+
￥0.544
150+
￥0.5349

有货

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型号：BZT52C4V3S 编号：C2891790

封装：SOD-323

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：齐纳击穿阻抗低。最大功率耗散 200mW。高稳定性和可靠性

数据手册

单价：
￥0.04025 / 个

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型号：BZT52C4V3S 编号：C5805772

封装：SOD-323

品牌：XZT(信展通)

特性：平面芯片结构。通用型，中等电流。非常适合自动化组装过程。有无铅版本

50+
￥0.088
500+
￥0.0686
3000+
￥0.0578

有货

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型号：BZT52C4V3 编号：C5805696

封装：SOD-123

品牌：XZT(信展通)

特性：平面芯片结构。通用型，中等电流。非常适合自动化组装过程。有无铅版本

50+
￥0.0929
500+
￥0.0724
3000+
￥0.061

有货

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型号：MM5Z4V3 编号：C41383590

封装：SOD-523

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：标准齐纳击穿电压范围：2.0 V至75 V。稳态功率额定值：200 mW

单价：
￥0.046 / 个

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型号：BZT52C4V3 编号：C5334033

封装：SOD-123

品牌：ElecSuper(静芯)

耗散功率(W) 0.5 齐纳电压Vz(V) 4.3 IZT(mA) 5 ZZT(Ω) 90 ZZK(Ω) 600 IR(uA) 3 VF(V) 0.9

数据手册

50+
￥0.1009
500+
￥0.0792
3000+
￥0.0671
6000+
￥0.0598
24000+
￥0.0535
51000+
￥0.0501

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型号：MMSZ5229B 编号：C5334044

封装：SOD-123

品牌：ElecSuper(静芯)

耗散功率(W) 0.5 齐纳电压Vz(V) 4.3 IZT(mA) 20 ZZT(Ω) 22 ZZK(Ω) 2000 IR(uA) 5 VF(V) 0.9

数据手册

50+
￥0.1112
500+
￥0.0866
3000+
￥0.073
6000+
￥0.0648
24000+
￥0.0577
51000+
￥0.0539

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型号：ZMM5229B_R1_10001 编号：C398895

封装：MiniMELF

品牌：PANJIT(强茂)

特性：平面芯片结构。500mW 功率耗散。非常适合自动化组装工艺。符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品

数据手册

20+
￥0.1249
200+
￥0.0962
600+
￥0.0803
2500+
￥0.0708
10000+
￥0.0625
20000+
￥0.0581

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型号：SZ4V3HD122 编号：C49207663

封装：SOD-123

品牌：SSGSEMI(世晶半导体)

特性：总功耗：最大500mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至39V。适合表面贴装设计的小型塑料封装

20+
￥0.1377
200+
￥0.108
600+
￥0.0915

有货

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型号：LUDZS4.3BT1G 编号：C5267056

封装：SOD-323

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥0.1692
50+
￥0.1341
150+
￥0.1146
500+
￥0.1029
3000+
￥0.0928
6000+
￥0.0873

有货

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型号：1SMA4731A 编号：C49242695

封装：SMA

品牌：PDW(芯格诺科技)

齐纳二极管是优秀的稳压装置，专为稳压、调压等设计。

20+
￥0.2479
200+
￥0.1944
600+
￥0.1647

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型号：BZX84C4V3S-7-F 编号：C5248733

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

5+
￥0.4266
50+
￥0.4182
150+
￥0.4126

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型号：MMBZ5229BT-7-F 编号：C6990818

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。平面芯片结构。通用型。非常适合自动化组装工艺。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

5+
￥0.4367
50+
￥0.4281
150+
￥0.4224

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型号：BZX384C4V3-E3-08 编号：C3009190

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；用“B”替换“C”可实现±2%公差。有AEC-Q101认证型号。符合AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。基础型号E3：符合RoHS标准，商业级。基础型号HE3：符合RoHS标准，AEC-Q101认证

数据手册

10+
￥0.4812
100+
￥0.3928
300+
￥0.3485
3000+
￥0.3008
6000+
￥0.2743
9000+
￥0.261

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型号：1SMB5916B 编号：C49242719

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：PDW(芯格诺科技)

是出色的稳压装置，专为稳压、调压等设计。

5+
￥0.5481
50+
￥0.4366
150+
￥0.3808
500+
￥0.339

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型号：BZX84C4V3TS-7-F 编号：C5248734

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：齐纳电压范围为 2.4-39V。单个超小表面贴装封装中包含三个独立的二极管元件。无铅/符合 RoHS 标准。环保器件

5+
￥0.5745
50+
￥0.5608
150+
￥0.5517

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型号：DZ9F4V3S92-7 编号：C5244906

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装（1.0 x 0.6 x 0.37mm）。扁平引脚、散热高效的封装设计。外露、易于观察的端子，无需对焊点进行X射线检查（如DIN封装）。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥1.0299
50+
￥0.8447
150+
￥0.7521

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型号：MMSZ4687-E3-08 编号：C241974

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压容差为 ±5%。保证高温焊接：260℃ / 4 × 10s 设定端子。可提供 AEC-Q101 认证。根据 AEC-Q101 的 ESD 能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V。基础产品编号-E3：符合 RoHS 标准，商业级。基础产品编号-HE3：符合 RoHS 标准，AEC-Q101 认证

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