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首页 > 热门关键词 > 4V稳压二极管
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符合条件商品：共57011件
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描述
价格(含税)
库存
操作
1对共阳极 耐压:4.3V 电流:3uA
型号：AZ23C4V3 编号：C968012
封装：SOT-23(TO-236)
品牌：YANGJIE(扬杰)
AZ23C4V3-F2-0000HF
数据手册

  • 20+

    ￥0.1937

  • 200+

    ￥0.1559

  • 600+

    ￥0.1349
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:4.3V 电流:3uA@1V
    型号：BZX84C4V3W-7-F 编号：C5248735
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-39V。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

    • 10+

      ￥0.3652

    • 100+

      ￥0.2917

    • 300+

      ￥0.255
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA@1V
    型号：BZX384C4V3-E3-08 编号：C3009190
    封装：SOD-323
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 标准齐纳电压公差为±5%；用“B”替换“C”可实现±2%公差。 有AEC-Q101认证型号。 符合AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。 基础型号E3：符合RoHS标准，商业级。 基础型号HE3：符合RoHS标准，AEC-Q101认证
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4812

    • 100+

      ￥0.3928

    • 300+

      ￥0.3485

    • 3000+

      ￥0.3008

    • 6000+

      ￥0.2743

    • 9000+

      ￥0.261
  • 订货
    • 我要订货
    耐压:4.3V 电流:3uA@1.0V
    型号：BZT52C4V3-TP 编号：C779123
    封装：SOD-123
    品牌：MCC(美微科)
    特性：平面芯片结构。 通用中电流。 非常适合自动组装工艺。 无卤素，“绿色”器件。 防潮等级1。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅涂层/符合RoHS标准
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0163

    • 500+

      ￥0.0159

    • 3000+

      ￥0.0157

    • 6000+

      ￥0.0154
  • 订货
    • 我要订货
    1对共阳极 电流:1uA
    型号：AZ23C4V3-TP 编号：C779196
    封装：SOT-23
    品牌：MCC(美微科)
    特性：双齐纳二极管共阳极配置。 同一封装内两个二极管的△Vz ≤ 5%。 非常适合自动化组装工艺。 湿度敏感度等级1。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无卤“绿色”器件。 无铅涂层/符合RoHS标准。 ESD（HBM）：30KV
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0404

    • 500+

      ￥0.0395

    • 3000+

      ￥0.0389

    • 6000+

      ￥0.0384
  • 订货
    • 我要订货
    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA@1.0V
    型号：BZT52C4V3S-7-F 编号：C260909
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 10+

      ￥0.343

    • 100+

      ￥0.2777

    • 300+

      ￥0.2451
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA@1.0V
    型号：MM5Z4V3T1G 编号：C891672
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5034

    • 50+

      ￥0.4927

    • 150+

      ￥0.4856
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA@1.0V
    型号：BZX84C4V3Q-7-F 编号：C5244786
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

    • 5+

      ￥0.3515

    • 50+

      ￥0.3448

    • 150+

      ￥0.3404
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:4.3V 电流:3uA
    型号：BZT52C4V3S 编号：C5805772
    封装：SOD-323
    品牌：XZT(信展通)
    特性：平面芯片结构。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装过程。 有无铅版本

    • 50+

      ￥0.088

    • 500+

      ￥0.0686

    • 3000+

      ￥0.0578
  • 有货
    • 立即购买
    BZT52C4V3S
    型号：BZT52C4V3S 编号：C2993038
    封装：SOD-323
    品牌：MDD(辰达半导体)
    通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

    • 1+

      ￥0.11

    • 10+

      ￥0.0857

    • 30+

      ￥0.0722

    • 100+

      ￥0.0641

    • 500+

      ￥0.0571

    • 1000+

      ￥0.0533
  • 订货
    • 我要订货
    BZX84C4V3
    型号：BZX84C4V3 编号：C2858526
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1131

    • 100+

      ￥0.0883

    • 300+

      ￥0.0745

    • 3000+

      ￥0.0617

    • 6000+

      ￥0.0545

    • 9000+

      ￥0.0506
  • 订货
    • 我要订货
    耐压:4.3V 电流:3uA@1V
    型号：BZX84C4V3Q-13-F 编号：C7224182
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

    • 10+

      ￥0.2236

    • 100+

      ￥0.2193

    • 300+

      ￥0.2165
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA@1V
    型号：BZX84C4V3-7-F 编号：C460825
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
    数据手册

    • 54000+

      ￥0.13404

    • 108000+

      ￥0.131806

    • 216000+

      ￥0.128455

    • 432000+

      ￥0.12287
    我要订货
    1对共阴极 耐压:4.3V
    型号：DZ23C4V3-7-F 编号：C5244888
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

    • 10+

      ￥0.3021

    • 100+

      ￥0.2964

    • 300+

      ￥0.2925
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:3.6V 电流:60uA@1.0V
    型号：PTZTE253.6B 编号：C308715
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：高可靠性。 小功率模具类型。应用：电压调节
    数据手册

    • 165+

      ￥1.645697

    • 200+

      ￥1.462841

    • 500+

      ￥1.181526

    • 1000+

      ￥1.012736
    我要订货
    耐压:4.3V 电流:3uA
    型号：BZT52C4V3 编号：C5805696
    封装：SOD-123
    品牌：XZT(信展通)
    特性：平面芯片结构。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装过程。 有无铅版本

    • 50+

      ￥0.0929

    • 500+

      ￥0.0724

    • 3000+

      ￥0.061
  • 有货
    • 立即购买
    4.3V 5uA@1V
    型号：MM5Z4V3 编号：C41383590
    封装：SOD-523
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：2.0 V至75 V。 稳态功率额定值：200 mW

    • 单价：

      ￥0.046 / 个
    我要订货
    耗散功率:0.5W 齐纳电压:4.3V 稳压范围:4~4.6V 最大齐纳 阻抗:90Ω 最大反向 电流:3uA 最大正向 电压:0.9V
    型号：BZT52C4V3 编号：C5334033
    封装：SOD-123
    品牌：ElecSuper(静芯)
    耗散功率(W) 0.5 齐纳电压Vz(V) 4.3 IZT(mA) 5 ZZT(Ω) 90 ZZK(Ω) 600 IR(uA) 3 VF(V) 0.9
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1009

    • 500+

      ￥0.0792

    • 3000+

      ￥0.0671

    • 6000+

      ￥0.0598

    • 24000+

      ￥0.0535

    • 51000+

      ￥0.0501
  • 订货
    • 我要订货
    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA@1V
    型号：MM3Z4V3 编号：C2909953
    封装：SOD-323
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：齐纳击穿阻抗低。最大功率耗散 200mW。高稳定性和可靠性
    数据手册

    • 单价：

      ￥0.04485 / 个
    我要订货
    BZT52C4V3
    型号：BZT52C4V3 编号：C2898548
    封装：SOD-123
    品牌：YFW(佑风微)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1176

    • 500+

      ￥0.0922

    • 3000+

      ￥0.0724

    • 6000+

      ￥0.064

    • 24000+

      ￥0.0566

    • 51000+

      ￥0.0527
  • 订货
    • 我要订货
    耐压:4.3V 电流:3uA@1V
    型号：BZX84C4V3S-7-F 编号：C5248733
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-39V。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

    • 5+

      ￥0.4266

    • 50+

      ￥0.4182

    • 150+

      ￥0.4126
  • 有货
    • 立即购买
    3个独立式 耐压:4.3V 电流:3uA@1.0V
    型号：BZX84C4V3TS-7-F 编号：C5248734
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：齐纳电压范围为 2.4-39V。 单个超小表面贴装封装中包含三个独立的二极管元件。 无铅/符合 RoHS 标准。 环保器件

    • 5+

      ￥0.5745

    • 50+

      ￥0.5608

    • 150+

      ￥0.5517
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA@1.0V
    型号：BZX84C4V3 编号：C5244785
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

    • 5+

      ￥1.9614

    • 50+

      ￥1.5384

    • 150+

      ￥1.3764
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:4.3V 电流:3uA
    型号：SZMM5Z4V3T1G 编号：C894564
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.46

    • 10+

      ￥3.63

    • 30+

      ￥3.22
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:4.3V
    型号：BZT52C4V3S 编号：C5353059
    封装：SOD-323
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0663

    • 200+

      ￥0.0648

    • 600+

      ￥0.0638

    • 3000+

      ￥0.0627
  • 订货
    • 我要订货
    4.3V 3uA@1.0V
    型号：SZ4V3HD122 编号：C49207663
    封装：SOD-123
    品牌：SSGSEMI(世晶半导体)
    特性：总功耗：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至39V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装

    • 20+

      ￥0.0721

    • 200+

      ￥0.0705

    • 600+

      ￥0.0695
  • 有货
    • 立即购买
    4.3V 3uA@1V
    型号：SZ4V3GD322 编号：C49207631
    封装：SOD-323
    品牌：SSGSEMI(世晶半导体)
    特性：总功耗：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程

    • 20+

      ￥0.0852

    • 200+

      ￥0.0833

    • 600+

      ￥0.0821
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:4.3V 电流:3uA
    型号：BZT52C4V3 编号：C5353983
    封装：SOD-123
    品牌：XCH(旭昌辉)
    稳压值精度5%，低漏电流，适用于稳压和过压监测电路。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0953

    • 500+

      ￥0.0743

    • 3000+

      ￥0.0626

    • 6000+

      ￥0.0555

    • 24000+

      ￥0.0495

    • 51000+

      ￥0.0462
  • 订货
    • 我要订货
    耐压:4.3V 电流:3uA
    型号：BZT52C4V3S 编号：C5342873
    封装：SOD-323
    品牌：XCH(旭昌辉)
    稳压值精度5%，低漏电流，适用于稳压和过压监测电路。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0953

    • 500+

      ￥0.0743

    • 3000+

      ￥0.0626

    • 6000+

      ￥0.0555

    • 24000+

      ￥0.0495

    • 51000+

      ￥0.0462
  • 订货
    • 我要订货
    4.3V 5uA@1V
    型号：SZ4V3GD522 编号：C49207594
    封装：SOD-523
    品牌：SSGSEMI(世晶半导体)
    特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.0-75V

    • 20+

      ￥0.0983

    • 200+

      ￥0.0962

    • 600+

      ￥0.0947
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