2.2V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZX84J-C15,115 编号：C551002

封装：SOD-323F

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.7768
50+
￥0.5992
150+
￥0.5104
500+
￥0.4438
3000+
￥0.3905
6000+
￥0.3639

有货

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型号：SMA2Z3.6A 编号：C5161074

封装：SMA

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应力消除。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.6415
50+
￥0.5071
150+
￥0.4399
500+
￥0.3895
2500+
￥0.3492
5000+
￥0.329

有货

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型号：1SMA5951B 编号：C330248

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至240伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低漏电流。无铅/符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.6485
50+
￥0.5237
150+
￥0.4613
500+
￥0.4145
2500+
￥0.3243
5000+
￥0.3055

有货

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型号：1N4733A 编号：C140851

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.6619
50+
￥0.5354
150+
￥0.4721
500+
￥0.4128

有货

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型号：TP1SMB5918BT3G 编号：C49452352

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：Pd 3.0W。 Vz 3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6746
50+
￥0.5311
150+
￥0.4593
500+
￥0.4055

有货

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型号：TP1SMB5951BT3G 编号：C49452385

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率 Pd：3.0W。齐纳电压 Vz：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6755
50+
￥0.532
150+
￥0.4602
500+
￥0.4064

有货

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型号：1SMA5916A 编号：C713622

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围 3.3 至 200 伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低漏电流

数据手册

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
2500+
￥0.3742
5000+
￥0.3525

有货

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型号：1SMB5948BT3G 编号：C152495

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.6999
50+
￥0.6038
150+
￥0.5626
500+
￥0.5112
2500+
￥0.4884
5000+
￥0.4746

有货

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型号：1N5352B 编号：C5186087

封装：DO-15

品牌：LGE(鲁光)

特性：硅平面功率齐纳二极管，用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%，添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差，其他齐纳电压和公差可按需提供

数据手册

5+
￥0.7013
50+
￥0.5573
150+
￥0.4853
500+
￥0.4133
2500+
￥0.3701
6000+
￥0.3485

有货

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型号：SMAZ7V5-13-F 编号：C155270

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7152
50+
￥0.5515
150+
￥0.4697
500+
￥0.4083
2500+
￥0.3592
5000+
￥0.3346

有货

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型号：1SMA5920A 编号：C362287

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.7308
50+
￥0.5897
150+
￥0.5191
500+
￥0.4662
2500+
￥0.3416
5000+
￥0.3204

有货

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型号：3SMB5916B 编号：C2940069

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整的电压范围：3.3至240伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.7336
50+
￥0.6389
150+
￥0.5984
500+
￥0.5478
3000+
￥0.4914
6000+
￥0.4779

有货

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型号：SMAZ12-13-F 编号：C110523

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7699
50+
￥0.6202
150+
￥0.5453
500+
￥0.4891
2500+
￥0.3907
5000+
￥0.3682

有货

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型号：1SMA5924BT3G 编号：C50839

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.8838
50+
￥0.6919
150+
￥0.596
500+
￥0.5241
2500+
￥0.4665
5000+
￥0.4377

有货

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型号：3SMB5930B 编号：C2940079

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整的电压范围：3.3至240伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.8876
50+
￥0.7196
150+
￥0.6356
500+
￥0.5726
3000+
￥0.4015
6000+
￥0.3763

有货

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型号：BZX384-C4V3,115 编号：C454988

封装：SOD-323(SC-76)

品牌：Nexperia(安世)

低功耗电压调节二极管，采用小型SOD323 (SC-76)表面贴装器件(SMD)塑料封装。二极管的公差范围为标准化的E24 ±1%、±2%和近似±5%。该系列包括37种击穿电压，标称工作电压范围为2.4 V至75 V。

数据手册

5+
￥0.9259
50+
￥0.7675
150+
￥0.6883
500+
￥0.6289
3000+
￥0.5354
6000+
￥0.5116

有货

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型号：1SMA5940BT3G 编号：C65696

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.9734
50+
￥0.7565
150+
￥0.6635
500+
￥0.5475
2500+
￥0.4959
5000+
￥0.4649

有货

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型号：1N5337B 编号：C5331143

封装：DO-27(DO-201AD)

品牌：LGE(鲁光)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于具有高功率额定值的稳定和限幅电路。标准齐纳电压公差为±10%，后缀为“B”的公差为±5%，可根据要求提供其他齐纳电压和公差

数据手册

5+
￥1.009
50+
￥0.8725
150+
￥0.814
1250+
￥0.741
2500+
￥0.7085
5000+
￥0.689

有货

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型号：1SMA5933BT3G 编号：C150051

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0344
50+
￥0.8019
150+
￥0.7023
500+
￥0.5779
2500+
￥0.5226
5000+
￥0.4893

有货

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型号：BZX84-B5V1,215 编号：C426830

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

低功耗电压调节二极管，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24的±1%、±2%和大约±5%公差范围。该系列包括37种击穿电压，标称工作电压从2.4 V到75 V。

数据手册

5+
￥1.0354
50+
￥0.812
150+
￥0.7162
500+
￥0.5967
3000+
￥0.5435
6000+
￥0.5116

有货

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型号：1SMB5949BT3G 编号：C150045

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0444
50+
￥0.8365
150+
￥0.7474
500+
￥0.6362
2500+
￥0.5579
5000+
￥0.5282

有货

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型号：SMBJ5370B-MS 编号：C18547777

封装：SMB

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：用于表面贴装的薄型封装（平整的操作表面，便于精确贴装）。齐纳电压 5.1V 至 200V。可提供卷带包装（参见 E1A 标准 RS-481）。湿度敏感度等级 1。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。无铅涂层/符合 RoHS 标准

5+
￥1.073785 ￥1.1303
50+
￥0.834385 ￥0.8783
150+
￥0.731785 ￥0.7703
500+
￥0.60382 ￥0.6356
3000+
￥0.54682 ￥0.5756
6000+
￥0.51262 ￥0.5396

有货

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型号：3SMB5931B 编号：C2940080

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整的电压范围：3.3至240V。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥1.1233
50+
￥0.8713
150+
￥0.7633
500+
￥0.6286
3000+
￥0.5686
6000+
￥0.5325

有货

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型号：1SMB5956BT3G 编号：C152499

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1271
50+
￥0.8726
150+
￥0.7635
500+
￥0.6274
2500+
￥0.4911
5000+
￥0.4547

有货

立即购买

型号：1SMB5945BT3G 编号：C238937

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.235
50+
￥0.9809
150+
￥0.872
500+
￥0.7362
2500+
￥0.6757
5000+
￥0.6394

有货

立即购买

型号：1SMA5916BT3G 编号：C146725

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册