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首页 > 热门关键词 > Leiditech二极管
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ESD 峰值浪涌电流：1A@8/20us
型号：PESD0563L003 编号：C2759840
封装：0603
品牌：Leiditech(雷卯电子)
特性：最大允许连续直流电压：5.0V。 触发电压/压敏电阻电压/击穿电压：22-34V。 最大钳位电压：200V。 最大额定单脉冲瞬态电流：1A。 最大非线性系数：>12。 连续直流电压下的泄漏电流：< 0.1A。 响应时间：< 0.5ns。 压敏电阻电压温度系数：< 0.05%/℃。 1MHz 下测量的电容：3.0pF。 典型电容公差：- 50 至 +80%。 回流焊接后 PCB 上的绝缘电阻：>10M。 工作环境温度：- 55 至 +125℃。 储存温度：- 55 至 +125℃
数据手册

  • 10+

    ￥0.263707 ￥0.2963

  • 100+

    ￥0.212443 ￥0.2387

  • 300+

    ￥0.186811 ￥0.2099

  • 1000+

    ￥0.167587 ￥0.1883

  • 4000+

    ￥0.133233 ￥0.1497

  • 8000+

    ￥0.12549 ￥0.141
  • 有货
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    双向ESD
    型号：PESD1263U005 编号：C490612
    封装：0603
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    PESD0603MS12聚合物ESD抑制器可保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）影响，且不会扭曲数据信号。这种保护得益于其超低电容，仅为0.05 pF（I/O到地），可帮助设备通过IEC61000 - 4 - 2 4级测试（15KV空气放电、8KV接触放电）。

    • 10+

      ￥0.278837 ￥0.3133

    • 100+

      ￥0.221165 ￥0.2485

    • 300+

      ￥0.192329 ￥0.2161

    • 1000+

      ￥0.170702 ￥0.1918

    • 5000+

      ￥0.14863 ￥0.167

    • 10000+

      ￥0.139997 ￥0.1573
  • 有货
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    PESD1CAN
    型号：PESD1CAN 编号：C52200678
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)

    • 10+

      ￥0.2831

    • 100+

      ￥0.2255

    • 300+

      ￥0.1967
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002HW 编号：C4555455
    封装：SC-70(SOT-323)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    MOSFET
    数据手册

    • 10+

      ￥0.35155 ￥0.395

    • 100+

      ￥0.279816 ￥0.3144

    • 300+

      ￥0.243949 ￥0.2741

    • 3000+

      ￥0.207993 ￥0.2337

    • 6000+

      ￥0.186455 ￥0.2095

    • 9000+

      ￥0.175686 ￥0.1974
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    ESD 5V截止
    型号：824001 编号：C5289048
    封装：SOT-26
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±20kV，接触放电 ±20kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（闪电）5A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
    数据手册

    • 10+

      ￥0.35739 ￥0.3762

    • 100+

      ￥0.28443 ￥0.2994

    • 300+

      ￥0.24795 ￥0.261

    • 3000+

      ￥0.21147 ￥0.2226

    • 6000+

      ￥0.18962 ￥0.1996

    • 9000+

      ￥0.1786 ￥0.188
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    ESD 3.3V截止
    型号：PESD3V3U1UB 编号：C5272730
    封装：SOD-523
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：3.3V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。IEC61000-4-5（Lightning）9A（8/20μs）。应用：计算机接口保护。微处理器保护
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3648 ￥0.384

    • 100+

      ￥0.29032 ￥0.3056

    • 300+

      ￥0.25308 ￥0.2664

    • 3000+

      ￥0.21584 ￥0.2272

    • 6000+

      ￥0.193515 ￥0.2037

    • 9000+

      ￥0.182305 ￥0.1919
  • 有货
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    ESD 5V截止
    型号：CS0809V 编号：C5289054
    封装：SOT-26
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试: -空气放电：±20kV。 -接触放电：±20kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
    数据手册

    • 10+

      ￥0.377983 ￥0.4247

    • 100+

      ￥0.301087 ￥0.3383

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      ￥0.262639 ￥0.2951

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    • 6000+

      ￥0.210663 ￥0.2367

    • 9000+

      ￥0.199182 ￥0.2238
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    TVS 3.3V截止
    型号：PTVSUC3D3V3B 编号：C5173275
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：400W 峰值脉冲功率 (8/20 μs)。 超低电容：0.6pF（典型值）。 超低泄漏：nA 级别。 低工作电压：3.3V。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。应用：USB 端口。 智能手机
    数据手册

    • 10+

      ￥0.378955 ￥0.3989

    • 100+

      ￥0.296685 ￥0.3123

    • 300+

      ￥0.25555 ￥0.269

    • 3000+

      ￥0.218785 ￥0.2303

    • 6000+

      ￥0.194085 ￥0.2043

    • 9000+

      ￥0.181735 ￥0.1913
  • 有货
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    ESD 5V截止
    型号：UM5204EECF 编号：C5289083
    封装：SOT-26
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2 (ESD)抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±20kV。IEC61000-4-4 (EFT) 40A（5/50ns）。IEC61000-4-5 (Lightning) 5A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视
    数据手册

    • 10+

      ￥0.40204 ￥0.4232

    • 100+

      ￥0.31996 ￥0.3368

    • 300+

      ￥0.27892 ￥0.2936

    • 3000+

      ￥0.23788 ￥0.2504

    • 6000+

      ￥0.213275 ￥0.2245

    • 9000+

      ￥0.200925 ￥0.2115
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    ESD 5V截止
    型号：TPD4E1U06DBVR 编号：C2972541
    封装：SOT-26
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：纳安级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±20kV，接触放电 ±20kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（雷电）5A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
    数据手册

    • 10+

      ￥0.40204 ￥0.4232

    • 100+

      ￥0.31996 ￥0.3368

    • 300+

      ￥0.27892 ￥0.2936

    • 3000+

      ￥0.23788 ￥0.2504

    • 6000+

      ￥0.213275 ￥0.2245

    • 9000+

      ￥0.200925 ￥0.2115
  • 有货
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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：24.6A
    型号：SMBJ15CA 编号：C782873
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    极性Bidirectional峰值脉冲电流24.6A箝位电压24.4V,击穿电压16.7V反向关断电压15V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.413155 ￥0.4349

    • 100+

      ￥0.331075 ￥0.3485

    • 300+

      ￥0.290035 ￥0.3053

    • 3000+

      ￥0.259255 ￥0.2729

    • 6000+

      ￥0.23465 ￥0.247

    • 9000+

      ￥0.2223 ￥0.234
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 7V截止 峰值浪涌电流：35A@8/20us
    型号：SD07 编号：C3040123
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：560W 峰值脉冲功率 (8/20 μs)。 保护一条数据或电源线。 超低泄漏：nA 级别。 工作电压：7V。 超低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试。应用：手机及配件。 个人数字助理
    数据手册

    • 10+

      ￥0.41325 ￥0.435

    • 100+

      ￥0.32889 ￥0.3462

    • 300+

      ￥0.28671 ￥0.3018

    • 3000+

      ￥0.24453 ￥0.2574

    • 6000+

      ￥0.219165 ￥0.2307

    • 9000+

      ￥0.20653 ￥0.2174
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 5V截止
    型号：SESD3Z5C 编号：C5211013
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（Lightning）25A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
    数据手册

    • 10+

      ￥0.41325 ￥0.435

    • 100+

      ￥0.32889 ￥0.3462

    • 300+

      ￥0.28671 ￥0.3018

    • 3000+

      ￥0.24453 ￥0.2574

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      ￥0.219165 ￥0.2307

    • 9000+

      ￥0.20653 ￥0.2174
  • 有货
    • 立即购买
    30V N沟道增强型MOSFET
    型号：PMV15ENEA 编号：C3647053
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    PMV15ENEA采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.421515 ￥0.4959

    • 50+

      ￥0.335835 ￥0.3951

    • 150+

      ￥0.292995 ￥0.3447

    • 500+

      ￥0.260865 ￥0.3069

    • 3000+

      ￥0.2244 ￥0.264

    • 6000+

      ￥0.211565 ￥0.2489
  • 有货
    • 立即购买
    5V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：LM-BDFN10A054R 编号：C5310651
    封装：DFN2510-10
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低电容：典型值0.3pF（I/O到I/O）。 超低泄漏：nA级。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 最多保护4条线路。 无铅直插式封装。应用：HDMI 1.3、1.4和2.0，USB 2.0和3.0以及MDDI端口。 10/100/1000以太网
    数据手册

    • 10+

      ￥0.424935 ￥0.4473

    • 100+

      ￥0.333735 ￥0.3513

    • 300+

      ￥0.288135 ￥0.3033

    • 3000+

      ￥0.242535 ￥0.2553

    • 6000+

      ￥0.215175 ￥0.2265

    • 9000+

      ￥0.2014 ￥0.212
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 5V截止
    型号：LM-RClamp0524P 编号：C5310690
    封装：DFN2510-10
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低电容：典型值0.3pF（I/O到I/O）。超低泄漏：nA级别。低工作电压：5V。低钳位电压。最多保护4条线路。无铅直通式封装。应用：HDMI 1.3、1.4和2.0、USB 2.0和3.0以及MDDI端口。10/100/1000以太网
    数据手册

    • 10+

      ￥0.424935 ￥0.4473

    • 100+

      ￥0.333735 ￥0.3513

    • 300+

      ￥0.288135 ￥0.3033

    • 3000+

      ￥0.242535 ￥0.2553

    • 6000+

      ￥0.215175 ￥0.2265

    • 9000+

      ￥0.2014 ￥0.212
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 5V截止
    型号：LM-BV-FK05U4CA 编号：C5310653
    封装：DFN2510-10
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低电容：典型值0.3pF（I/O到I/O）。 超低泄漏：nA级。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 最多保护4条线路。 无铅直通式封装。应用：HDMI 1.3、1.4和2.0、USB 2.0和3.0以及MDDI端口。 10/100/1000以太网
    数据手册

    • 10+

      ￥0.43339 ￥0.4562

    • 100+

      ￥0.34219 ￥0.3602

    • 300+

      ￥0.29659 ￥0.3122

    • 3000+

      ￥0.25099 ￥0.2642

    • 6000+

      ￥0.22363 ￥0.2354

    • 9000+

      ￥0.20995 ￥0.221
  • 有货
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    ESD 5V截止
    型号：LM-TEVA0R4V05D4X 编号：C5310708
    封装：DFN2510-10
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低电容：典型值0.3pF（I/O到I/O）。 超低泄漏：nA级。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 最多保护4条线路。 无铅直插式封装。应用：HDMI 1.3、1.4和2.0、USB 2.0和3.0以及MDDI端口。 10/100/1000以太网
    数据手册

    • 10+

      ￥0.446785 ￥0.4703

    • 100+

      ￥0.355585 ￥0.3743

    • 300+

      ￥0.309985 ￥0.3263

    • 3000+

      ￥0.264385 ￥0.2783

    • 6000+

      ￥0.237025 ￥0.2495

    • 9000+

      ￥0.22325 ￥0.235
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：Si2300DS 编号：C3647047
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    Si2300DS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.46398 ￥0.4884

    • 50+

      ￥0.36822 ￥0.3876

    • 150+

      ￥0.32034 ￥0.3372

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    30V N沟道增强型MOSFET
    型号：IRLML6346 编号：C3647054
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    IRLML6346采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
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    双向TVS 7V截止 峰值浪涌电流：33.33A
    型号：P4SMFJ7.0CA 编号：C3040122
    封装：SOD-123FL
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    P4SMFJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
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    ESD 5V截止
    型号：SD05 编号：C490614
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD)抗扰度测试。 -空气放电：±15kV。 -接触放电：±8kV。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
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    ESD 5V截止
    型号：ULC0524PA 编号：C521614
    封装：DSON-10
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5.0V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试。 -空气放电：±15kV。 -接触放电：±8kV。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
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    ESD 24V截止
    型号：ESD24V32D-C 编号：C5224353
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：24V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电：±30kV；接触放电：±30kV。 -IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC61000-4-5（雷电）9A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
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    15V截止 峰值浪涌电流：40A@8/20us 100A@8/20us
    型号：SMD15A 编号：C5224329
    封装：SOD-123FL
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：工作电压：15V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-5（雷电）100A（8/20μs）。 符合RoHS标准。应用：手机及配件。 个人数字助理（PDA）
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.4A
    型号：SE3401 编号：C782882
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    Trench Power LV MOSFET technology。高密度单元设计，实现低RDS(ON)。高速开关
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      ￥0.568575 ￥0.5985

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    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：SQ2310ES 编号：C3647034
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    SQ2310ES采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
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    ESD 3.3V截止
    型号：TESD03FB 编号：C5210991
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：3.3V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2 (ESD)抗扰度测试 空气放电：±15kV 接触放电：±8kV。IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)。IEC 61000-4-5 (Lightning) 25A (8/20μs)。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视
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    LM-GSOT03C
    型号：LM-GSOT03C 编号：C42431733
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)

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    P沟道增强型MOSFET 耐压:30V 电流:5A
    型号：STR2P3LLH6 编号：C3040112
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    STR2P3L LH6采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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