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  • 特性:平面芯片结构。 500mW 功率耗散。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装过程。应用:齐纳二极管。 超小型表面贴装封装
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  • 特性:平面芯片结构。 陶瓷 PCB 上 500mW 功耗。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装工艺。应用:齐纳二极管。 超小型表面贴装封装
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  • 特性:平面芯片结构。 陶瓷 PCB 上 500mW 功耗。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装工艺。应用:齐纳二极管。 超小型表面贴装封装
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  • 特性:额定值达1000V PRVP。 浪涌过载额定值达40安培峰值。 玻璃钝化芯片结。 采用模塑塑料技术的可靠低成本结构,产品价格低廉。 引脚可根据MIL-STD-202方法208进行焊接。 引脚:镀银铜,镀锡。 塑料材料具有UL 94V-O阻燃等级
    数据手册
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      ¥0.5173
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      ¥0.2744
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      ¥0.2585
  • 订货
  • 特性:玻璃钝化结。 塑料材料通过UL 94V-0阻燃认证。 浪涌过载额定值达230A峰值。 适用于印刷电路板应用。 保证265°C / 10高温焊接
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  • 特性:平面芯片结构。 陶瓷 PCB 上 500mW 功率耗散。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装工艺。应用:齐纳二极管。 超小型表面贴装封装
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      ¥0.0605
    特性:适用于表面贴装应用。 易于拾取和放置。 金属与硅整流器,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 高电流能力,低正向电压。 高浪涌电流能力。 塑料材料符合UL 94V-0等级。 外延结构。 高温焊接:端子在260℃下可承受10秒
    数据手册
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  • 订货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗,高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
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    • 10000+

      ¥0.168
    特性:低成本结构。低正向电压降。低反向泄漏。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接:260℃/10秒/0.375℃(9.5mm)引脚长度,拉力5 lbs(2.3kg)
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  • 订货
  • 特性:完整电压范围:3.6至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流
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      ¥0.448
    特性:节省空间。 适配SOD 323/SOT 23封装。 采用微型Melf封装。应用:电压稳定
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    特性:完整电压范围:2.4至220V。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流。 无铅/符合RoHS标准
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    • 10000+

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  • 有货
  • 特性:浪涌过载额定值:175A 峰值。 低正向压降。 体积小,安装简单。 镀银铜引线。 安装位置:任意
    数据手册
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  • 特性:采用FRED芯片。 低正向压降。 快速反向恢复时间。 高频操作。 高纯度、高温环氧树脂封装,增强机械强度和防潮性。 保护环,增强耐用性和长期可靠性。应用:开关电源。 转换器
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      ¥6.33
  • 订货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能
    数据手册
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  • BZM55C4V3 MICROMELF 3K/R
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    BZM55C12 12V MICROMELF
    数据手册
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      ¥0.1792
    正向压降(Vf) 650mV@3A;直流反向耐压(Vr) 100V;整流电流 3A;反向电流(Ir) 100uA@100V
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    • 100+

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    • 300+

      ¥0.2623
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于具有高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压公差为±10%,添加后缀“A”可实现±5%的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供
    数据手册
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    • 10000+

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    特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓空间。 玻璃钝化芯片。 高可靠性。 适用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC标准。应用:电压稳定
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