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首页 > 热门关键词 > LITEON二极管
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LTV - M501系列由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种独特的设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。为光电二极管加偏置的连接方式通过减小基极 - 集电极电容,提高了其相对于传统光电晶体管耦合器的速度
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  • LTV - 332J是一款先进的、输出电流为5.0 A的易用智能栅极驱动器,它使IGBT的VCE故障保护变得紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定(UVLO)、IGBT“软”关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等特性,提供了最大的设计灵活性和电路保护。LTV - 332J包含一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)
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  • LTV - M501 - 3 系列由高效铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和高速光电探测器组成。这种独特的设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交直流隔离。通过减少基极 - 集电极电容,连接光电二极管偏置可提高其速度,优于传统光电晶体管耦合器
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      ¥2.08
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  • 由砷化镓红外发光二极管与单片硅探测器光耦合组成,可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于逻辑系统与由115/240 Vac线路供电的设备之间的接口,与可控硅配合使用。简化了115/240 Vac电源的逻辑控制。
    数据手册
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  • 6N135/6N136 - L由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。光电耦合器偏置连接通过减小基极 - 集电极电容,提高了传统光电晶体管耦合器的速度
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  • LTV - 480 - H系列高速光电耦合器包含一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和带有内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容的波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小,使得这些光电耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案
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    • 1+

      ¥3.13
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  • 由高效的铝镓砷发光二极管和高速光电探测器组成。这种独特的设计在光耦合器的输入和输出端之间提供了出色的交流和直流隔离。连接光电二极管的偏置电路,通过降低基极-集电极电容,提高了传统光电晶体管耦合器的速度。内部屏蔽确保了高共模瞬态抗扰度,保证的共模瞬态抗扰度高达 15kV/μs(最小值)。
    • 1+

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  • LTV - 331J 是一款先进的、输出电流为 2.5 A、易于使用的智能栅极驱动器,它使 IGBT VCE 故障保护变得紧凑、经济且易于实现。集成 VCE 检测、欠压锁定 (UVLO)、IGBT“软”关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等特性,为设计提供了极大的灵活性,并能保护电路。LTV - 331J 包含一个铝镓砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)
    • 1+

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  • LTV - 7840是一款光耦合高精度模拟隔离放大器。其输入部分由一个砷化镓铝发光二极管和一个高精度Σ - Δ模数转换器组成,而输出部分则有一个带差分输出的高精度数模转换器。这款光耦合器非常适合用于电机驱动器中的电流检测
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    • 1+

      ¥13.22
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      ¥11.23
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      ¥8.13
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  • 6N137由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光电耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。光检测器的输出采用集电极开路的肖特基钳位晶体管
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  • 6N135/6N136-L 由高效铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。光电二极管偏置连接通过减小基极 - 集电极电容,提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度
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      ¥2
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  • 这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。如有需要,Vcc 和 Vo 端子可以连接在一起,以实现传统的光电达林顿运行。基极接入端子允许进行增益带宽调整。
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      ¥3.07
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  • 这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速操作。如有需要,可将 Vcc 和 Vo 端子连接在一起,以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子可进行增益带宽调整。
    数据手册
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  • LTV - 330J是一款先进的、输出电流为2.5 A的易用智能栅极驱动器,它使IGBT VCE故障保护变得紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定(UVLO)、IGBT“软”关断、隔离集电极开路故障反馈和有源密勒钳位等特性,提供了最大的设计灵活性和电路保护。LTV - 330J包含一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)
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  • 有货
  • 提供了广泛的分立红外组件,适用于遥控、红外无线数据传输、安全报警等应用。产品包括GaAs 940nm IRED、AlGaAs高速850nm IRED、PIN光电二极管和光电晶体管。光电二极管和光电晶体管可配备滤波器,以降低传感器功能中的数字光噪声,从而实现高信噪比。
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  • 这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,以在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。如有需要,Vcc 和 Vo 端子可连接在一起,以实现传统的光电达林顿运行。基极接入端子允许进行增益带宽调整。
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    • 1+

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      ¥2.1
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      ¥1.43
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  • LTV - 341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。2
    • 1+

      ¥4.35
    • 10+

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    • 100+

      ¥2.71
  • 有货
  • 6N135/6 由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管,减少了基极 - 集电极电容,从而提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度
    数据手册
    • 1+

      ¥3.16
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      ¥2.4
  • 有货
  • 固态继电器(SSR)是砷化镓铝发光二极管、光控三端双向可控硅探测器和主功率三端双向可控硅的集成器件。这些器件非常适合控制高压交流负载,具备固态可靠性,同时在输入与输出之间提供 5 KV 的隔离(Viso (rms))。
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

      ¥3.02
    • 50+

      ¥2.66
  • 有货
  • 由砷化镓红外发光二极管与单片硅探测器光耦合组成,可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于逻辑系统与由115/240 Vac线路供电的设备之间的接口,与可控硅配合使用。简化了115/240 Vac电源的逻辑控制。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7561
    • 50+

      ¥1.3882
    • 130+

      ¥1.2305
  • 有货
  • 固态继电器是砷化镓铝发光二极管、光电三端双向可控硅探测器和主功率三端双向可控硅的集成。这些器件非常适合控制高压交流负载,具有固态可靠性,同时在输入和输出之间提供5 kV隔离(Vso(rms))。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.69
    • 10+

      ¥2.99
    • 50+

      ¥2.64
  • 有货
  • LTV - 0501由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。为光电二极管偏置进行的连接通过减小基极 - 集电极电容,提高了传统光电晶体管耦合器的速度
    数据手册
    • 1+

      ¥3.89
    • 10+

      ¥3.1
    • 30+

      ¥2.71
  • 有货
  • LTV - M601系列由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光电探测器组成。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光电探测器的输出采用集电极开路的肖特基钳位晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥4.87
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.57
  • 有货
  • 提供了广泛的离散红外组件,适用于遥控、红外无线数据传输、安全警报等应用。客户需要具有高功率、高速和宽视角的红外解决方案。产品线包括GaAs 940nm IREDs、AlGaAs高速850nm IREDs、PIN光电二极管和光电晶体管。光电二极管和光电晶体管可配备滤光片,以减少传感器功能中的数字光噪声,从而实现高信噪比。
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.5175 / 个
    该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个 AlGAs 发光二极管,通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。1.0A 峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达 1200V/50A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT,该系列可用于驱动一个分立功率级,该功率级驱动 IGBT 栅极。光耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +105℃ 的温度范围内得到保证。
    数据手册
    • 10+

      ¥2.754
    • 100+

      ¥2.652
    • 200+

      ¥2.448
    • 1000+

      ¥2.346
    • 2000+

      ¥2.244
    由铝镓砷红外发光二极管与光MOSFET光耦合组成,采用SOP4封装,适用于表面贴装。适用于需要节省空间的电池管理系统。
    • 10+

      ¥2.835
    • 100+

      ¥2.73
    • 200+

      ¥2.52
    • 1000+

      ¥2.415
    • 2000+

      ¥2.31
    LTV - 5341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。该光耦合器的工作参数在 -40°C 至 +110°C 的温度范围内得到保证
    数据手册
    • 1+

      ¥5.2
    • 10+

      ¥4.19
    • 30+

      ¥3.68
    • 100+

      ¥3.18
    • 500+

      ¥2.74
    • 1000+

      ¥2.58
  • 订货
  • 特性:电流传输比(CTR:IF = 5mA,VCE = 5V时最小50%)。 输入输出间隔离电压(Viso = 3.75 KVrms)。 采用双传输模技术。 安全认证:UL、cUL、CSA、FIMKO、VDE(需要“V”订购选项)。 符合RoHS标准。应用:需高密度安装的混合基板。 可编程控制器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3955
    • 100+

      ¥0.3161
    • 300+

      ¥0.2752
    • 3000+

      ¥0.2415
    • 6000+

      ¥0.2298
    • 9000+

      ¥0.2218
  • 有货
  • LTV817C 贴片光耦 光电耦合
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3419
    • 100+

      ¥0.28
    • 300+

      ¥0.2482
    • 1000+

      ¥0.1955
    • 5000+

      ¥0.1863
    • 10000+

      ¥0.1802
  • 有货
  • LTV357C 贴片光耦 SOP-4
    数据手册
    • 10+

      ¥0.38
    • 100+

      ¥0.3035
    • 300+

      ¥0.2641
    • 3000+

      ¥0.2317
    • 6000+

      ¥0.2203
    • 9000+

      ¥0.2127
  • 有货
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