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      ¥17.64
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  • 光宝科技(LITEON)的LTV - 172G由一个铝镓砷红外发射二极管和一个光电MOSFET光耦合而成,采用SOP4封装,适用于表面贴装组装。LTV - 172G适用于需要节省空间的电池管理系统。
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    6N137-L由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。光检测器的输出采用集电极开路的肖特基钳位晶体管
    数据手册
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  • 有货
  • LTV - 0601由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出端之间提供了出色的交流和直流隔离。光检测器的输出采用集电极开路的肖特基钳位晶体管
    数据手册
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      ¥3.13
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      ¥2.08
  • 有货
  • 适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带有功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。光电耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +110℃ 的温度范围内得到保证。
    数据手册
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      ¥1.69
  • 有货
  • 该产品由高效的砷化铝镓发光二极管和高速光探测器组成。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在3.3/5V工作电压下,保证了10KV/μs的共模瞬态抗扰度规格。光耦合器的工作参数在-40℃至 + 85℃的温度范围内得到保证。
    数据手册
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      ¥1.96
    • 1000+

      ¥1.86
  • 有货
  • LTV - 341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。2
    • 1+

      ¥4.8
    • 10+

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    • 1000+

      ¥2.57
  • 有货
  • 该系列由高效的铝镓砷发光二极管和高速光电探测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出侧之间提供了出色的交流和直流隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。使能功能允许对光探测器进行选通。内部屏蔽确保了高共模瞬态抗扰度。在3.3V时,保证的共模瞬态抗扰度高达10kV/μs。光耦合器的工作参数在-40°C至+85°C的温度范围内得到保证。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。
    数据手册
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    • 1000+

      ¥2.89
  • 有货
  • LTV - 5341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。该光耦合器的工作参数在 -40°C 至 +110°C 的温度范围内得到保证
    数据手册
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      ¥4.18
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    • 1000+

      ¥2.01
  • 有货
  • 由一个铝镓砷红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合而成,采用SOP4封装,适用于表面贴装组装。LTV - 176G适用于需要节省空间的电池管理系统。
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      ¥3.9
    • 30+

      ¥3.45
    • 100+

      ¥3
    • 500+

      ¥2.71
    • 1000+

      ¥2.57
  • 有货
  • LTV - 5341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。该光耦合器的工作参数在 -40°C 至 +110°C 的温度范围内得到保证
    • 1+

      ¥3.11
    • 10+

      ¥2.43
    • 30+

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