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首页 > 热门关键词 > LRC二极管
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单向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：17A@8/20us
型号：LGSOT05CLT1G 编号：C136182
封装：SOT-23
品牌：LRC(乐山无线电)
LGSOT05CLT1G是一款双片式电压抑制器，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电（ESD）影响。对于正瞬变，它将电压钳位在逻辑电平电源略上方；对于负瞬变，将电压钳位至低于地电位一个二极管压降。仅连接引脚1和2时，它也可作为双向抑制器使用。
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    单向ESD 5V截止
    型号：LESDA6V1W5T1G 编号：C383221
    封装：SC-88A
    品牌：LRC(乐山无线电)
    LESDA6V1W5T1G是一款单片抑制器，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电（ESD）影响。对于正瞬态，该器件将电压钳位在逻辑电平电源略高的位置；对于负瞬态，将电压钳位在地电位以下一个二极管压降的位置。
    数据手册

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    单向 5V截止 峰值浪涌电流：150A@8/20us
    型号：LTVS16H5.0ET5G 编号：C383280
    封装：DFN1610-2
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：5V单向ESD二极管。 低钳位电压。 符合IEC 61000-4-2标准：空气放电±30kV，接触放电±30kV。 符合RoHS标准
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    双向TVS 12V截止 峰值脉冲电流：12A@8/20us
    型号：LGSOT12CLT1G 编号：C136176
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    LGSOT12CLT1G是一款双片式电压抑制器，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电（ESD）影响。对于正瞬变，它将电压钳位在逻辑电平电源略高的位置；对于负瞬变，它将电压钳位到低于地电位一个二极管压降的位置。仅连接引脚1和2时，它也可作为双向抑制器工作。
    数据手册

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    集成电路
    型号：LR321 编号：C2936724
    封装：SOT-23-5
    品牌：LRC(乐山无线电)
    是一款轨到轨输入、输出电压反馈、低功耗的运算放大器。拥有较宽的输入共模电压和输出摆幅；最低工作电压可达2.1V，最大工作电压推荐为5.5V。在60uA功耗的情况下，能提供1MHz增益带宽积。具有极低的输入偏置电流（约10pA级），可用于集成，光电二极管放大器和压电传感器。Rail to Rail输入和输出缓冲也用于单电源系统中的特定集成电路设计。
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    单向 5V截止
    型号：LTVS16H5.0AT5G 编号：C2936699
    封装：DFN1610-2
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：5V单向ESD二极管。 低钳位电压。 符合IEC 61000-4-2标准: -空气放电：±30kV。 -接触放电：±30kV。 RoHS合规
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    ESD 15V 24V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：S-LR1LINT1G 编号：C5201706
    封装：SOD-323
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：超低泄漏电流。 低钳位电压。 ESD保护二极管。 符合IEC 61000-4-2 4级（ESD）。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：20A@8/20us
    型号：LSRV04W-4AT1G 编号：C2936721
    封装：TSOP-6
    品牌：LRC(乐山无线电)
    LSRV04W - 4AT1G是一款4通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对ESD二极管组成，可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间的阵列中集成了一个齐纳二极管。在典型应用中，负轨引脚（指定为GND）与系统地相连。正ESD电流通过ESD二极管和齐纳二极管导向地，正ESD电压被钳位到齐纳电压。LSRV04W - 4AT1G非常适合保护高速数据线。提供三种封装类型，便于PCB布局。
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    单向ESD 10V截止 峰值浪涌电流：90A
    型号：LTVS16H10T5G 编号：C383278
    封装：DFN1610-2
    品牌：LRC(乐山无线电)
    TVS16H是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。TVS16H符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。它采用超小型1.6x1.0x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使TVS16H成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。
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    ESD 5.25V截止 峰值浪涌电流：18A@8/20us
    型号：LESDA6V1LLT1G 编号：C976206
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    LESDA V1LLT1是一款双片式电压抑制器，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电（ESD）影响。对于正瞬态，它将电压钳位在逻辑电平电源略上方；对于负瞬态，它将电压钳位至低于地电位一个二极管压降。仅连接引脚1和2时，它也可作为双向抑制器工作。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：L2N7002SLLT1G 编号：C22446827
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要特殊场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且支持生产件批准程序（PPAP）。 具备ESD保护。 低导通电阻（RDS(on)）。应用：低端负载开关。 电平转换电路

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：L2N7002LT1G 编号：C12779
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,60V,0.115A,225mW
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    NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：LMBT5551LT1G 编号：C49188
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
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    偏置电阻晶体管，带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
    型号：LMUN2233LT1G 编号：C12777
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    这款全新系列的数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有单片偏置网络电阻的单晶体管。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们
    数据手册

    • 30+

      ￥0.0959

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    TVS 5V截止 峰值浪涌电流：9.4A@8/20us
    型号：LESD3Z5.0CMT1G 编号：C172405
    封装：SOD-323
    品牌：LRC(乐山无线电)
    VRWM=5V,Vc=11.6V,Ipp=9.4A 双向
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    • 50+

      ￥0.1063

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      ￥0.0521
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    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：LBSS138LT1G 编号：C8490
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@5V
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      ￥0.064

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    1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
    型号：LBSS84LT1G 编号：C8492
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V
    数据手册

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      ￥0.1378

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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：5.5A
    型号：LESD8D5.0CAT5G 编号：C172411
    封装：SOD-882
    品牌：LRC(乐山无线电)
    LESD8D5.0CAT5G旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小，适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他电路板空间有限的便携式应用。
    数据手册

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    NPN 电流:1500mA 电压:25V
    型号：L8050HQLT1G 编号：C39280
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：小封装大电流容量，集电极电流（IC）= 1.5A。 外延平面型。 NPN互补。 提供无铅封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0767

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    NPN 电流:800mA 电压:25V
    型号：L8050QLT1G 编号：C49581
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：高电流容量，采用紧凑型封装，集电极电流（Ic）为 0.8A。 外延平面型。 有 NPN 互补型号。 提供无铅封装。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用，符合 AEC-Q101 标准并具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.078

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    双向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：9.4A@8/20us
    型号：LESD5Z5.0CT1G 编号：C136167
    封装：SOD-523
    品牌：LRC(乐山无线电)
    LESD5Z5.0CT1G旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。
    数据手册

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      ￥0.1035

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    NPN 电流:1500mA 电压:50V
    型号：LH8050QLT1G 编号：C132810
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：紧凑型封装，高电流容量：IC = 1.5A。 外延平面型。 有无铅封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

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    单向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：9.4A@8/20us
    型号：LESD5Z5.0T1G 编号：C136171
    封装：SOD-523
    品牌：LRC(乐山无线电)
    LESD5Z2.5T1G系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。
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    NPN+PNP 电流:100mA 电压:65V
    型号：LBC846BPDW1T1G 编号：C189598
    封装：SOT-363(SC-88)
    品牌：LRC(乐山无线电)
    这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-363/SC-88封装，适用于低功率表面贴装应用。产品材料符合RoHS要求。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。
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    NPN+PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：LMBT3946DW1T1G 编号：C136169
    封装：SC-88
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。 低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)） ≤ 0.4V。 简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 直流电流增益（hFE）为100-300
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：L2N7002DW1T1G 编号：C383161
    封装：SC-88
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,60V,115mA
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    丝印2X NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：LMBT4401LT1G 编号：C78591
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    NPN 40V 600mA 丝印2X 功能与管脚顺序同长电的MMBT4401
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    单向TVS 3.3V截止 峰值脉冲电流：11.2A@8/20us
    型号：LESD5Z3.3T1G 编号：C136161
    封装：SOD-523
    品牌：LRC(乐山无线电)
    LESD5Z2.5T1G系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：LBSS123LT1G 编号：C8491
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V
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    hfe=200~450 NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：LBC846BLT1G 编号：C12733
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：湿度敏感度等级：1。 ESD 评级-人体模型：>4000 V。 ESD 评级-机器模型：>400 V。 产品材料符合 RoHS 要求
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