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HMC390LP4E 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖3.55到3.9 GHz的频率范围，相位噪声性能优异。

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￥130.4208 / 个

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型号：HMC506LP4 编号：C1558212

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC506LP4 是一个GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。工作频率范围为7.8到8.7 GHz，相位噪声性能优异，输出功率为+14 dBm。

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￥318.5892 / 个

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型号：HMC385LP4ETR 编号：C661854

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC385LP4ETR 是一款 GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖2.25到2.5 GHz频段，相位噪声性能优秀，单电源3V供电，典型输出功率为4.5 dBm。

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型号：HMC507LP5E 编号：C1558225

封装：QFN-32-EP(5x5)

HMC507LP5E 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成谐振器、负阻器件、变容二极管，具有半频输出。无需外部谐振器。

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￥301.104 / 个

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型号：HMC534LP5 编号：C7455774

封装：QFN-32(5x5)

GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）MMIC压控振荡器（VCO）集成了谐振器、负阻器件、变容二极管，具有半频和四分频输出。由于振荡器的单片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺方面表现出色。在+5V电源电压下，典型功率输出为+11dBm。如果不需要，可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。压控振荡器采用无铅QFN 5x5mm表面贴装封装，无需外部匹配元件。

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型号：HMC531LP5 编号：C1558241

封装：QFN-32-EP(5x5)

HMC531LP5 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件和变容二极管，提供半频和四分频输出。该 VCO 的相位噪声性能在温度、冲击和工艺变化下表现优异，输出功率为 +7 dBm，工作电压为 +5V。

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型号：HMC6380LC4BTR 编号：C2151501

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC6380LC4BTR 是一款宽频带单片压控振荡器，集成了谐振器、负阻元件和变容二极管。输出功率和相位噪声性能优异，工作温度范围内表现稳定。调谐电压范围为 0 至 +23V，工作电压为 +5V，功耗仅为 75mA，采用无铅陶瓷 SMT 封装。

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￥779.93

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型号：HMC1057 编号：C605637

封装：-

HMC1057是一款次谐波泵浦MMIC混频器，可用作图像抑制混频器（IRM）或单边带上变频器。该混频器采用GaAs肖特基二极管技术制造。

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￥1155.66
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￥447.23
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型号：HMC1057-SX 编号：C605769

封装：-

HMC1057-SX是一款次谐波泵浦MMIC混频器，可用作图像抑制混频器（IRM）或单边带上变频器。该混频器采用GaAs肖特基二极管技术制造。

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型号：HMC-MDB277-SX 编号：C605841

封装：SMD

HMC-MDB277-SX 是一款无源双平衡MMIC混频器，利用GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Shottky二极管技术，可在上变频和下变频中使用。

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型号：HMC-VVD104-SX 编号：C605850

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HMC-VVD104-SX 是一款单片 GaAs PIN 二极管电压可变衰减器 (VVA)，具有低插入损耗、高 IP3 和宽动态范围。平衡拓扑结构提供出色的回波损耗，单控制电压可应用于芯片的任一侧。所有键合焊盘和芯片背面均采用 Ti/Au 金属化，并且 PIN 二极管完全钝化，确保可靠运行。

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型号：ADL6010ACPZN-R2 编号：C657793

封装：LFCSP-6(2x2)

ADL6010是一款多功能宽带包络检波器，覆盖微波频谱。它提供了一种简单易用的6引脚格式。输出是一个基带信号样本，与传统二极管检波器相比有显著改进。

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型号：HMC-C028 编号：C605956

封装：-

HMC-C028 是一款宽带 GaAs InGaP 压控振荡器，集成了谐振器、负阻元件和变容二极管。内部电压调节器提供出色的频率推动性能，输出缓冲放大器将输出功率提升至 +20 dBm，足以驱动一到两个混频器。相位噪声性能在温度范围内表现出色，由于振荡器的单片结构。调谐端口接受 0 至 +18V 的模拟调谐电压。HMC-C028 VCO 从单个 +8V 至 +15V 电源供电，并封装在密封模块中。

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型号：AD8541AKS-R2 编号：C4368200

封装：SC-70-5

是单电源放大器，具有轨到轨输入和输出，特点是低电源电流和1MHz带宽。所有型号都保证能在2.7V单电源和5V电源下工作。每个放大器的低电流消耗下可提供1MHz带宽。非常低的输入偏置电流使该放大器可用于积分器、光电二极管放大器、压电传感器和其他高源阻抗应用。每个放大器的电源电流仅为45μA，非常适合电池供电。轨到轨输入和输出对单电源系统中缓冲ASIC的设计人员很有用。该放大器经过优化，可在较低电源电压下保持高增益，适用于有源滤波器和增益级。工作温度范围为-40℃至+125℃。

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型号：MAX5548ETE+T 编号：C2679695

封装：TQFN-16-EP(3x3)

MAX5548是一款双通道8位数模转换器，具有高输出电流能力。每个DAC可以提供高达30mA的输出电流，适用于PIN二极管偏置应用。输出也可以并联用于高电流应用（最高可达60mA）。

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￥44.8416 / 个

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型号：MAX5548ETE+ 编号：C7460713

封装：TQFN-16-EP(3x3)

MAX5548是一款双通道8位数模转换器，具有高输出电流能力。每个DAC可以提供高达30mA的输出电流，适用于PIN二极管偏置应用。输出也可以并联用于高电流应用（最高可达60mA）。

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￥38.34 / 个

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型号：MAX632ACSA+ 编号：C1355532

封装：SOIC-8

5V固定/可调输出、升压型、开关稳压器、集成整流二极管，减少元件数量

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型号：LT3470IDDB#PBF 编号：C7452885

封装：DFN-8(2x3)

LT3470是一款低功耗降压DC/DC转换器,集成300mA功率开关、捕获二极管和升压二极管。具有4V至40V的宽输入电压范围,输出电压范围为1.25V至16V,最大输出电流为200mA。静态电流仅为26μA,适用于电池供电系统。

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型号：MAX1678ESA 编号：C3187078

封装：SOIC-8