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首页 > 热门关键词 > MAXIM二极管
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是精确的双通道数字温度传感器。每个传感器都能精确测量自身管芯和一个远程PN结的温度,并通过两线串行接口以数字形式报告温度。远程结可以是低成本NPN型2N3904或PNP型2N3906等二极管连接的晶体管,也可以是微处理器的衬底PNP等共集电极PNP。两线串行接口接受标准系统管理总线(SMBus)命令,如写字节、读字节、发送字节和接收字节,以读取温度数据并编程报警阈值和转换速率
数据手册
  • 1+

    ¥44.047 ¥51.82
  • 10+

    ¥43.0695 ¥50.67
  • 30+

    ¥42.415 ¥49.9
  • 100+

    ¥41.7605 ¥49.13
  • 有货
  • 是微功耗、高度集成的电源管理和电池充电IC,适用于单节锂离子/聚合物电池应用。它们包括一个具有自动负载优先级的PowerPath管理器、一个电池充电器、一个理想二极管和众多内部保护功能。专为USB应用设计,可自动将输入电流限制在最大100mA或500mA。电池充电电流会自动降低,以使负载电流和充电电流之和不超过所选的输入电流限制。还包括两个同步降压开关稳压器以及一个按钮控制器。在待机模式下启用所有电源时,从电池汲取的静态电流仅为10μA。
    数据手册
    • 1+

      ¥44.08
    • 10+

      ¥42.95
    • 30+

      ¥42.2
    • 100+

      ¥41.0355 ¥41.45
  • 有货
  • 具有2.5μA静态电流和集成二极管的40V、350mA降压型稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥45.88
    • 10+

      ¥44.66
    • 30+

      ¥43.85
  • 有货
  • LTC5532是一款用于RF应用的300MHz至7GHz范围内的RF功率检测器。它结合了温度补偿肖特基二极管峰值检测器和缓冲放大器,封装在小型ThinSOT或2mm x 2mm DFN封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥49.06
    • 10+

      ¥42.28
    • 30+

      ¥38.15
    • 100+

      ¥34.69
  • 有货
  • LT8309是一款次级侧同步整流驱动器,在反激拓扑中替代输出整流二极管。通过用N沟道MOSFET替换二极管,应用不再受制于输出二极管的热限制。该IC通过检测漏源电压来确定电流何时变为负值,从而模拟二极管的行为。LT8309的低最小导通和关断时间有助于提高噪声免疫力。26ns的快速传播延迟允许在不连续传导模式(DCM)和临界传导模式(CrCM)下工作。栅极驱动器具有一个0.8Ω拉低器件,实现快速关闭。40V VCC额定值允许该部件由输出电压或MOSFET整流漏极电压驱动。400uA的低静态电流在低输出电流时最大化效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥49.68
    • 10+

      ¥48.53
    • 30+

      ¥47.76
    • 100+

      ¥41.8211 ¥46.99
  • 有货
  • LT3462/LT3462A 是通用固定频率电流模式反相 DC/DC 转换器。两款器件均集成了肖特基二极管和低 VCESAT 开关,可减小转换器尺寸并降低元件成本。LT3462 的开关频率为 1.2MHz,而 LT3462A 的开关频率为 2.7MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥49.96
    • 10+

      ¥48.69
    • 30+

      ¥47.83
  • 有货
  • LT3483/LT3483A 是微功率反相 DC/DC 转换器,集成肖特基二极管和单电阻反馈。小巧的封装尺寸、高集成度以及纤巧的表面贴装元件的使用,使解决方案尺寸小至 40mm²。这些器件的静态电流在空载时仅为 40µA,关断时则进一步降至 0.1µA。电流限制、固定关断时间控制方案可节省工作电流,从而在宽负载电流范围内实现高效率。精确调整的 10µA 反馈电流可实现单电阻反馈,几乎消除了输出的反馈负载。40V 开关无需使用昂贵的变压器即可产生高达 -38V 的电压输出。
    数据手册
    • 1+

      ¥57.17
    • 10+

      ¥55.24
  • 有货
  • 具有2.5μA静态电流和集成二极管的40V、350mA降压型稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥58.72
    • 10+

      ¥56.61
  • 有货
  • 结合高速CMOS和单片变压器技术,这些隔离组件提供了优于光耦等替代方案的出色性能特性。避免使用LED和光电二极管,iCoupler设备消除了通常与光耦相关的设计难题。iCoupler数字接口简单,性能特性稳定,消除了与光耦合器有关的典型问题,如不确定的电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响。这些iCoupler产品无需外部驱动器和其他分立组件
    数据手册
    • 1+

      ¥58.99
    • 10+

      ¥57.62
    • 30+

      ¥56.71
    • 100+

      ¥49.662 ¥55.8
  • 有货
  • 是四通道数字隔离器,基于iCoupler技术,支持高达150 Mbps的数据速率。结合高速CMOS和单片空心变压器技术,性能优于光耦合器等替代产品。避免使用LED和光电二极管,消除了与光耦合器相关的设计难题,如不确定的电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响。无需外部驱动器和其他分立组件。功耗仅为光耦合器的十分之一到六分之一。提供四种独立的隔离通道,有多种通道配置。工作时两侧的电源电压范围为3.0 V至5.5 V,与低电压系统兼容,并能实现隔离屏障上的电压转换功能。具有低脉冲宽度失真和紧密的通道间匹配特性。拥有专利的刷新功能,可确保在没有输入逻辑转换以及上电/掉电条件下的直流正确性。
    • 1+

      ¥66.28
    • 10+

      ¥56.89
    • 47+

      ¥51.17
  • 有货
  • 4通道数字隔离器基于iCoupler技术,结合高速CMOS和单片空心变压器技术,提供出色的性能,优于光耦合器等替代方案。通过避免使用LED和光电二极管,iCoupler器件消除了与光耦合器相关的设计难题。简单的iCoupler数字接口和稳定的性能特性消除了典型光耦合器对不确定电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响的担忧。此外,在可比的信号数据速率下,iCoupler器件的功耗仅为光耦合器的十分之一到六分之一
    数据手册
    • 1+

      ¥70.06
    • 10+

      ¥60.14
    • 30+

      ¥54.09
  • 有货
  • 双路数字隔离器基于iCoupler技术,结合高速CMOS和单片变压器技术,性能优于光耦合器。避免使用LED和光电二极管,消除了与光耦合器相关的设计难题。消除了光耦合器常见的电流传输比不确定、传输函数非线性、温度和寿命影响等问题,具有简单的数字接口和稳定的性能。无需外部驱动器和其他分立元件,在可比信号数据速率下,功耗是光耦合器的十分之一到六分之一
    数据手册
    • 1+

      ¥71.55
    • 10+

      ¥61.63
    • 30+

      ¥55.58
  • 有货
  • MAX17332是一款静态电流(IQ)为35μA的独立充电器、电量计、保护器以及单节锂离子/聚合物电池内部自放电检测IC。当存在电压源时,该IC采用AccuCharge™充电器技术,通过调节充电N沟道FET来控制充电过程。它可调节充电电压、电流和FET温度。非易失性存储器的灵活配置支持独立充电。该IC支持以下应用:低功耗充电• 可直接从通用5V USB获取1mA至500mA电流进行充电• 无需进行USB识别/协调高功率并联电池组(>1000mA)• 可独立为并联电池组充电• 防止并联电池之间的交叉充电• 通过警报协调外部DC - DC转换器• 最大限度减少压降和发热保护和充电控制——电池组或主机端该IC的理想二极管电路支持对系统瞬态和适配器移除做出快速响应,且CHG FET两端的压降较低。该IC采用ModelGauge™ m5 EZ算法,将库仑计数器的短期精度和线性度与基于电压的电量计的长期稳定性相结合,提供业界领先的精度。该IC可自动补偿电池老化、温度和放电速率的影响,在广泛的工作条件下,以毫安时(mAh)或百分比(%)的形式提供准确的充电状态(SOC)。该IC监测电池的电压、电流、温度和状态,防止过压/欠压、过流、短路、过温/欠温以及过充情况,并利用外部高端N沟道FET提供内部自放电保护,确保锂离子/聚合物电池在安全条件下工作,从而延长电池使用寿命。
    • 1+

      ¥71.96
    • 10+

      ¥62.3
    • 50+

      ¥56.4
    • 100+

      ¥45.8083 ¥51.47
  • 有货
  • ADPD188GG是一款完整的光度测量系统,旨在测量环境光以及同步反射发光二极管(LED)脉冲产生的光信号。同步测量具备业界领先的环境光干扰抑制能力,无论是直流还是交流干扰。该模块集成了一个高效的光度测量前端、两个LED和两个光电二极管(PD)
    数据手册
    • 1+

      ¥72.95
    • 10+

      ¥70.51
    • 14+

      ¥66.9845 ¥70.51
  • 有货
  • 是GaAs InGaP异质结双极晶体管(HBT)单片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖7.1至7.9 GHz,由于振荡器的单片结构,VCO的相位噪声性能在温度、冲击和振动条件下表现出色。典型功率输出为+14 dBm,采用+3V单电源供电,电流为85 mA。压控振荡器采用4 x 4 mm无铅QFN表面贴装封装。
    • 1+

      ¥135.778 ¥234.1
    • 30+

      ¥129.5198 ¥223.31
  • 有货
  • GaAs InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMIC VCO,集成了谐振器、负阻器件、变容二极管,具有半频和四分频输出。由于振荡器的单片结构,VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺方面表现出色。从+5V电源电压输出的功率典型值为+10 dBm。如果不需要,可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。压控振荡器采用无铅QFN 5x5 mm表面贴装封装,无需外部匹配组件。
    • 1+

      ¥231.77 ¥236.5
    • 10+

      ¥223.685 ¥228.25
  • 有货
  • AD587代表了先进的单片电压基准源的重大进步。采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管和对高稳定性薄膜电阻进行激光晶圆微调技术,AD587以低成本提供了卓越的性能。与带隙电压基准源相比,掩埋齐纳二极管的基准设计方法具有更低的噪声和漂移。AD587提供了一个降噪引脚,可用于进一步降低掩埋齐纳二极管产生的噪声水平。AD587推荐用作需要外部精密基准源的8位、10位、12位、14位或16位DAC的基准源。该器件也非常适合用于精度高达14位的逐次逼近型或积分型ADC。一般来说,它的性能优于标准的片上基准源。AD587J和AD587K规定的工作温度范围为0℃至70℃,AD587U规定的工作温度范围为 -55℃至 +125℃。AD587JQ和AD587UQ型号采用8引脚CERDIP封装。其他型号提供适用于表面贴装应用的8引脚SOIC封装或8引脚PDIP封装。
    • 1+

      ¥233.21
    • 30+

      ¥221.36
  • 有货
  • GaAs InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMIC VCO集成了谐振器、负阻器件、变容二极管,具有半频输出。由于振荡器的单片结构,VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺方面表现出色。从+5V电源获得的典型功率输出为+13 dBm。压控振荡器采用无铅QFN 5x5 mm表面贴装封装,无需外部匹配元件。
    • 1+

      ¥254.6432 ¥259.84
    • 30+

      ¥241.0016 ¥245.92
  • 有货
  • 是高精度的±10V跟踪参考源。低跟踪误差、低初始误差和低温漂,使其具有出色的±10V绝对精度性能。采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管,以及对高稳定性薄膜电阻进行激光晶圆漂移微调,以提供出色的性能。包含基本参考单元和三个附加放大器,放大器经过激光微调,具有低失调和低漂移特性,可保持参考源的精度
    数据手册
    • 1+

      ¥648.98
    • 30+

      ¥616
  • 有货
  • 是一款可调频率(300kHz 至 2.8MHz)的单片降压开关稳压器,可接受高达 34V(最大 36V)的输入电压。芯片上集成了一个高效的 0.18Ω 开关、一个升压肖特基二极管以及必要的振荡器、控制和逻辑电路。采用电流模式拓扑,具有快速瞬态响应和良好的环路稳定性。高工作频率允许使用小型、低成本的电感器和陶瓷电容器,从而在保持总解决方案尺寸最小的同时实现低输出纹波
    数据手册
    • 1+

      ¥20.13
    • 10+

      ¥19.64
    • 30+

      ¥19.31
  • 有货
  • LTC5531是一款适用于RF应用的300MHz至7GHz范围内的RF功率检测器。它结合了一个温度补偿的肖特基二极管峰值检测器和缓冲放大器,封装在小型TSOT-23封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.51
    • 10+

      ¥28.6
    • 30+

      ¥25.6
  • 有货
  • LT8309是一款次级侧同步整流驱动器,在反激拓扑中替代输出整流二极管。通过用N沟道MOSFET替换二极管,应用不再受制于输出二极管的热限制。该IC通过检测漏源电压来确定电流何时变为负值,从而模拟二极管的行为。LT8309的低最小导通和关断时间有助于提高噪声免疫力。26ns的快速传播延迟允许在不连续传导模式(DCM)和临界传导模式(CrCM)下工作。栅极驱动器具有一个0.8Ω拉低器件,实现快速关闭。40V VCC额定值允许该部件由输出电压或MOSFET整流漏极电压驱动。400uA的低静态电流在低输出电流时最大化效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.43
    • 10+

      ¥33.6
    • 30+

      ¥33.04
  • 有货
  • LTC5509是一款适用于300MHz至3GHz频率范围的RF功率检测器。它集成了温度补偿的内部肖特基二极管峰值检测器和缓冲放大器,封装在小型SC70封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥43.68
    • 10+

      ¥42.67
    • 30+

      ¥42
  • 有货
  • ADR291和ADR292是采用XFET基准电路的低噪声、微功耗精密电压基准源。与传统的基于带隙和埋入式齐纳二极管的基准源相比,全新的XFET架构显著提升了性能。这些改进包括:在相同电流下工作时,电压噪声输出仅为带隙基准源的四分之一;极低且超线性的温度漂移;低热滞;以及出色的长期稳定性
    数据手册
    • 1+

      ¥49.48
    • 10+

      ¥48.28
    • 30+

      ¥47.48
  • 有货
  • 具 2.5μA 静态电流和集成二极管的 62V、350mA 降压型稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥62.87
    • 10+

      ¥60.82
  • 有货
  • 具 2.5μA 静态电流和集成型二极管的 42V、750mA 降压型稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥76.29
    • 10+

      ¥72.61
    • 50+

      ¥66.23
  • 有货
  • I2C 可编程四通道单芯片升压发光二极管驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥77.15
    • 10+

      ¥74.32
  • 有货
  • 是一个功能完整的四象限模拟乘法器,包括高阻抗差分X和Y输入以及高阻抗求和输入(Z)。低阻抗输出电压由掩埋齐纳二极管提供,标称满量程为10V。激光校准保证满量程总精度为2%,Y输入的非线性通常小于0.1%,在10Hz至10kHz带宽内,输出端的噪声通常小于100μV rms。具有1MHz带宽、20V/μs压摆率,能够驱动容性负载,适用于对简单性和成本有要求的各种应用。Z输入可访问输出缓冲放大器,用户可对两个或多个乘法器的输出求和、增加乘法器增益、将输出电压转换为电流以及配置各种应用。
    数据手册
    • 单价:

      ¥139.14 / 个
  • 有货
  • 是一款脉冲宽度调制器,适用于需要单向或双向驱动电路的热电冷却器(TEC)或加热器应用。所有必要的控制电路和两组互补输出驱动器集成在一起,以驱动全桥,为TEC提供高效的双向电流。只需添加几个外部组件,即可轻松实现精确的温度控制回路,以稳定激光二极管系统的温度,可实现典型的温度设定点精度为 0.1°C。增加一个仪表放大器前端可实现 0.01°C 的设定点稳定性。
    数据手册
    • 1+

      ¥348.48
    • 10+

      ¥336.32
  • 有货
  • 控制外部P沟道MOSFET,创建近乎理想的二极管功能,用于电源切换或负载共享。可实现多个电源的高效OR连接,延长电池寿命并降低自发热。导通时,MOSFET两端的电压降通常为20mV。对于带有壁式适配器或其他辅助电源的应用,当连接辅助电源时,负载会自动与电池断开
    数据手册
    • 1+

      ¥18.11
    • 10+

      ¥17.68
    • 30+

      ¥17.39
  • 有货
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