micron二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MT29F1G01ABAFDWB-IT:F 编号：C2905686

封装：UPDFN-8

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）技术。1Gb密度。页面大小x1：2176字节（2048 + 128字节）。块大小：64页（128K + 8K字节）。平面大小：1Gb（1个平面，每个平面1024个块）。标准和扩展SPI兼容串行总线接口

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1+
￥28.1
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￥27.46
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￥27.04

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型号：MT41K256M16TW-093:P 编号：C2064402

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。

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￥72.48
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￥60.17
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￥54.22

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型号：MT41K128M16JT-107 IT:K 编号：C1351618

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

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1+
￥73.98
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￥70.52
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￥64.51

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型号：MT25QU512ABB8E12-0SIT 编号：C2061934

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR中所有协议最高166 MHz；DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议、双I/O协议、四I/O协议。就地执行 (XIP)

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1+
￥209.64
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￥201.24

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型号：MT41K512M16HA-125:A 编号：C410866

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

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￥289.73
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￥246.34

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型号：MT25QL512ABB8E12-0SIT TR 编号：C1351495

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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￥433.47
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￥413.82

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型号：MT53D1024M32D4DT-053 WT:D 编号：C2911184

封装：BGA

品牌：micron(镁光)

1+
￥525.15
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￥501.88

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型号：MT53D512M32D2DS-053 WT:D 编号：C476209

封装：WFBGA-200

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称值1.80V），VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称值1.10V），VDDQ(overline) = 1.06-1.17V（标称值1.10V）或低VDDQ = 0.57-0.65V（标称值0.60V）。频率范围2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/pin）。 16n预取DDR架构。每个通道8个内部存储体，用于并发操作

1+
￥713.14
30+
￥622

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型号：MT40A1G16KD-062E IT:E 编号：C5330483

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

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1+
￥823.34
3+
￥782.66
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￥742

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型号：MT25QL256ABA8E12-1SIT 编号：C598832

封装：TPBGA-24

品牌：micron(镁光)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

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￥54.44
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￥53.15
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￥52.29

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型号：MT25QU01GBBB1EW9-0SIT 编号：C17366270

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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￥218.61
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￥211.31

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型号：MT25QL01GBBB8E12-0SIT 编号：C5128467

封装：TPBGA-24

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb管芯）。 SPI兼容串行总线接口。单双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最高133MHz。所有DTR协议的时钟频率最高90MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90MB/s

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￥687.03
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￥659.92

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型号：MT53E1G32D2FW-046 WT:B 编号：C20453120

封装：200-TFBGA(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

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￥907.09
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￥850

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型号：MT29F1G08ABAEAWP:E 编号：C2912232

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 512 块

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￥17.83
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￥17.42
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￥17.14

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型号：MT25QU128ABA1EW9-0SIT TR 编号：C2065307

封装：W-PDFN-8-EP(8x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率:STR下所有协议最高166 MHz。DTR下所有协议最高90 MHz

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￥43.35
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￥34.58

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型号：MT29F2G08ABAGAWP-IT:G 编号：C2891524

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2176字节 (2048 + 128字节)。块大小：64页 (128K + 8K字节)。平面大小：2个平面，每个平面1024个块。设备大小：2Gb，2048个块

1+
￥46.22
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￥45.04
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￥44.25

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型号：MT41K128M16JT-125 AAT:K 编号：C2909868

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。

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￥63.65
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型号：MT28EW128ABA1HJS-0SIT 编号：C598842

封装：TSOP-56

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：128Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16字或32字节。页访问：20ns

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￥75.86
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￥72.38
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￥66.34

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型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C524858

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

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￥108.88
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￥82.95

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型号：MT41K256M8DA-125:K 编号：C393874

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 器件是 1.5V DDR3 SDRAM 器件的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。

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￥121.88
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￥112.61

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型号：MT47H128M16RT-25E IT:C 编号：C477948

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-FBGA（9x12.5）

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型号：MT40A256M16LY-062E IT:F 编号：C504879

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV，片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O，TC 最高可达 95°C。 64ms，8192 周期刷新，最高可达 85°C。 32ms，8192 周期刷新，在 >85°C 至 95°C 时。 16 个内部存储体 (x4,x8)：每组 4 个存储体，共 4 组

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￥210.67
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型号：MT40A512M16TB-062E:R 编号：C2887392

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O

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型号：MT53D512M32D2DS-046 WT:D 编号：C22437469

封装：WFBGA-200(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称1.80V），VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称1.10V），VDDQ(overline) = 1.10V（标称）或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V（标称0.60V）。频率范围2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/Pin）。 16n预取DDR架构。每个通道8个内部存储体，可并发操作

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￥557.59
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￥533

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型号：MT40A512M16TB-062E IT:R 编号：C27063331

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

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￥660.19
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￥627.16

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型号：MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1 编号：C5128472

封装：-

品牌：micron(镁光)

单价：
￥1598.94 / 个

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型号：MTFDDAK1T9TDT-1AW15ABYY 编号：C5128492

封装：-

品牌：micron(镁光)

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单价：
￥8342.29 / 个

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型号：MT46H32M16LFBF-5 IT:C 编号：C2061960

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD / VDDQ = 1.70–1.95V。每字节数据双向数据选通 (DQS)。内部流水线双倍数据速率 (DDR) 架构；每个时钟周期两次数据访问。差分时钟输入 (CK 和 CK#)

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1+
￥63.43
10+
￥54.05
30+
￥48.33

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型号：MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2887393

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能 I/O 操作。这些设备使用高度复用的 8 位总线 (I/Ox) 来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态 (R/B#)。

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1+
￥70.77
10+
￥63.03
30+
￥58.31
100+
￥49.46

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型号：MTFC4GACAALT-4M IT 编号：C2909877

封装：TBGA-100

品牌：micron(镁光)

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￥73.36
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￥67.37
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