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首页 > 热门关键词 > micron二极管
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  • 订货
  • 特性:超低电压核心和I/O电源:VDD1(overline) = 1.70-1.95V(标称值1.80V),VDD2(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V),VDDQ(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V)或低VDDQ = 0.57-0.65V(标称值0.60V)。 频率范围2133-10 MHz(数据速率范围:4266-20 Mb/s/Pin)。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体,可并发操作
    • 1+

      ¥131.08
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      ¥289.18
  • 订货
  • 特性:堆叠设备(四个512Mb裸片)。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 所有STR协议的时钟频率最大为133MHz。 所有DTR协议的时钟频率最大为90MHz。 双/四I/O命令,吞吐量高达90MB/s
    数据手册
    • 1+

      ¥165.432
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  • 订货
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    • 100+

      ¥13.81
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      ¥30.64
    • 30+

      ¥30.11
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      ¥29.58
  • 订货
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    • 30+

      ¥27.04
    • 100+

      ¥24.38
  • 订货
  • 128Mb SDRAM,具有同步接口,内部配置为四组bank,每个bank2兆x16位x4组。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.4
    • 10+

      ¥32.76
    • 30+

      ¥29.94
    • 100+

      ¥27.57
  • 订货
    • 1+

      ¥48.97
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    • 30+

      ¥36.97
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    • 30+

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    • 10+

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    • 30+

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    • 100+

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  • 订货
  • 特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV,片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O,TC 最高可达 95°C。 64ms,8192 周期刷新,最高可达 85°C。 32ms,8192 周期刷新,温度范围为 >85°C 至 95°C。 16 个内部存储体 (x4, x8):每组 4 个存储体,共 4 组
    数据手册
    • 1+

      ¥77.71
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      ¥50.61
  • 订货
  • 128Mb SDRAM,4兆 x 32位,4个bank,支持PC100标准,完全同步,所有信号在系统时钟的上升沿注册。具有内部流水线操作,可编程突发长度为1、2、4、8或全页,支持自动预充电和自刷新模式。工作温度范围包括商业级(0°C至70°C)、工业级(-40°C至85°C)和汽车级(-40°C至105°C)。
    数据手册
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      ¥80.83
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      ¥104.3
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      ¥95.79
    • 100+

      ¥88.36
  • 订货
  • 16Gb DDR4 SDRAM 芯片;两个 x8 组合成一个 x16。它使用与单 x16 类似的信号,并且有一个额外的 ZQ 连接用于更快的 ZQ 校准,以及一个 x8 寻址所需的 BG1 控制信号。
    • 1+

      ¥114.63
    • 10+

      ¥108.85
    • 30+

      ¥98.84
    • 100+

      ¥90.1
  • 订货
    • 单价:

      ¥168.75 / 个
  • 订货
    • 1+

      ¥197.19
    • 10+

      ¥187.02
  • 订货
  • 特性:堆叠设备(两个512Mb裸片)。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量高达90 MB/s
    数据手册
    • 1+

      ¥202.01
    • 30+

      ¥191.57
  • 订货
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    • 10+

      ¥7.88
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      ¥5.53
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