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描述

价格(含税)

库存

操作

电压:30V 电流:2A

型号：MBRS130LT3G 编号：C51771

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.8188
50+
￥0.6498
150+
￥0.5654
500+
￥0.502
2500+
￥0.3985
5000+
￥0.3732

有货

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独立式耐压:16V 电流:0.5uA@12.2V

型号：1SMA5930BT3G 编号：C128848

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.8774
50+
￥0.7124
150+
￥0.6299
500+
￥0.568
2500+
￥0.5185
5000+
￥0.4937

有货

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耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：15ns

型号：ES1D 编号：C84602

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

数据手册

5+
￥0.8853
50+
￥0.7102
150+
￥0.6226
500+
￥0.5569
2500+
￥0.413
7500+
￥0.3868

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2V

型号：SZMM3Z5V1T1G 编号：C152297

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

5+
￥0.92
50+
￥0.7699
150+
￥0.6949
500+
￥0.6386

有货

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独立式耐压:16V 电流:1uA@12.2V

型号：1SMB5930BT3G 编号：C235979

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0692
50+
￥0.8315
150+
￥0.7296
500+
￥0.6025
2500+
￥0.5339
5000+
￥0.5

有货

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独立式耐压:36V 电流:1uA@27.4V

型号：1SMB5938BT3G 编号：C48869

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0973
50+
￥0.8629
150+
￥0.7625
500+
￥0.6372
2500+
￥0.5357
5000+
￥0.5022

有货

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独立式耐压:24V 电流:1uA@18.2V

型号：1SMB5934BT3G 编号：C142360

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1017
50+
￥0.8835
150+
￥0.79
500+
￥0.6733
2500+
￥0.6061
5000+
￥0.5749

有货

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独立式耐压:8.2V 电流:5uA@1V

型号：1SMB5923BT3G 编号：C235766

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥1.1177
50+
￥0.876
150+
￥0.7724
500+
￥0.6432
2500+
￥0.5856
5000+
￥0.5511

有货

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独立式耐压:30V 电流:0.5uA

型号：1SMA5936BT3G 编号：C235765

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1639
50+
￥0.9386
150+
￥0.8421
500+
￥0.7216
2500+
￥0.6133
5000+
￥0.5811

有货

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耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：75ns

型号：MURS140T3G 编号：C21243

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.1869
50+
￥0.9374
150+
￥0.8305
500+
￥0.6971
2500+
￥0.553
5000+
￥0.5174

有货

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独立式耐压:13V 电流:1uA@9.9V

型号：1SMB5928BT3G 编号：C53168

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.1909
50+
￥0.9346
150+
￥0.8247
500+
￥0.6877
2500+
￥0.5758
5000+
￥0.5391

有货

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独立式耐压:3.9V 电流:25uA@1V

型号：1SMB5915BT3G 编号：C152473

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.2122
50+
￥0.9527
150+
￥0.8415
500+
￥0.6369
2500+
￥0.5751
5000+
￥0.538

有货

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独立式耐压:7.5V 电流:5uA@6V

型号：1SMB5922BT3G 编号：C50528

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.4818
50+
￥1.1967
150+
￥1.0745
500+
￥0.922
2500+
￥0.7366
5000+
￥0.6959

有货

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电压:20V 电流:4A

型号：MBRS320T3G 编号：C236151

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.8312
50+
￥1.4265
150+
￥1.2531
500+
￥1.0367
2500+
￥0.9403
5000+
￥0.8825

有货

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电压:100V 电流:3A

型号：MBRS3100T3G 编号：C12790

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该器件在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低压、高频整流，或作为续流和极性保护二极管，应用于尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中

数据手册

5+
￥2.0312
50+
￥1.6366
150+
￥1.3795
500+
￥1.1684
2500+
￥1.0744
5000+
￥1.0181

有货

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耐压:200V 电流:4A 反向恢复时间：35ns

型号：MUR420RLG 编号：C13431

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

5+
￥2.1165
50+
￥1.6427
150+
￥1.4397
1500+
￥1.1863
3000+
￥1.0735
4500+
￥1.0058

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:1uA

型号：1N5338BRLG 编号：C5307

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥2.4048
50+
￥1.9213
150+
￥1.7141
500+
￥1.3059
2500+
￥1.1908
4000+
￥1.1217

有货

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600V 1A

型号：ES1JAF 编号：C896698

封装：DO-214AD

品牌：onsemi(安森美)

特性：快速开关速度：最大Trr 35 ns。超薄外形：最大高度1.0 mm。玻璃钝化结。 UL可燃性94V-0分类。 MSL 1。绿色模塑料。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥2.58
10+
￥2.01
30+
￥1.77
100+
￥1.46
500+
￥1.33
1000+
￥1.24

有货

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电压:45V 电流:10A

型号：MBRD1045T4G 编号：C110907

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

1+
￥3.34
10+
￥2.67
30+
￥2.33
100+
￥1.95
500+
￥1.75
1000+
￥1.65

有货

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电压:60V 电流:3A

型号：MBRD360T4G 编号：C10667

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器用作开关电源、逆变器和其他电感开关电路中的输出整流器、续流、保护和转向二极管。

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.96
30+
￥2.63
100+
￥2.3
500+
￥2.08
1000+
￥1.97

有货

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耐压:200V 电流:15A 反向恢复时间：35ns

型号：MUR1520G 编号：C150062

封装：ITO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

1+
￥6.23
10+
￥4.99
50+
￥4.38
100+
￥3.76
500+
￥3.4
1000+
￥3.21

有货

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电压:45V 电流:10A

型号：MBR1045G 编号：C79734

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

数据手册

1+
￥6.31
10+
￥5.27
50+
￥4.11
100+
￥3.59
500+
￥3.28
1000+
￥3.12

有货

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耐压:1.2kV 电流:8A 反向恢复时间：70ns

型号：RHRP8120 编号：C11770

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

数据手册

1+
￥8.71
10+
￥7.2
50+
￥6.25
100+
￥5.31
500+
￥4.9
800+
￥4.71

有货

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电压:200V 电流:10A

型号：MBRB20200CTT4G 编号：C236141

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

数据手册

1+
￥8.74
10+
￥7.15
30+
￥6.28
100+
￥5.3
500+
￥4.86
800+
￥4.66

有货

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耐压:600V 电流:30A 反向恢复时间：45ns

型号：RHRP3060 编号：C11772

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP3060 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

数据手册

1+
￥16.48
10+
￥14.34
50+
￥11.9
100+
￥10.52
500+
￥9.9
800+
￥9.63

有货

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100V 200mA

型号：SBAV70LT1G 编号：C154830

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2241
200+
￥0.1719
600+
￥0.143
3000+
￥0.1256
9000+
￥0.1105
21000+
￥0.1024

有货

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独立式耐压:18V 电流:0.05uA@13.6V

型号：MMSZ4705T1G 编号：C513126

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。带SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

20+
￥0.2254
200+
￥0.1749
600+
￥0.1468
3000+
￥0.1216
9000+
￥0.107
21000+
￥0.0992

有货

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耐压:5.1V 电流:5uA@2.0V

型号：1N5231B 编号：C895239

封装：DO-204

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

10+
￥0.254
100+
￥0.2001
500+
￥0.1641
1000+
￥0.1439

有货

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250V 200mA

型号：BAS21TMR6T1G 编号：C463210

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

BAS21TMR6T1G 器件在 SC-74 表面贴装封装内承载三个高电压开关二极管。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2619
100+
￥0.228
300+
￥0.2077
3000+
￥0.195
6000+
￥0.1848
9000+
￥0.1797

有货

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独立式耐压:3V 电流:10uA@1V

型号：MM3Z3V0ST1G 编号：C891614

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。

数据手册

10+
￥0.2698
100+
￥0.2142
300+
￥0.1863
3000+
￥0.1654
6000+
￥0.1487

有货

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