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首页 > 热门关键词 > ON二极管
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描述
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电压:40V 电流:250mA
型号：NSR0340HT1G 编号：C90392
封装：SOD-323
品牌：onsemi(安森美)
肖特基整流器针对极低正向电压降和低漏电流进行了优化，用于便携式器件中的多种 DC-DC 转换器、箝位和保护应用。NSR0340H 采用 SOD-323 微型封装，有助于设计人员完成具有挑战性的任务：提高能效并满足缩小空间的要求。
数据手册

  • 10+

    ￥0.2877

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    ￥0.2339

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    ￥0.1401
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    电压:70V 电流:100mA
    型号：BAS70-04LT1G 编号：C150242
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3224

    • 100+

      ￥0.2565

    • 300+

      ￥0.2235
  • 有货
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    75V 300mA
    型号：1N914BWT 编号：C896167
    封装：SOD-523F
    品牌：onsemi(安森美)
    小信号二极管
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3272

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    独立式 耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V
    型号：MM3Z9V1ST1G 编号：C327500
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3805

    • 100+

      ￥0.3085

    • 300+

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    1对共阳极 耐压:27V 电流:0.05uA
    型号：SZMMBZ27VALT1G 编号：C236224
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3933

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    600V 1A
    型号：RS1J 编号：C232849
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：玻璃钝化结。 适用于表面贴装应用。 内置应力消除，适合自动贴装。 UL认证：证书编号E326243
    数据手册

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      ￥0.4523

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      ￥0.318
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    独立式 耐压:5.1V 电流:5uA@2V
    型号：SZMMSZ5231BT1G 编号：C231290
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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      ￥0.5953

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      ￥0.3091
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    独立式 耐压:12V 电流:5uA@9.1V
    型号：1N4742ATR 编号：C258174
    封装：DO-41
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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      ￥0.6225

    • 50+

      ￥0.508

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    独立式 耐压:3.3V 电流:50uA@1.0V
    型号：1SMA5913BT3G 编号：C235775
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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      ￥0.6259

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      ￥0.3876
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    1kV 1A
    型号：NRVA4007T3G 编号：C236166
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：紧凑封装，J形弯引脚，适合自动化处理。 稳定、高温、玻璃钝化结。 NRVA前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：表面安装汽车应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6436

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      ￥0.2995
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    独立式 耐压:8.2V 电流:0.7uA
    型号：SZMM3Z8V2T1G 编号：C463899
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

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      ￥0.7414

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    独立式 耐压:56V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5943BT3G 编号：C238876
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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    独立式 耐压:9.1V 电流:2.5uA@7.0V
    型号：1SMA5924BT3G 编号：C50839
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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      ￥0.8838

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    独立式 耐压:200V 电流:1uA@152V
    型号：1SMB5956BT3G 编号：C152499
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8897

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    • 5000+

      ￥0.4508
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    电压:60V 电流:2A
    型号：MBRS260T3G 编号：C45363
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
    数据手册

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    • 2500+

      ￥0.4537

    • 5000+

      ￥0.4257
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:39V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5939BT3G 编号：C238874
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9525

    • 50+

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    • 5000+

      ￥0.4399
  • 有货
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    600V 2A
    型号：MURA260T3G 编号：C111835
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该 Ultrafast 功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量至关重要。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9772

    • 50+

      ￥0.7632

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      ￥0.4458
  • 有货
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    独立式 耐压:8.2V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5923BT3G 编号：C231286
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0662

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      ￥0.8368

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      ￥0.7386

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      ￥0.4824
  • 有货
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    独立式 耐压:3.6V 电流:35.5uA
    型号：1SMA5914BT3G 编号：C152496
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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      ￥1.074

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      ￥0.5472
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    独立式 耐压:68V 电流:1uA@51.7V
    型号：1SMB5945BT3G 编号：C238937
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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    电压:30V 电流:1A
    型号：MBRA130LT3G 编号：C82067
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。该肖特基整流器具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
    数据手册

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      ￥1.1438

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      ￥0.5517
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    70V 215mA
    型号：SBAV199LT1G 编号：C604679
    封装：SOT-23-3
    品牌：onsemi(安森美)
    此开关二极管适用于高速开关应用。 此双二极管器件包含串联封装的两个二极管，采用 SOT-23 表面贴装封装。
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      ￥1.4476

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      ￥1.1439

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      ￥0.6851

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      ￥0.6417
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：35ns
    型号：MUR220RLG 编号：C112409
    封装：DO-41
    品牌：onsemi(安森美)
    该 Ultrafast 整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。
    数据手册

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      ￥1.5174

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      ￥1.2098

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      ￥0.9134

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    电压:100V 电流:1A
    型号：NRVBA1H100NT3G 编号：C893763
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    采用肖特基势垒原理的大面积金属硅功率二极管。先进的几何结构，具有外延结构、氧化物钝化和金属覆盖接触。非常适合低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求苛刻的表面贴装应用中用作续流和极性二极管。
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    耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：65ns
    型号：MURA240T3G 编号：C91073
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    该 Ultrafast 功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量至关重要。
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    耐压:100V 电流:0.5A
    型号：MB1S 编号：C232821
    封装：SOIC-4
    品牌：onsemi(安森美)
    MB 系列桥式整流器是0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些功能使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。
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    400V 4A
    型号：MURS340T3G 编号：C236164
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快整流器采用先进的带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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      ￥1.941

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    独立式 耐压:10V 电流:5uA
    型号：1N5347BRLG 编号：C114207
    封装：DO-14
    品牌：onsemi(安森美)
    这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。
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    独立式 耐压:4.7V 电流:5uA@1V
    型号：1N5337BRLG 编号：C9705
    封装：DO-201AD
    品牌：onsemi(安森美)
    这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。
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    电压:40V 电流:5A
    型号：NRVBS540T3G 编号：C462936
    封装：SMC
    品牌：onsemi(安森美)
    MBRSS40T3 在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管
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      ￥2.71

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