ON二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MBRD350T4G 编号：C99674

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些先进的器件设计用作开关电源、逆变器及其他电感式开关电路中的输出整流二极管、续流二极管、保护二极管和箝位二极管。

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型号：SZ1SMA5934BT3G 编号：C896072

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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型号：NRVB8H100MFSWFT1G 编号：C900225

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低功耗/高效率。新封装可在电路板安装后进行检查和探测。保护环用于应力保护。低正向压降。 175°C工作结温。 WF后缀产品具有可焊侧翼。 NRVB前缀适用于汽车和其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些是无铅器件

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型号：SNRVUD620CTT4G 编号：C604717

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

这些先进的器件设计用于开关电源、逆变器，并作为续流二极管使用。

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型号：SZ1SMB5937BT3G 编号：C604753

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V 至 200V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。通过 AEC-Q101 认证，具备生产件批准程序能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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型号：NRVTS860PFST3G 编号：C893802

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NRVBAF440T3G 编号：C604276

封装：SMA-FL

品牌：onsemi(安森美)

该设备采用肖特基势垒原理，应用于大面积金属硅功率二极管。先进的几何结构采用外延结构，具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。非常适合低压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管，在这些应用中，紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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型号：NSVR201MXT5G 编号：C604384

封装：DFN1006-2L

品牌：onsemi(安森美)

NSVR201MX 是一款 RF 肖特基势垒二极管，采用 X2DFN2 封装。该器件适用于高频率混音器应用。低正向电压和低电容可在亚毫米级波形等高频率下运行。目标应用为碰撞检测雷达和多普勒雷达。X2DFN2 封装尺寸为 1.0x0.6x0.4mm。这是市场上的最小尺寸。它有利于降低 PCB 板尺寸。AEC-Q101 认证且具备 PPAP 功能，适用于汽车应用。

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型号：NSR01F30NXT5G 编号：C893807

封装：0201

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管针对低正向压降和低泄漏电流进行了优化。DSN2（双硅无铅）封装是一种芯片级封装，在封装下方使用可焊接金属触点，类似于DFN风格封装。DSN风格封装能够100%利用封装面积用于有源硅，与塑料模塑封装产品相比，在每单位电路板面积上具有显著的性能优势。低热阻使设计人员能够应对实现更高效率和满足更小空间要求的挑战。

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型号：NRVHP140SFT3G 编号：C896822

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

这款超快速整流器采用紧凑且散热高效的封装，提供快速开关性能和软恢复特性。其紧凑的尺寸使其非常适合印刷电路板空间有限的便携式和汽车应用。其低外形使其成为平板显示器和其他垂直间隙有限的应用的理想选择。该器件在不同温度下具有低泄漏电流，适合需要低静态电流的应用。

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型号：QSB34GR 编号：C900003

封装：SMD,3x3mm

品牌：onsemi(安森美)

特性：日光滤镜（仅适用于QSB34GR和QSB34ZR）。表面贴装封装。QSB34GR / QSB34CGR用于上安装板。QSB34ZR / QSB34CZR用于下安装板。快速PIN光电二极管。宽接收角：120°。大芯片尺寸：3mm × 3mm。敏感区域：2.55mm × 2.55mm。高灵敏度。低电容。可提供0.470英寸（12mm）宽的胶带，缠绕在7英寸（178mm）直径的卷轴上，每卷1000个单元

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型号：MUR410RLG 编号：C480695

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

Ultrafast 整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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型号：RURP1560-F085P 编号：C898835

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

RURP1560_F085 是一款具有软恢复特性的超快速二极管 (trr < 70 ns)。它具有低正向压降，并具有氮化硅钝化离子植入外延平面结构。该器件在各种开关电源及其他电源开关应用中用作能量转向/箝位二极管和整流器。其低存储电荷和具有软恢复特性的超快速恢复功能可最大限度地减少多种功率开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

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型号：1N5335BRLG 编号：C9704

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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型号：GBU6G 编号：C898666

封装：GBU-4

品牌：onsemi(安森美)

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型号：SZ1SMB5935BT3G-VF01 编号：C889934

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FS8J 编号：C895398

封装：TO-277-3L

品牌：onsemi(安森美)

FS8G 到 FS8M 系列提供突破性尺寸和性能。该器件灌入 8 A DC 正向电流，并且仅通过 0.37μA 反向漏电流提供最高 230 A 的浪涌电流能力。所有这些性能都集成在一个小型、扁平导线、TO-277 封装中，并针对空间受限应用进行了优化。

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型号：NRVSRD620VCTT4G 编号：C604293

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

具有外延结构、玻璃钝化和金属覆盖接触的先进几何结构。非常适合用于低电压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

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型号：MBRB8H100T4G 编号：C152511

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

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型号：FES10G 编号：C895391

封装：TO-277-3L

品牌：onsemi(安森美)

表面贴装超快速整流器

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型号：FFSD1065A 编号：C605091

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术，能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能，使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。Llew

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型号：GBU4J 编号：C232760

封装：SIP-4

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FFA60UP20DNTU 编号：C10436

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

FFA60UP20DN 是一款具有极低正向电压降和强大 UIS 功能的 Ultrafast 二极管。此类器件适合用作各种开关电源和其他电源开关应用中的续流和箝位二极管。特别适用于开关电源、焊机等工业应用和 UPS 应用。

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型号：MBRF20200CTG 编号：C152513

封装：TO-220FP

品牌：onsemi(安森美)

开关模式功率整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。先进的几何结构采用外延结构，具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。非常适合用作极低电压、高频开关电源中的整流器、续流二极管和极性保护二极管。

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型号：GBU8B 编号：C898671

封装：GBU-4

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结。浪涌过载额定值：200A 峰值。采用模塑塑料技术的可靠低成本结构。适用于印刷电路板。 UL 认证：UL #E258596

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型号：NDSH20120C-F155 编号：C25731002

封装：TO-247-2LD

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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型号：NVDSH50120C 编号：C3759820

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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型号：MICROFC-60035-SMT-TR1 编号：C905854

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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