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首页 > 热门关键词 > ON二极管
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NCV68061: Ideal Diode NMOS Controller
型号：NCV68061SNAIT1G 编号：C5206748
封装：TSOP-6
品牌：onsemi(安森美)
NCV68061是一款反极性保护和理想二极管NMOS控制器，旨在作为功率整流二极管的低损耗、低正向电压替代品。该控制器与N沟道MOSFET配合使用，以实现低功耗。NCV68061的主要功能是根据源极至漏极的压差极性控制外部NMOS的导通/关断状态
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    耐压:200V 电流:6A 反向恢复时间：30ns
    型号：RURD620CCS9A-F085 编号：C887761
    封装：TO-252
    品牌：onsemi(安森美)
    RURD620CCS9A 是一款具有低正向压降的超快速双二极管。 该器件在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流和箝位二极管。 它特别适合用于开关电源和工业应用。
    数据手册

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    电压:200V 电流:3A
    型号：MBRAF3200T3G 编号：C480683
    封装：SMA-FL
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    电压:150V 电流:15A
    型号：FSV15150V 编号：C895436
    封装：TO-277-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：超低正向压降。 低热阻。 超薄外形：典型高度为1.1mm。 沟槽肖特基技术。 符合IEC61249标准的绿色模塑料。 仅无DAP选项。 这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准
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    电压:100V 电流:3A
    型号：S310 编号：C894246
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和逆向极性保护应用。
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    电压:100V 电流:15A
    型号：MBRF30H100CTG 编号：C464197
    封装：TO-220F
    品牌：onsemi(安森美)
    增强型肖特基势垒整流器，VF 更低，浪涌能力更高，IR 参数更低
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      ￥5.3784 ￥6.48
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    电压:100V 电流:10A
    型号：NRVBB20100CTT4G 编号：C464087
    封装：D2PAK-3
    品牌：onsemi(安森美)
    D2PAK功率整流器是一种先进的器件，它采用了带有铂势垒金属的肖特基势垒原理。
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      ￥8.1356 ￥9.46

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      ￥5.9268 ￥8.98
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    电压:60V 电流:10A
    型号：MBR1060G 编号：C89052
    封装：TO-220AC-2
    品牌：onsemi(安森美)
    此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。
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      ￥8.93

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    电压:45V 电流:20A
    型号：MBR40L45CTG 编号：C907022
    封装：TO-220AB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低正向电压。 低功耗/高效率。 高浪涌容量。 工作结温175℃。 总电流40 A（每个二极管支路20 A）。 保护环用于应力保护。应用：电源-输出整流。 电源管理
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      ￥14.3547 ￥24.33

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    碳化硅肖特基二极管 650V 6A
    型号：FFSP0665A 编号：C605119
    封装：TO-220-2
    品牌：onsemi(安森美)
    碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
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    碳化硅肖特基二极管，650V，12A
    型号：FFSP1265A 编号：C605126
    封装：TO-220-2L
    品牌：onsemi(安森美)
    碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
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    耐压:200V 电流:25A
    型号：GBPC2502W 编号：C906980
    封装：GBPC-W
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：一体成型散热器，热阻极低，散热效果极佳。 浪涌过载额定值为 300 A 至 400 A。 外壳到引脚的隔离电压超过 2500 V。 UL 认证，UL #E258596。 端子表面处理材料: -线式 GBPC-W 封装为银（可根据 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接）。 -GBPC 封装为镍。 最大安装扭矩：20 in-lbs。 这些是无铅器件
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      ￥21.0728 ￥37.63

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    耐压:600V 电流:15A 反向恢复时间：40ns
    型号：RHRG1560CC 编号：C606050
    封装：TO-247-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    是一款具有软恢复特性的超快速双二极管。它具有超快二极管一半的恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。这些器件旨在用作各种开关电源和其他功率开关应用中的续流/钳位二极管。其低存储电荷和超快速软恢复特性可最大程度减少许多功率开关电路中的振铃和电噪声，降低开关晶体管的功率损耗。

    • 1+

      ￥21.114 ￥35.19

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      ￥9.048 ￥22.62
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    耐压:400V 电流:25A
    型号：GBPC2504 编号：C906981
    封装：GBPC
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：一体成型散热器，热阻极低，散热效果极佳。 浪涌过载额定值为 300 A 至 400 A。 外壳到引脚的隔离电压超过 2500 V。 UL 认证，UL #E258596。 端子表面处理材料: -线式 GBPC-W 封装为银（可根据 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接）。 -GBPC 封装为镍。 最大安装扭矩：20 in-lbs。 这些是无铅器件
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      ￥23.8205 ￥43.31

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      ￥10.9025 ￥31.15
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    电压:45V 电流:15A
    型号：NRVTS1545EMFST1G 编号：C900235
    封装：DFN-5(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    NTS1545EMFS 和 NRVTS1545EMFS 是极低漏沟槽型肖特基整流器。 此项新技术可实现低正向电压降，而且不会发生平面肖特基整流器出现的高逆向泄漏。 此平台还基于宽温度范围提供非常稳定的开关特性，是用于开关电源的理想输出整流器。
    数据手册

    • 1+

      ￥37.55

    • 10+

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      ￥35.49
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    耐压:600V 电流:35A
    型号：GBPC3506W 编号：C906996
    封装：GBPC-W
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：一体成型散热器，热阻极低，散热效果极佳。 浪涌过载额定值为 300 A 至 400 A。 外壳到引脚的隔离电压超过 2500 V。 UL 认证，UL #E258596。 端子表面处理材料: -线式 GBPC-W 封装为银（可根据 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接）。 -GBPC 封装为镍。 最大安装扭矩：20 in-lbs。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 1+

      ￥39.69 ￥66.15

    • 10+

      ￥28.695 ￥57.39

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      ￥19.032 ￥47.58
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    碳化硅肖特基二极管1200V 30A
    型号：FFSH30120ADN-F155 编号：C467465
    封装：TO-247-3
    品牌：onsemi(安森美)
    碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度无关的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
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    • 1+

      ￥78.547 ￥112.21

    • 10+

      ￥65.298 ￥108.83

    • 12+

      ￥54.415 ￥108.83
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    300nm~950nm 24.7V
    型号：MICROFC-10035-SMT-TR 编号：C891563
    封装：SMD
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。
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    • 1+

      ￥127.05

    • 10+

      ￥121.22

    • 30+

      ￥111.11
  • 有货
    • 立即购买
    100V 200mA
    型号：MMBD914LT3G 编号：C150231
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此开关二极管适用于高速开关应用。 此器件采用 SOT-23 表面贴装封装，适用于自动化插入。
    数据手册

    • 1000+

      ￥0.18

    • 10000+

      ￥0.132
    我要订货
    100V 200mA
    型号：BAV70LT3G 编号：C150252
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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    • 单价：

      ￥0.055141 / 个
    我要订货
    70V 200mA
    型号：BAW56LT3G 编号：C154817
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此共阳极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 180000+

      ￥0.07128

    • 540000+

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    • 1620000+

      ￥0.066528

    • 2160000+

      ￥0.06534
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    独立式 耐压:16V 电流:50nA@11.2V
    型号：SZBZX84C16LT1G 编号：C145554
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1339

    • 100+

      ￥0.1308

    • 300+

      ￥0.1287
  • 有货
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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@2V
    型号：BZX84C5V1LT3G 编号：C154784
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1394

    • 100+

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    • 300+

      ￥0.1339
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:2.7V 电流:75uA@1.0V
    型号：MMBZ5223B 编号：C184081
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥0.1672

    • 10+

      ￥0.1293

    • 30+

      ￥0.1082
  • 有货
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    耐压:27V 电流:0.05uA
    型号：MMSZ27T1G 编号：C462865
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了便利的替代方案。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1863

    • 100+

      ￥0.1818

    • 300+

      ￥0.1787
  • 有货
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    3.6V 15uA@1V
    型号：1N5227B 编号：C895231
    封装：插件,D1.53xL3.05mm
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2013

    • 100+

      ￥0.1968

    • 300+

      ￥0.1938
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:13V 电流:0.1uA@8.0V
    型号：SZMM3Z13VST1G 编号：C231284
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 24000+

      ￥0.39456

    • 48000+

      ￥0.387984

    • 96000+

      ￥0.37812

    • 192000+

      ￥0.36168
    我要订货
    独立式 耐压:33V 电流:0.1uA
    型号：MMBZ5257B 编号：C258206
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
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