SEMTECH二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZM4754A 编号：C118636

封装：LL-41

品牌：ST(先科)

39V 1W

数据手册

10+
￥0.3115
100+
￥0.2484
300+
￥0.2169
1000+
￥0.1932
5000+
￥0.1567
10000+
￥0.1472

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型号：BZX55C75 编号：C8041

封装：DO-35

品牌：ST(先科)

此料号已停产，后续升级为无铅玻璃料号BZX55C75PF,升级产品性能品质不变

数据手册

5+
￥0.3255
50+
￥0.2559
150+
￥0.2211
500+
￥0.1938
2500+
￥0.1729
5000+
￥0.1624

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型号：BZX55C68PF 编号：C19190382

封装：DO-35

品牌：ST(先科)

10+
￥0.3308
100+
￥0.2612
500+
￥0.2199
1000+
￥0.1938
5000+
￥0.1729
10000+
￥0.1624

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型号：SDB16HS 编号：C2859174

封装：SOD-323HE

品牌：ST(先科)

数据手册

10+
￥0.3722
100+
￥0.2968
300+
￥0.2591
3000+
￥0.2098
6000+
￥0.1872
9000+
￥0.1759

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型号：UCLAMP3311Z.TFT 编号：C512390

封装：0201

品牌：SEMTECH

μClamp TVS二极管旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）造成的损坏或闩锁效应。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。这些器件具备板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。μAClamp33112采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低耐受电压，并显著降低泄漏电流和电容。与传统的pn结器件相比，它们的实际工作电压为3.3伏，可提供更出色的保护。μClamp3311Z采用2引脚SLP0603P2X3A封装。其尺寸为0.62×0.32毫米，标称高度仅为0.25毫米。引脚采用无铅镍金镀层。每个器件可保护一条工作电压为3.3伏的线路。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中能够灵活地保护单条线路。小尺寸和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和平板电脑。

数据手册

100+
￥0.459
1000+
￥0.442
3000+
￥0.425
6000+
￥0.391
10000+
￥0.3808

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型号：SM4757A 编号：C3249914

封装：SMAF

品牌：ST(先科)

耐压:51V 电流:1uA

数据手册

10+
￥0.3943
100+
￥0.3108
300+
￥0.2691
3000+
￥0.2325
6000+
￥0.2075
9000+
￥0.1949

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型号：SM4734A 编号：C2859177

封装：SMAF

品牌：ST(先科)

独立式耐压:5.6V 电流:10uA@2V

数据手册

10+
￥0.4025
100+
￥0.3189
300+
￥0.2772
3000+
￥0.2325
6000+
￥0.2075
9000+
￥0.1949

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型号：BZX2C5V1PF 编号：C19271500

封装：DO-41

品牌：ST(先科)

精确度2%稳压二极管耐压:5.1V 电流:5uA

10+
￥0.4403
100+
￥0.3476
250+
￥0.2926
1000+
￥0.2579
5000+
￥0.2301
10000+
￥0.2162

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型号：SS210D 编号：C84508

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(先科)

电压:100V 电流:2A

数据手册

5+
￥0.7152
50+
￥0.5596
150+
￥0.4818
500+
￥0.4234
3000+
￥0.3865
6000+
￥0.3631

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型号：2EZ24 编号：C2859141

封装：DO-15

品牌：ST(先科)

数据手册

5+
￥0.8933
50+
￥0.706
150+
￥0.6124
500+
￥0.5421
3000+
￥0.4985
6000+
￥0.4705

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型号：RCLAMP2574N.TCT 编号：C1974050

封装：SLP3020-10

品牌：SEMTECH

RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。RClamp2574N旨在替代多达两个用于板级GbE保护的元件。每个器件设计用于保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，8/20μs），同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于高风险环境中的应用，如千兆以太网、电信线路和LVDS接口。RClamp2574N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低关断电压，同时显著降低漏电流和电容。它具有2.5伏的真实工作电压，可提供卓越的保护。RClamp2574N采用10引脚SLP3020N10封装。尺寸为3.0x2.0x0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。

10+
￥6.075
100+
￥5.85
200+
￥5.4
1000+
￥5.175
2000+
￥4.95

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型号：UCLAMP2512T.TCT 编号：C117931

封装：SLP2010-8

品牌：SEMTECH

μClamp2512T TVS 二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。其旨在保护敏感的 PHY 芯片，使其免受静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏或故障影响。μClamp2512T 采用 Semtech 的低压 EPD 工艺技术制造

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50+
￥5.454489
200+
￥4.475478
500+
￥3.654973
1000+
￥3.132835

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型号：UCLAMP3312T.TCT 编号：C512391

封装：SLP2010-8

品牌：SEMTECH

μClamp®3312T TVS二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。其旨在保护敏感的PHY芯片，避免因静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）而受损或出现故障。μClamp3312T采用Semtech的低压EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低工作电压，并显著降低泄漏电流和电容。该器件在偏置下电容变化小，可确保GbE线路稳定运行。这意味着在PHY温度高达120℃（100M Cat 5/5e电缆）的情况下，μClamp3312T不会在GbE接口上引入任何通信帧错误。μClamp3312T还具备高浪涌能力，设计用于放置在磁体和PHY芯片之间。在此配置下，该器件可承受符合Telcordia GR - 1089标准的建筑物内雷击浪涌。μClamp3312T采用8引脚SLP2010N8T封装，尺寸为2.0×1.0×0.4 mm。引脚间距为0.5 mm，采用无铅NiPdAu镀层。每个器件可保护两对工作在3.3伏的线路。这使设计人员在空间有限的应用中能够灵活地保护多条线路。uClamp3312T尺寸小且易于布局，非常适合用于集成磁体的RJ - 45连接器。

数据手册

10+
￥4.5765
100+
￥4.407
200+
￥4.068
1000+
￥3.8985
2000+
￥3.729

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型号：RCLAMP3304N.TCT 编号：C144150

封装：DFN-10-EP(2.6x2.6)

品牌：SEMTECH

RailClamp® 是一款低电容 TVS 阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专为保护连接到数据和传输线路的敏感组件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和雷击引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和 TVS 二极管集成在一个封装中。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流导向接地。内部 TVS 二极管将瞬态电压钳位到安全水平。低电容阵列配置允许用户保护多达四条高速数据线。RClamp®3304N 和 RClamp®2504N 采用 Semtech 专有的 EPD 工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD 工艺提供了低关断电压，同时显著降低了漏电流和电容。它们具有 2.5 伏和 3.3 伏的真实工作电压，提供卓越的保护性能。这些器件采用 10 引脚、符合 RoHS/WEEE 标准的 SLP2626P10 封装。高浪涌能力（10p = 25A，tp = 8/20μs）意味着它可用于千兆以太网、电信线路和数字视频等应用的高风险环境。

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