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首页 > 热门关键词 > SHIKUES二极管
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  • 特性:高集电极击穿电压:VCEO = -160V,VCEO = -150V。 低漏电流:ICEO = -50nA(最大值),@VCB = -120V。 低饱和电压:VCE(sat) = -0.5V(最大值),@IC = -50mA,IB = -5mA。 低噪声:NF = 8dB(最大值)
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  • 原厂变更型号,性能完全一致。对应老型号为:IRLML5203
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  • 特性:先进的沟槽单元设计。 高速开关。应用:便携式电器。 笔记本电脑/个人电脑电器
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  • 表面贴装瞬态电压抑制器,功率600瓦,关断电压:5.0V~440V
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  • 特性:-60V / 3A,RDS(ON) ≤ 92mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) ≤ 125mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽单元设计。 高速开关。 SOT-89 / SOT-23 表面贴装封装。应用:便携式电器。 电池管理
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  • 特性:额定电压至200V VBR。 适用于表面贴装应用。 采用模塑塑料技术,可靠且低成本。 塑料材料具有UL 94V-0认证。 典型反向电流:10V以上小于1μA。 快速响应时间:单向通常小于1.0ns,双向小于5.0ns(从0V开始)
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  • 特性:高密集设计。 超低导通电阻。 可靠耐用。应用:笔记本电脑、便携式设备和电池系统的电源管理
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  • Trench Power MV MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计
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  • 表面贴装瞬态电压抑制器,功率600瓦,关断电压:5.0V~440V
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  • 特性:额定电压至200V VBR。 适用于表面贴装应用。 采用模塑塑料技术,可靠且低成本。 塑料材料具有UL 94V-0认证。 典型反向电流:10V以上小于1μA。 快速响应时间:单向通常小于1.0ns,双向小于5.0ns(从0V开始)
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  • SK40N15采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
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