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首页 > 热门关键词 > SHIKUES二极管
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符合条件商品:共192820
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描述
价格(含税)
库存
操作
特性:30V P沟道MOSFET高密度设计。 超低导通电阻。 可靠耐用。应用:笔记本电脑、便携式设备和电池系统的电源管理
数据手册
  • 5+

    ¥0.7742 ¥1.106
  • 50+

    ¥0.68453 ¥0.9779
  • 150+

    ¥0.6461 ¥0.923
  • 500+

    ¥0.5425 ¥0.775
  • 2500+

    ¥0.52115 ¥0.7445
  • 5000+

    ¥0.50834 ¥0.7262
  • 10000+

    ¥0.5019 ¥0.717
  • 20000+

    ¥0.49763 ¥0.7109
  • 有货
  • 表面贴装瞬态电压抑制器,功率600W,关断电压:5.0V~440V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.998735 ¥1.0513
    • 50+

      ¥0.784225 ¥0.8255
    • 150+

      ¥0.692265 ¥0.7287
    • 500+

      ¥0.5776 ¥0.608
    • 3000+

      ¥0.52649 ¥0.5542
    • 6000+

      ¥0.4959 ¥0.522
  • 有货
  • 特性:独石结构,可靠性好。尺寸小、外形薄。自调谐频率高。可焊性和耐焊性好。应用:高频电路。中间放大器电路
    • 100+

      ¥0.02432 ¥0.0256
    • 1000+

      ¥0.018335 ¥0.0193
    • 3000+

      ¥0.015105 ¥0.0159
    • 10000+

      ¥0.01368 ¥0.0144
    • 50000+

      ¥0.01178 ¥0.0124
  • 有货
  • 特性:独石结构,可靠性好。尺寸小、外形薄。自调谐频率高。可焊性和耐焊性好。应用:高频电路。中间放大器电路
    • 100+

      ¥0.02432 ¥0.0256
    • 1000+

      ¥0.018335 ¥0.0193
    • 3000+

      ¥0.015105 ¥0.0159
    • 10000+

      ¥0.01368 ¥0.0144
    • 50000+

      ¥0.01178 ¥0.0124
  • 有货
  • 特性:低Cob,Cob = 2.0 pF(典型值)
    • 50+

      ¥0.078755 ¥0.0829
    • 500+

      ¥0.062415 ¥0.0657
    • 3000+

      ¥0.053295 ¥0.0561
    • 6000+

      ¥0.047785 ¥0.0503
    • 24000+

      ¥0.043035 ¥0.0453
    • 51000+

      ¥0.04047 ¥0.0426
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0837
    • 500+

      ¥0.0653
    • 3000+

      ¥0.055
    • 6000+

      ¥0.0488
    • 24000+

      ¥0.0435
    • 51000+

      ¥0.0406
  • 有货
  • 特性:30V N-Channel MOSFET High Dense Design.。 RDS(ON) = 300 mΩ (typ.) @ VGS = 4.5 V。 RDS(ON) = 400 mΩ (typ.) @ VGS = 2.5 V。 Reliable and Rugged。 ESD Protected。应用:Portable Equipment and Battery Power Systems
    数据手册
    • 50+

      ¥0.104215 ¥0.1097
    • 500+

      ¥0.0817 ¥0.086
    • 1500+

      ¥0.069255 ¥0.0729
    • 10000+

      ¥0.05928 ¥0.0624
    • 20000+

      ¥0.052725 ¥0.0555
    • 50000+

      ¥0.049305 ¥0.0519
  • 有货
  • 特性:晶体管根据直流电流增益细分为Q、R和S三组
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1064 ¥0.112
    • 500+

      ¥0.08322 ¥0.0876
    • 3000+

      ¥0.068875 ¥0.0725
    • 6000+

      ¥0.06118 ¥0.0644
    • 24000+

      ¥0.054435 ¥0.0573
    • 51000+

      ¥0.050825 ¥0.0535
  • 有货
  • 特性:简化电路设计,减少电路板空间。 内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
    数据手册
    • 50+

      ¥0.118655 ¥0.1249
    • 500+

      ¥0.09462 ¥0.0996
    • 3000+

      ¥0.075525 ¥0.0795
    • 6000+

      ¥0.06745 ¥0.071
    • 24000+

      ¥0.060515 ¥0.0637
    • 51000+

      ¥0.05681 ¥0.0598
  • 有货
  • 特性:低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入输出泄漏。 高漏源电压额定值。 ESD保护 (HBM > 2KV)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.14668 ¥0.1544
    • 200+

      ¥0.117705 ¥0.1239
    • 600+

      ¥0.10165 ¥0.107
    • 3000+

      ¥0.08873 ¥0.0934
    • 9000+

      ¥0.08037 ¥0.0846
    • 21000+

      ¥0.075905 ¥0.0799
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。ESD防护高达1kV (HBM)。符合RoHS标准。绿色EMC。哑光镀锡(Sn)引脚表面处理。重量:约0.002g
    数据手册
    • 20+

      ¥0.154565 ¥0.1627
    • 200+

      ¥0.122645 ¥0.1291
    • 600+

      ¥0.10488 ¥0.1104
    • 3000+

      ¥0.09082 ¥0.0956
    • 9000+

      ¥0.081605 ¥0.0859
    • 21000+

      ¥0.076665 ¥0.0807
  • 有货
  • 高密度单元设计,实现低导通电阻 (RDS(ON))。电压控制小信号开关。小外形表面贴装封装。符合RoHS标准/环保EMC
    • 20+

      ¥0.191045 ¥0.2011
    • 200+

      ¥0.150955 ¥0.1589
    • 600+

      ¥0.128725 ¥0.1355
    • 2000+

      ¥0.11533 ¥0.1214
    • 8000+

      ¥0.094145 ¥0.0991
    • 16000+

      ¥0.087875 ¥0.0925
  • 有货
  • N沟道 50V 0.2A
    数据手册
    • 20+

      ¥0.204535 ¥0.2153
    • 200+

      ¥0.159505 ¥0.1679
    • 600+

      ¥0.13452 ¥0.1416
    • 3000+

      ¥0.11286 ¥0.1188
    • 9000+

      ¥0.099845 ¥0.1051
    • 21000+

      ¥0.092815 ¥0.0977
  • 有货
  • 采用SOT - 363塑料封装的双硅NPN晶体管。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.214225 ¥0.2255
    • 200+

      ¥0.166915 ¥0.1757
    • 600+

      ¥0.1406 ¥0.148
    • 3000+

      ¥0.12483 ¥0.1314
    • 9000+

      ¥0.11115 ¥0.117
    • 21000+

      ¥0.10374 ¥0.1092
  • 有货
  • 双N沟道MOSFET,采用SOT-363塑料封装。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.221065 ¥0.2327
    • 200+

      ¥0.174705 ¥0.1839
    • 600+

      ¥0.148865 ¥0.1567
    • 3000+

      ¥0.121125 ¥0.1275
    • 9000+

      ¥0.10773 ¥0.1134
    • 21000+

      ¥0.10051 ¥0.1058
  • 有货
  • 原厂变更型号,性能完全一致。对应老型号为:AMS1117-1.5
    数据手册
    • 10+

      ¥0.23883 ¥0.2514
    • 100+

      ¥0.20938 ¥0.2204
    • 300+

      ¥0.19475 ¥0.205
    • 2500+

      ¥0.17784 ¥0.1872
    • 5000+

      ¥0.169005 ¥0.1779
    • 10000+

      ¥0.164635 ¥0.1733
  • 有货
  • 原厂变更型号,性能完全一致。对应老型号为:AO3402
    数据手册
    • 10+

      ¥0.24396 ¥0.2568
    • 100+

      ¥0.193325 ¥0.2035
    • 300+

      ¥0.168055 ¥0.1769
    • 3000+

      ¥0.149055 ¥0.1569
    • 6000+

      ¥0.133855 ¥0.1409
    • 9000+

      ¥0.126255 ¥0.1329
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 玻璃钝化结。 低电感。 塑料封装符合UL可燃性标准
    数据手册
    • 10+

      ¥0.24662 ¥0.2596
    • 100+

      ¥0.197695 ¥0.2081
    • 300+

      ¥0.17328 ¥0.1824
    • 1000+

      ¥0.154945 ¥0.1631
    • 5000+

      ¥0.12654 ¥0.1332
    • 10000+

      ¥0.11913 ¥0.1254
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 玻璃钝化结。 低电感。 塑料封装符合UL可燃性标准
    数据手册
    • 10+

      ¥0.255455 ¥0.2689
    • 100+

      ¥0.20672 ¥0.2176
    • 300+

      ¥0.182305 ¥0.1919
    • 1000+

      ¥0.16397 ¥0.1726
    • 5000+

      ¥0.133285 ¥0.1403
    • 10000+

      ¥0.12597 ¥0.1326
  • 有货
  • Trench Power LV MOSFET 技术。高功率和电流处理能力。ESD 保护:±2700V。标记:K12
    数据手册
    • 10+

      ¥0.338675 ¥0.3565
    • 100+

      ¥0.2717 ¥0.286
    • 300+

      ¥0.238165 ¥0.2507
    • 3000+

      ¥0.19418 ¥0.2044
    • 6000+

      ¥0.17404 ¥0.1832
    • 9000+

      ¥0.164065 ¥0.1727
  • 有货
  • 特性:高电流(最大 1 A)。 低电压(最大 80 V)。应用:音频和视频放大器的驱动级
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3591 ¥0.378
    • 100+

      ¥0.28899 ¥0.3042
    • 300+

      ¥0.253935 ¥0.2673
    • 1000+

      ¥0.20387 ¥0.2146
    • 5000+

      ¥0.182875 ¥0.1925
    • 10000+

      ¥0.17233 ¥0.1814
  • 有货
  • SBLCxxCI系列是超低电容瞬态电压抑制器阵列,旨在保护便携式电子设备和智能手机等应用。该系列提供单向和双向两种配置,针对8/20μs波形的额定功率为350瓦。SBLCxxCI系列符合IEC 61000 - 4 - 2(静电放电)和IEC 61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群)要求
    数据手册
    • 10+

      ¥0.36651 ¥0.3858
    • 100+

      ¥0.293075 ¥0.3085
    • 300+

      ¥0.256405 ¥0.2699
    • 3000+

      ¥0.228855 ¥0.2409
    • 6000+

      ¥0.206815 ¥0.2177
    • 9000+

      ¥0.195795 ¥0.2061
  • 有货
  • 原厂变更型号,性能完全一致。对应老型号为:AMS1117-5
    数据手册
    • 10+

      ¥0.370595 ¥0.3901
    • 100+

      ¥0.2964 ¥0.312
    • 300+

      ¥0.25935 ¥0.273
    • 2500+

      ¥0.21983 ¥0.2314
    • 5000+

      ¥0.1976 ¥0.208
    • 10000+

      ¥0.18639 ¥0.1962
  • 有货
  • 特性:RDS(on),典型值 = 80 mΩ,VGS = 4.5 V。 RDS(on),典型值 = 90 mΩ,VGS = 2.5 V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。应用:电源管理。 便携式设备
    数据手册
    • 10+

      ¥0.390165 ¥0.4107
    • 100+

      ¥0.312835 ¥0.3293
    • 300+

      ¥0.27417 ¥0.2886
    • 3000+

      ¥0.2242 ¥0.236
    • 6000+

      ¥0.200925 ¥0.2115
    • 9000+

      ¥0.189335 ¥0.1993
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5042
    • 50+

      ¥0.4006
    • 150+

      ¥0.3487
    • 500+

      ¥0.3098
    • 2500+

      ¥0.2787
    • 4000+

      ¥0.2632
  • 有货
  • 三端固定输出电压调节器,12W、0.5A、5V~24V,对各种电器、电子设备、调节电路起到调节和保护作用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.63061 ¥0.6638
    • 50+

      ¥0.50027 ¥0.5266
    • 150+

      ¥0.435005 ¥0.4579
    • 500+

      ¥0.386175 ¥0.4065
    • 2500+

      ¥0.347035 ¥0.3653
    • 5000+

      ¥0.327465 ¥0.3447
  • 有货
  • 旨在保护敏感电子设备免受雷电和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.68362 ¥0.7196
    • 50+

      ¥0.54511 ¥0.5738
    • 150+

      ¥0.475855 ¥0.5009
    • 500+

      ¥0.42389 ¥0.4462
    • 3000+

      ¥0.359955 ¥0.3789
    • 6000+

      ¥0.33915 ¥0.357
  • 有货
  • SK15N10是一款N沟道增强型功率场效应晶体管,采用了Force - MOS专利的扩展沟槽栅极(ETG)技术。这项先进技术专门用于最小化导通电阻和栅极电荷,并增强雪崩能力。这些器件特别适用于中压应用,如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理及其他照明调光供电电路,以及需要极低线路功率损耗的超小外形表面贴装封装应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.98002 ¥1.0316
    • 50+

      ¥0.780615 ¥0.8217
    • 150+

      ¥0.695115 ¥0.7317
    • 500+

      ¥0.588525 ¥0.6195
    • 2500+

      ¥0.489535 ¥0.5153
    • 5000+

      ¥0.461035 ¥0.4853
  • 有货
  • 特性:出色的hFE线性度:在VCE = -6V、Ic = -400mA时,h(2)-25(最小值)。 与KTC3876互补。 SOT-23封装
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05404 ¥0.0772
    • 500+

      ¥0.0427 ¥0.061
    • 3000+

      ¥0.03367 ¥0.0481
    • 6000+

      ¥0.02989 ¥0.0427
    • 24000+

      ¥0.02667 ¥0.0381
    • 51000+

      ¥0.02485 ¥0.0355
  • 有货
  • 特性:功率耗散Pcm:0.2W(环境温度Tamb = 25°C)。 集电极电流Icm:-0.15A。 集电极-基极电压V(BR)CBO:-50V。 工作和储存结温范围TJ、Tstg:-55°C至+150°C。 SOT-23封装
    数据手册
    • 50+

      ¥0.066785 ¥0.0703
    • 500+

      ¥0.05206 ¥0.0548
    • 3000+

      ¥0.043605 ¥0.0459
    • 6000+

      ¥0.038665 ¥0.0407
    • 24000+

      ¥0.034485 ¥0.0363
    • 51000+

      ¥0.032205 ¥0.0339
  • 有货
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