SILAN二极管_厂家_价格_品牌_库存

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描述

价格(含税)

库存

操作

型号：SVF13N50F 编号：C403817

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥3.55
10+
￥2.86
50+
￥2.51

有货

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型号：SGM35PA12A6BTFD 编号：C5123269

封装：-

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥63.72
10+
￥52.82
30+
￥47.55

有货

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型号：SGM100HF12A1TFD 编号：C2761778

封装：-

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥133.21
10+
￥119.07

有货

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型号：SVF4N65CAMJ 编号：C42459726

封装：TO-251J-3L

品牌：SILAN(士兰微)

5+
￥0.7024
50+
￥0.686
150+
￥0.675

有货

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型号：SA1117BH-3.3TR 编号：C601609

封装：SOT-223-3L

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

5+
￥0.906
50+
￥0.7044
150+
￥0.618

有货

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型号：SD6901STR 编号：C601595

封装：SOP-7

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥0.9378
10+
￥0.9165
30+
￥0.9023
100+
￥0.888

有货

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型号：SD6703D 编号：C601632

封装：DIP-7

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥1.3402
10+
￥1.0429
50+
￥0.9154

有货

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型号：SVF2N60F 编号：C171705

封装：TO-220F

品牌：SILAN(士兰微)

N沟道,600V,2A,3.7Ω@10V

数据手册

5+
￥1.4074
50+
￥1.1051
150+
￥0.9756

有货

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型号：SGTP5T60SD1DTR 编号：C5197297

封装：TO-252-2L

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥1.82
10+
￥1.78
30+
￥1.75

有货

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型号：SVF2N65F 编号：C403821

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥2.0254
10+
￥1.5819
50+
￥1.3918

有货

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型号：SVS65R380FD4 编号：C42459731

封装：TO-220F-3L

品牌：SILAN(士兰微)

1+
￥2.25
10+
￥2.2
50+
￥2.16

有货

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型号：SVF4N60RD-TR 编号：C250754

封装：TO-252-2

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

5+
￥2.35
50+
￥1.85
150+
￥1.63
500+
￥1.36
2500+
￥1.24
5000+
￥1.17

订货

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型号：SVF4N65CAF 编号：C467748

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F-CellTM高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

数据手册

1+
￥2.59
10+
￥2.03
50+
￥1.79

有货

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型号：SD6954A 编号：C2897637

封装：DIP-8

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥2.63
10+
￥2.07
50+
￥1.67
100+
￥1.37

有货

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型号：SVF7N60CF 编号：C414162

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

N沟道 600V 7A

数据手册

1+
￥2.95
10+
￥2.35
50+
￥2.09
100+
￥1.77

有货

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型号：SVD3205T 编号：C400186

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

SVD3205T/F/S是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的平面低压结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。它可广泛应用于电子镇流器、低功率开关电源

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1+
￥3.33
10+
￥2.66
50+
￥2.33

有货

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型号：SVG086R0NT 编号：C601644

封装：TO-252

品牌：SILAN(士兰微)

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 是一款采用LVMOS 技术制造的 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻，并提供卓越的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源（UPS）、逆变器系统电源管理等领域

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1+
￥4.56
10+
￥3.69
50+
￥3.14

有货

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型号：SVS11N65FJD2 编号：C403826

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

SVS11N65D/F/S/FJD2是一款采用超结MOS技术制造的N沟道增强型高压功率MOSFET。它实现了低传导损耗和开关损耗，能助力设计工程师打造出高效、高功率密度且散热性能卓越的电源转换器。

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1+
￥5.55
10+
￥4.47
50+
￥3.93

有货

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型号：SVS14N60FJD2 编号：C2887253

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥6.06
10+
￥4.88
50+
￥4.29

有货

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型号：SVF12N60F 编号：C403816

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

VF12N60F/S/K 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用了专有的 F - Cell™ 结构 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器中

数据手册

1+
￥7.15
10+
￥6.07
50+
￥5.53

有货

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型号：SD6904STR 编号：C68792

封装：SOP-7

品牌：SILAN(士兰微)

带PFC的单级原边控制模式LED驱动IC

数据手册

1+
￥1.0844
10+
￥1.059
30+
￥1.0421

有货

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型号：SDH7712SETR 编号：C601593

封装：SOP-7

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

5+
￥1.24
50+
￥1.21
150+
￥1.19

有货

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型号：SD6604D 编号：C171702

封装：DIP-8

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥1.5401
10+
￥1.1984
50+
￥1.052

有货

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型号：SVF2N60RMJ 编号：C601625

封装：TO-251

品牌：SILAN(士兰微)

SVF2N60RD/M/MJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器中

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