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是高度集成的5 GHz前端模块(FEM),包含5 GHz单刀双掷(SPDT)发射/接收(T/R)开关、带旁路的5 GHz高增益低噪声放大器(LNA)和5 GHz功率放大器(PA),适用于高功率802.11ac应用和系统。LNA和PA禁用功能可确保在关闭模式下实现低泄漏电流。集成了功率检测器,用于在系统内提供闭环功率控制。采用紧凑的24引脚3×5 mm方形扁平无引脚(QFN)封装,可将前端电路板空间减少50%以上。
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    ¥43.570726
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AS225-313LF是一款0.1到6GHz的PHEMTGaAsIC单刀双掷(SPDT)天线开关,设计用于WLAN应用。该设备能够在3V控制电压下切换1W微波信号,同时保持高线性度性能。该开关覆盖整个802.11a、b和g频率范围。低损耗、高隔离度、高线性和低成本的特点使其非常适合无线局域网系统。
数据手册
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  • AS214-92LF是一款中等功率的GaAsPHEMTSPDT射频开关,采用低成本微型SC-706引脚塑料封装。该开关具有低插入损耗和正电压操作,且直流功耗非常低。适用于各种电信应用。
    数据手册
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  • 订货
  • 是一款pHEMT GaAs双单刀双掷(SPDT)交叉开关,专为蜂窝基础设施频段切换应用而设计。内部交叉开关配置用于切换平衡RF滤波器。切换由两个控制电压输入(V1和V2)控制。根据施加到控制引脚的逻辑电压电平,RFCA和RFCB引脚分别通过低插入损耗路径连接到四个切换RF输出(RF1A、RF1B、RF2A或RF2B)之一,同时保持与备用端口的高隔离路径。所有RF端口都需要直流阻隔电容。该开关在隔离端口上为“反射短路”。该开关采用紧凑的2 x 2 mm、12引脚裸露焊盘塑料四方扁平无引脚(QFN)封装。
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  • 高度集成的前端模块(FEM),设计用于蓝牙低功耗(BLE)扩展应用,工作在2.4至2.485 GHz范围内。
    数据手册
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  • AS211-334是一款适用于一般电信应用的FET单刀双掷(SPDT)开关。该设备具有低插入损耗和正电压操作,且直流功耗非常低。
    数据手册
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      ¥9.79
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  • SKY13345-368LF是一款CMOS硅绝缘(SOI)单刀三掷(SP3T)射频开关,具有高线性和低插入损耗,适用于2.4至2.5GHz频率范围内的WLAN(802.11b/g)和Bluetooth应用。
    数据手册
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      ¥6.79
  • 订货
  • ATN3580系列的衰减器芯片在高电阻率硅上集成了薄膜电阻,以实现精确衰减、紧密平坦度和高达40 GHz的出色回波损耗。该设计采用平衡TEE电阻结构,以确保宽带性能。与传统的厚膜印刷衰减器相比,薄膜技术提供了更高的功率处理能力。
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  • SKY13408-465LF是一款GaAspHEMT单刀三掷高功率射频开关,具有50Ω终端输出。其高线性性能和低插入损耗使其成为802.11a/c、WiMAX等应用的理想选择。
    数据手册
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      ¥20.488618
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      ¥17.676454
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      ¥46.289315
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      ¥42.607211
    高度集成的5 GHz前端模块,包括发射/接收(T/R)开关、高增益功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)和方向耦合器,适用于高功率802.11ax应用和系统。
    数据手册
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      ¥92.299693
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      ¥81.078946
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    • 单价:

      ¥1.819 / 个
    SKY13396-397LF是一款先进的CMOS、绝缘硅(SOI)双刀双掷(DPDT)射频开关,提供高线性度性能、低插入损耗和高隔离度。
    数据手册
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      ¥26.37088
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  • SKY13306-313LF是一款ICFETSPDT开关,采用小型QFN-6塑料封装。该开关具有低插入损耗、出色的线性和极低的直流功耗,适用于多种电信应用,特别是WLAN应用中的发射-接收开关。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.83
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    • 500+

      ¥10.54
    • 1000+

      ¥10.21
  • 订货
  • SKYA21012是一款pHEMTGaAsFETI/C开关,适用于传输/接收应用。通过将公共端(INPUT,引脚5)连接到OUTPUT1或OUTPUT2端口(引脚1或3),使用低损耗路径(即在VCTL1或VCTL2引脚上施加正电压)来控制开关。
    • 1+

      ¥17.6
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      ¥14.95
    • 30+

      ¥13.29
    • 100+

      ¥11.59
    • 500+

      ¥10.82
    • 1000+

      ¥10.49
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