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首页 > 热门关键词 > Slkor二极管
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双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4.5A@8/20us
型号：SLPESDUC2FD5VB 编号：C2918938
封装：DFN1006-2
品牌：Slkor(萨科微)
特性：超低电容：0.35pF（典型值）。 反向工作电压：5V。 IEC 61000-4-2（ESD 空气放电）：±20kV。 IEC 61000-4-2（ESD 接触放电）：±20kV。 IEC 61000-4-5（雷电 8/20μs）：4.5A。应用：智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
数据手册

  • 20+

    ￥0.1628

  • 200+

    ￥0.1277

  • 600+

    ￥0.1082

  • 2000+

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    ￥0.0863

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    ￥0.0809
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    数字晶体管（NPN型）
    型号：DTC143EUA 编号：C22392323
    封装：SOT-323
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件，便于设备设计

    • 20+

      ￥0.1759

    • 200+

      ￥0.1371

    • 600+

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    • 3000+

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    • 21000+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4.5A@8/20us
    型号：CESD882UC5VB 编号：C3019922
    封装：DFN1006-2
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：超低电容：0.35pF（典型值）。 反向工作电压：5V。 IEC 61000-4-2（ESD 空气放电）：±20kV。 IEC 61000-4-2（ESD 接触放电）：±20kV。 IEC 61000-4-5（雷电 8/20μs）：4.5A。应用：智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
    数据手册

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      ￥0.1945

    • 200+

      ￥0.1513

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      ￥0.1273

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      ￥0.1129

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      ￥0.0988

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      ￥0.092
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    NPN型硅外延平面晶体管
    型号：2SC4226 R25 编号：C781319
    封装：SOT-323
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：低噪声和高增益。 高功率增益。应用：甚高频、超高频和有线电视频段应用中的低噪声放大器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2098

    • 200+

      ￥0.1642

    • 600+

      ￥0.1388

    • 3000+

      ￥0.1177

    • 9000+

      ￥0.1045

    • 21000+

      ￥0.0974
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    双向ESD
    型号：SLESDP0603UC6VB 编号：C20539684
    封装：0603
    品牌：Slkor(萨科微)
    用于保护一条双向数据线免受静电放电损坏。

    • 20+

      ￥0.2175

    • 200+

      ￥0.1694

    • 600+

      ￥0.1427

    • 5000+

      ￥0.1267

    • 10000+

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    单向TVS 5V截止
    型号：SLESD0502L 编号：C18208622
    封装：DFN1006-3L
    品牌：Slkor(萨科微)
    SLESD0502L是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计。SLESD0502L典型电容仅为0.25pF（I/O到I/O），旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）4级标准（±15kV空气放电、±8kV接触放电）、IEC 61000 - 4 - 4（电气快速瞬变 - EFT）（40A，5/50 ns）、极快速充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等标准。SLESD0502L采用小型DFN1006 - 3L封装。每个SLESD0502L器件可保护两条高速数据线。低电容、小尺寸和高ESD鲁棒性的综合特性，使SLESD0502L非常适合高速数据端口和高频线路应用。SLESD0502L的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。

    • 20+

      ￥0.2224

    • 200+

      ￥0.1732

    • 600+

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      ￥0.1153

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      ￥0.1077
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：FDN304P 编号：C19188375
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    场效应管

    • 20+

      ￥0.2224

    • 200+

      ￥0.1732

    • 600+

      ￥0.1459

    • 3000+

      ￥0.1295

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    双P沟道MOSFET
    型号：SL3139KDW 编号：C42415164
    封装：SOT-363
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：无铅产品。 表面贴装封装。 具有低导通电阻 (RDS(on)) 的P沟道开关。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关

    • 20+

      ￥0.2224

    • 200+

      ￥0.1732

    • 600+

      ￥0.1459

    • 3000+

      ￥0.1295

    • 9000+

      ￥0.1153

    • 21000+

      ￥0.1077
  • 有货
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    NPN 500mA
    型号：BCV47 编号：C41369493
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：高集电极电流。 高电流增益

    • 20+

      ￥0.2321

    • 200+

      ￥0.1808

    • 600+

      ￥0.1523

    • 3000+

      ￥0.1352

    • 9000+

      ￥0.1204

    • 21000+

      ￥0.1124
  • 有货
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    NPN高频低噪声晶体管 NPN 电流:100mA 电压:12V
    型号：2SC3356 R25 编号：C781318
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    2SC3356是超高频低噪声晶体管，采用平面NPN硅外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，采用SOT-23贴片式封装，主要应用于VHF，UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2391

    • 200+

      ￥0.1921

    • 600+

      ￥0.166

    • 3000+

      ￥0.1362

    • 9000+

      ￥0.1226

    • 21000+

      ￥0.1153

    • 39000+

      ￥0.114

    • 81000+

      ￥0.1131
  • 有货
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    双向TVS 12V截止 峰值脉冲电流：20.1A
    型号：SMAJ12CA 编号：C2760871
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料外壳材料具有UL阻燃等级94V-O
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2398

    • 200+

      ￥0.1902

    • 600+

      ￥0.1626

    • 1800+

      ￥0.131

    • 10800+

      ￥0.1166

    • 19800+

      ￥0.1089
  • 有货
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    双数字晶体管（NPN+PNP）
    型号：UMC3N 编号：C18208585
    封装：SOT-353
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：内置在一个封装中，适用于电源开关电路。可将安装成本和面积减半

    • 10+

      ￥0.2531

    • 100+

      ￥0.2001

    • 300+

      ￥0.1736

    • 3000+

      ￥0.1537

    • 6000+

      ￥0.1378

    • 9000+

      ￥0.1298
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：FMMT591 编号：C2904406
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：SOT-23封装。低等效导通电阻。与FMMT491互补
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2728

    • 100+

      ￥0.22

    • 300+

      ￥0.1936

    • 3000+

      ￥0.1572

    • 6000+

      ￥0.1414

    • 9000+

      ￥0.1334
  • 有货
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    单向TVS 23.1V截止 峰值浪涌电流：5A@10/1000us
    型号：P6SMB27A 编号：C5155418
    封装：SMB
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：600W 峰值脉冲功率。 优良的箝制能力。 较小的箝位因子。 快速响应时间：从 0V 到 V(BR)，单向型小于 1.0ps，双向型小于 5.0ns
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3216

    • 100+

      ￥0.2554

    • 300+

      ￥0.2222

    • 3000+

      ￥0.1891

    • 6000+

      ￥0.1692

    • 9000+

      ￥0.1593
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止
    型号：RSAC6.8CST2RA 编号：C2980863
    封装：SOD-923
    品牌：Slkor(萨科微)
    RSAC6.8CST2RA旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。由于其电容极低，它适用于高频设计，如USB 2.0高速和天线线路应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3222

    • 100+

      ￥0.255

    • 300+

      ￥0.2214

    • 1000+

      ￥0.1962

    • 5000+

      ￥0.1634

    • 8000+

      ￥0.1533
  • 有货
    • 立即购买
    单缓冲门
    型号：74LVC1G34S5 编号：C42380693
    封装：SOT-23-5
    品牌：Slkor(萨科微)
    该器件针对使用 Ioff 的部分掉电应用进行了全面规格定义。Ioff 电路可禁用输出，防止器件掉电时出现损坏性电流回流

    • 10+

      ￥0.3336 ￥0.417

    • 100+

      ￥0.26376 ￥0.3297

    • 300+

      ￥0.2288 ￥0.286

    • 3000+

      ￥0.20256 ￥0.2532

    • 6000+

      ￥0.1816 ￥0.227

    • 9000+

      ￥0.17112 ￥0.2139
  • 有货
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    P沟道MOSFET
    型号：SL1216A 编号：C22446789
    封装：DFN-6L(2x2)
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：Trench Power LV MOSFET技术。 高功率和电流处理能力。 低栅极电荷。应用：PWM应用。 电源管理

    • 10+

      ￥0.3437

    • 100+

      ￥0.2717

    • 300+

      ￥0.2357

    • 3000+

      ￥0.2087

    • 6000+

      ￥0.1871

    • 9000+

      ￥0.1763
  • 有货
    • 立即购买
    30V/10.5A N沟道MOSFET
    型号：SL4468A 编号：C41369464
    封装：SOP-8
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 出色的散热封装。应用：电源开关应用

    • 5+

      ￥0.3936

    • 50+

      ￥0.3456

    • 150+

      ￥0.3216

    • 500+

      ￥0.3036

    • 3000+

      ￥0.2892

    • 6000+

      ￥0.282
  • 有货
    • 立即购买
    SLPT1206AC-LB1
    型号：SLPT1206AC-LB1 编号：C5355502
    封装：1206
    品牌：Slkor(萨科微)
    SLPT1206AC-LB1红外环境光感测器是一款高灵敏度的光敏传感器，贴片式外型封装，体积小巧，高可靠性，既节能又环保，应用领域广，可取代传统CDS使用，也可以用于产品对射及反射使用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4239

    • 100+

      ￥0.3351

    • 300+

      ￥0.2907

    • 3000+

      ￥0.2574

    • 6000+

      ￥0.2307

    • 9000+

      ￥0.2174
  • 有货
    • 立即购买
    NPN微波低噪声晶体管
    型号：BFR540 编号：C50087709
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；集电极-发射极击穿电压：BVCEO = 12V，集电极电流：IC = 120mA，耗散功率：PC = 500mW，特征频率：fT = 9GHz，封装形式：SOT23

    • 5+

      ￥0.5002

    • 50+

      ￥0.3984

    • 150+

      ￥0.3475

    • 500+

      ￥0.3094

    • 3000+

      ￥0.2788

    • 6000+

      ￥0.2636
  • 有货
    • 立即购买
    2输入与门集成电路
    型号：74LVC1G08DBVR 编号：C6800615
    封装：SOT-23-5
    品牌：Slkor(萨科微)
    74LVC1G08DBVR是一款的2输入与门集成电路，可实现Y=A·B和Y=A'+B'的数学逻辑运算。采用先进CMOS工艺设计，具有低功耗和高输出驱动能力的工作特点，电源电压VCC在1.65V和5.5V之间芯片均可正常工作。并且74LVC1G08具有多种小型封装外形，可广泛应用于高端精密仪器和小型化低功耗的手持设备，以及人工智能等领域。

    • 5+

      ￥0.5041

    • 50+

      ￥0.3985

    • 150+

      ￥0.3457

    • 500+

      ￥0.3061

    • 3000+

      ￥0.2744

    • 6000+

      ￥0.2585
  • 有货
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    NPN高频低噪声晶体管 NPN 电流:50mA 电压:9V
    型号：2SC4901 编号：C781326
    封装：SOT-323
    品牌：Slkor(萨科微)
    2SC4901是超高频低噪声晶体管，采用平面NPN硅外延双极型工艺，具有高功率增益、低噪声特性和大动态范围的特点。采用SOT-323封装，适用于高密度表面贴片安装，主要用于VHF，UHF，CATV等高频低噪声宽带放大器。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5184

    • 50+

      ￥0.4176

    • 150+

      ￥0.3672

    • 500+

      ￥0.3294

    • 3000+

      ￥0.2619

    • 6000+

      ￥0.2468
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：SL90N03D 编号：C22446792
    封装：TO-252
    品牌：Slkor(萨科微)
    该功率MOSFET采用先进的沟槽技术制造。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。

    • 5+

      ￥0.5248

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    PNP 电流:1A 电压:45V
    型号：BCP51-16 编号：C2909823
    封装：SOT-223
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：用于音频驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。
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      ￥0.5368

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:1.6A
    型号：SL2309 编号：C2843304
    封装：SOT-23-3
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流。 出色的封装，实现良好的散热
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      ￥0.5425

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      ￥0.4328

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    1个P沟道 耐压:100V 电流:2A
    型号：SL2P10A 编号：C5223656
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：超低栅极电荷。 出色的Cdv/dt效应衰减。 提供环保器件。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：视频监视器。 电源管理
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    • 5+

      ￥0.5643

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    1MHz通用型、轨到轨输入输出CMOS放大器
    型号：LMV358XS8 编号：C41369475
    封装：SOP-8
    品牌：Slkor(萨科微)
    LMV321（单运放）、LMV358（双运放）和LMV324（四运放）是通用型、低失调、高频响应和微功耗运算放大器。LMV321 /358 /324系列放大器带宽出色，达1MHz，压摆率为0.8V/μs，在5V供电时每个放大器的静态电流为80μA，可应用于广泛的领域。LMV321 /358 /324运算放大器专为在低电压和低功耗系统中实现最佳性能而设计

    • 5+

      ￥0.5957

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      ￥0.4709

    • 150+

      ￥0.4085

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      ￥0.3055
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    双运算放大器
    型号：NE5532S 编号：C5186033
    封装：SOP-8
    品牌：Slkor(萨科微)
    NE5532内部包括有两个独立的、带内部频率补偿的低噪声双运算放大器。具有转换速率高、输出噪声小等特点。适合于高品质音响设备、仪器仪表控制系统等场合。
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    • 5+

      ￥0.646 ￥0.68

    • 50+

      ￥0.51319 ￥0.5402

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      ￥0.44669 ￥0.4702

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      ￥0.39691 ￥0.4178

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      ￥0.340385 ￥0.3583

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      ￥0.32053 ￥0.3374
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    P沟道MOSFET
    型号：SL05P10A 编号：C42380679
    封装：SOT-23-3L
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 低导通电阻和品质因数。 极低的开关损耗。 出色的稳定性和均匀性。应用：电源管理。 便携式设备

    • 5+

      ￥0.68362 ￥0.7196

    • 50+

      ￥0.54226 ￥0.5708

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      ￥0.47158 ￥0.4964

    • 500+

      ￥0.41857 ￥0.4406

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      ￥0.376105 ￥0.3959

    • 6000+

      ￥0.35492 ￥0.3736
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    TVS 30V截止 峰值浪涌电流：31A
    型号：SMCJ30CA 编号：C880725
    封装：SMC
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：1500W 峰值脉冲功率能力，10/1000us 波形。 适用于表面贴装应用，优化电路板空间。 玻璃钝化芯片结。 无卤且符合 RoHS 标准
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    • 5+

      ￥0.7408

    • 50+

      ￥0.5968

    • 150+

      ￥0.5248

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      ￥0.4708

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      ￥0.4207

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