TI二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：LM285MX-2.5/NOPB 编号：C2156969

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM285-2.5-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管

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￥3.98
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型号：LM385Z-2.5/NOPB 编号：C139381

封装：TO-92

品牌：TI(德州仪器)

LM385-2.5-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管

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型号：TPD6E004RSER 编号：C1973052

封装：UQFN-8(1.5x1.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPD6E004 适用于高速接口的 6 通道、1.6pF、5.5V、8kV ESD 保护二极管

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型号：ISOM8710DFFR 编号：C22427584

封装：SOIC-5

品牌：TI(德州仪器)

器件是具有二极管仿真器输入和数字输出的单通道光耦仿真器，是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件，无需重新设计PCB即可增强业界通用封装。这些器件可实现高达25Mbps的传输数据速率，并可通过两个逻辑输出选项输出3.3V和5V信号：CMOS兼容输出和集电极开路输出。与光耦合器相比，光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟、小脉宽失真（PWD）、低功耗、更宽的温度范围以及严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应，因此仿真二极管输入级的功耗比光耦合器低

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型号：TPD12S016PWR 编号：C201665

封装：TSSOP-24

品牌：TI(德州仪器)

单芯片高清多媒体接口（HDMI)设备，具有自动方向感应I²C电压电平转换缓冲器、负载开关和集成式低电容高速ESD瞬态电压抑制(TVS)保护二极管。

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型号：UCC23514MDWVR 编号：C2864808

封装：SOIC-8-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC23514是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET，源极峰值输出电流为4.5 A，漏极峰值输出电流为5.3 A，具备5.0 kV RMS的增强隔离等级。33 V的高电源电压范围允许使用双极性电源，以有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23514可驱动低端和高端功率FET。与基于标准光耦的栅极驱动器相比，其关键特性显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚兼容。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的工艺控制使器件间的偏差极小。输入级采用仿真二极管（e-二极管），与传统LED相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用8引脚表面贴装7.5 mm×5.85 mm（典型值）SOIC封装，爬电距离和电气间隙≥8.5 mm，模塑料属于材料组I，相比漏电起痕指数（CTI）> 600 V。UCC23514的高性能和可靠性使其非常适合用于各类电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器设备。更高的工作温度为传统光耦以前无法支持的应用开辟了新机会。UCC23514V选项在单个端子上提供栅极驱动输出。对于需要分开的栅极驱动输出的应用，UCC23514S版本提供两个独立的输出引脚OUTH和OUTL。UCC23514E版本适用于需要以独立COM引脚为参考的欠压锁定（UVLO）的应用，这有助于双极性栅极驱动电源应用。UCC23514M选项将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流导致的误开启。

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型号：TPD2E001IDRLRQ1 编号：C2836600

封装：SOT-5x3

品牌：TI(德州仪器)

TPD2E001-Q1 适用于 USB 2.0 且具有 VCC 引脚的汽车类双通道 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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型号：TPD6E001RSER 编号：C1973318

封装：UQFN-10(1.5x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPD6E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的 6 通道 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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型号：TPS61093DSKR 编号：C60707

封装：WSON-10-EP(2.5x2.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPS61093是一款1.2MHz固定频率升压转换器,设计用于高集成度和高可靠性。该IC集成了20 V功率开关、输入/输出隔离开关和电源二极管。当输出电流超过过载限制时,隔离开关断开,从而保护IC和输入电源。此外,还具有过载和过电压保护、可编程软启动等功能。

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￥6.29
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型号：TPD1E05U06DPYT 编号：C1847651

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E05U06 适用于高速接口且采用 0402 封装的 0.5pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管

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10+
￥0.2853
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型号：TPD1E10B06DYARQ1 编号：C3013901

封装：SOD-523

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E10B06-Q1 采用 0402 封装的汽车类 12pF、±5.5V、±30kV ESD 保护二极管

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型号：ESDS311DYFR 编号：C30938562

封装：SOD-323

品牌：TI(德州仪器)

ESDS31x 器件是一种单向 TVS ESD 保护二极管阵列，用于高达 25A (8/20 μs) 的以太网、USB 和通用数据线路浪涌保护。ESDS31x 器件旨在耗散那些高于 IEC61000 - 4 - 2 国际标准（4 级）中规定的最高水平的 ESD 冲击。这些器件具有每通道 4.5pF IO 电容，因此非常适用于保护 Ethernet 10/100/1000、USB 2.0 和 GPIO 等高速接口。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。

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型号：TPS54519RTER 编号：C140231

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS54519是一款6V输入,5A输出的同步降压转换器,具有两个集成的MOSFET,支持200kHz到2MHz的开关频率。该器件集成了启动电容二极管,采用3mm x 3mm QFN封装,具有高效率和小尺寸设计。

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型号：UCC23511DWYR 编号：C2798375

封装：SO-6-6.8mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC23511是一款适用于IGBT、MOSFET和SiCMOSFET的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有1.5A峰值拉电流和2A峰值灌电流以及5.7kVRMS增强型隔离额定值。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23511可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管，这意味着与传统的LED相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用扩展型SO6封装，爬电距离和间隙 >8.5mm，来自材料组I的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。UCC23511具有高性能和高可靠性，非常适合所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

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￥3.68
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￥3.01
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型号：LM285MX-1.2/NOPB 编号：C2156970

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM285-1.2-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管

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￥3.78
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型号：LM5116MH/NOPB 编号：C1519427

封装：HTSSOP-20-EP

品牌：TI(德州仪器)

LM5116是一款宽范围同步降压控制器,适用于从高压或广泛变化的输入电源进行降压调节。该控制器采用电流模式控制,利用模拟电流斜坡,提供固有的线路前馈、逐周期电流限制和环路补偿的简便性。使用模拟控制斜坡减少了脉宽调制电路的噪声敏感性,使非常小的占空比在高输入电压应用中可靠运行。工作频率可编程从50kHz到1MHz。LM5116驱动外部高侧和低侧NMOS功率开关,具有自适应死区时间控制。可选的二极管仿真模式允许断续模式操作,提高轻载条件下的效率。

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1+
￥13.06
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型号：LM5145RGYT 编号：C2650259

封装：VQFN-20-EP(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

LM5145是一款75V同步降压控制器,适用于高输入电压源或可能发生高电压瞬变的输入电源轨的电压调节。它具有宽输入电压范围（6V至75V）,可调输出电压范围（0.8V至60V）,支持40ns最小导通时间和100kHz至1MHz的可调开关频率。该控制器还具有线路前馈电压模式控制、内置7.5V栅极驱动器、可选二极管仿真模式和多种保护功能。

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1+
￥18.5
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￥15.58
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￥13.75
250+
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型号：UCC5880QDFCRQ1 编号：C22411820

封装：SSOP-32

品牌：TI(德州仪器)

UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式栅极驱动器，具有可调驱动强度，旨在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护功能，例如基于分流电阻的过流保护、过热保护（PTC、NTC 或二极管）以及 DESAT 检测，包括在这些故障期间可选择的软关断或两级软关断。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达 2 个模拟输入、VCC2、DESAT 以及栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 进行配置，因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

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1+
￥74.09
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￥64.06
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￥57.94

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型号：ESD2CANFD24DBZR 编号：C20345391

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

ESD2CANFD24 具有 8/20μS 浪涌的双通道 2.5pF、±24V、±25kV ESD 保护二极管

5+
￥1.0864
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￥0.8598
150+
￥0.7492

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型号：TPD1E10B06QDPYRQ1 编号：C1847696

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E10B06-Q1 采用 0402 封装的汽车类 12pF、±5.5V、±30kV ESD 保护二极管

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5+
￥1.2862
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￥1.0179
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￥0.887
500+
￥0.7702

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型号：TPD4S009DBVR 编号：C88032

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPD4S009 适用于高速接口且具有 VCC 引脚的四通道 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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5+
￥1.3793
50+
￥1.1182
150+
￥1.0063

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型号：TPD4E002DRLR 编号：C1847654

封装：SOT-5

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E002 四路 11pF、5.5V、±15kV ESD 保护二极管

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5+
￥1.7001
50+
￥1.3221
150+
￥1.1601
500+
￥0.9579

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型号：LM13700M/NOPB 编号：C1346265

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

LM13700 具有线性化二极管和缓冲器的双通道跨导放大器

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1+
￥5.28
10+
￥4.35
50+
￥3.67
100+
￥3.21

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型号：TPS259481AYWPR 编号：C35020830

封装：DSBGA-12

品牌：TI(德州仪器)

电子保险丝是采用小型封装的高度集成电路保护和电源管理解决方案。此类器件提供采用少量外部元件的多种保护模式，能够非常有效地抵御过载、短路、电压浪涌和过多浪涌电流。集成式背对背 FET 可帮助阻止从输出端到输入端的反向电流流动，从而使该器件非常适合电源多路复用器和 ORing 应用以及需要负载侧能量保持存储解决方案的系统（如果输入电源发生故障）。此类器件采用基于线性 ORing 的方案，可确保实现几乎为零的直流反向电流，并以最小的正向压降和功率耗散来仿真理想的二极管行为。该器件还提供了一个外部引脚控制选项，用于禁用反向电流阻断并允许稳态双向电力输送。可以使用单个外部电容器来调节输出压摆率和浪涌电流

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1+
￥12.15
10+
￥10.24
30+
￥9.05
100+
￥7.83

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型号：TPD1E01B04DPLR 编号：C1972949

封装：X2-SON-2(0.3x0.6)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E01B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.18pF、±3.6V、±15kV ESD 保护二极管

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5+
￥0.492
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￥0.3835
150+
￥0.3292

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型号：TPD1E04U04DPYR 编号：C1974609

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E04U04 适用于 HDMI 2.0 和 USB 3.0 且采用 0402 和 0201 封装的 0.5pF、3.6V、±16kV ESD 保护二极管

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5+
￥1.0778
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￥0.8664
150+
￥0.7758

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型号：TPD1E0B04DPYT 编号：C1976014

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E0B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.13pF、±3.6V、±8kV ESD 保护二极管

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￥1.1003
50+
￥0.8735
250+
￥0.7763

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型号：TLV61046ADBVT 编号：C139398

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TLV61046A是一款高度集成的升压转换器,专为PMOLED面板、LCD偏置电源和传感器模块等应用设计。该器件集成了30V电源开关、输入至输出的隔离开关以及整流器二极管。输入电压范围为1.8V至5.5V,输出电压高达28V。开关频率为1.0MHz,支持轻负载状态下的节能工作模式,具有输出短路保护、输出过压保护和热关断保护功能。

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