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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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    ¥0.2597
  • 100+

    ¥0.2542
  • 300+

    ¥0.2505
  • 有货
  • 特性:小封装。 低反向电流:R(2) = 1.0μA(最大值)。 小总电容:Ct = 3.0 pF(最大值)。应用:超高速开关
    • 5+

      ¥0.58
    • 50+

      ¥0.5653
    • 150+

      ¥0.5555
    • 500+

      ¥0.5457
  • 订货
  • 东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7869
    • 50+

      ¥0.6173
    • 200+

      ¥0.5112
  • 有货
    • 5+

      ¥0.8544
    • 50+

      ¥0.8362
    • 150+

      ¥0.8241
  • 有货
  • 特性:低正向电压:VF(3) = 0.54V(典型值)。低反向电流:IF = 5μA(最大值)。小封装:SC-59
    • 1+

      ¥1.25
    • 10+

      ¥1.22
    • 30+

      ¥1.2
  • 有货
    • 1+

      ¥1.69
    • 10+

      ¥1.66
    • 30+

      ¥1.63
  • 有货
  • 特性:小封装。 VZ的典型电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.63
    • 30+

      ¥2.6
  • 有货
  • 由高输出发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。该产品保证在高达105℃的温度和2.7至5.5V的电源下运行。采用SO6封装。与适当的外部组件结合,可使24V数字输入模块符合IEC 61131-2 Type 1规范。具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥8.95
    • 10+

      ¥7.36
    • 30+

      ¥6.49
  • 有货
  • 是一款采用SO6封装的光电耦合器,由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接,适用于MOS栅极驱动应用。
    • 1+

      ¥9.49
    • 10+

      ¥9.26
    • 30+

      ¥9.1
    • 100+

      ¥8.95
  • 有货
  • 东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.642
    • 50+

      ¥0.6262
    • 200+

      ¥0.6156
  • 有货
  • 适用于VHF调谐器频段切换应用,小封装,低串联电阻,小总电容。
    • 5+

      ¥0.7377
    • 50+

      ¥0.575
    • 150+

      ¥0.4936
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.8
  • 有货
  • 浪涌吸收器。平均功率耗散:P = 2W;齐纳电压:Vz = 12 至 51V。由于采用小型表面贴装封装 “M-FLAT”(东芝封装名称),适合紧凑组装。
    • 1+

      ¥4.99
    • 10+

      ¥4.87
    • 30+

      ¥4.79
  • 有货
  • 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的SO6封装。由于比DIP封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥6.02
    • 10+

      ¥4.94
    • 30+

      ¥4.35
  • 有货
    • 1+

      ¥6.26
    • 10+

      ¥6.11
    • 30+

      ¥6.02
  • 有货
  • 是一款采用SO6封装的光电耦合器,由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接,适用于MOS栅极驱动应用。
    • 1+

      ¥7.27
    • 10+

      ¥5.97
    • 30+

      ¥5.26
  • 有货
  • 特性:第三代芯片设计。 低正向电压:Vₚ = 1.2 V (典型值)。 低总电容电荷:Qc = 27 nC (典型值)。 低反向电流:Iₑ = 2.0 μA (典型值)。应用:功率因数校正。 太阳能逆变器
    • 1+

      ¥15.57
    • 10+

      ¥15.18
    • 50+

      ¥14.92
  • 有货
  • TLP3910是一款采用SO6L封装的光电耦合器,由一个红外发光二极管与一个光电二极管阵列光耦合组成。这些光电二极管串联连接,使TLP3910适用于MOS栅极驱动应用。此外,为提高开路电压(VOC),TLP3910也适用于驱动超结结构(SJ)MOSFET
    • 1+

      ¥26.39
    • 10+

      ¥25.81
    • 30+

      ¥25.42
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3684
    • 100+

      ¥0.2897
    • 300+

      ¥0.2503
    • 3000+

      ¥0.2208
    • 6000+

      ¥0.1972
    • 9000+

      ¥0.1854
  • 订货
  • 东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。
    • 1+

      ¥0.7785
    • 10+

      ¥0.6088
    • 30+

      ¥0.5239
  • 有货
  • 特性:超低串联电阻:rs = 0.44Ω(典型值)。 适用于小尺寸设备
    • 1+

      ¥1.32
    • 10+

      ¥1.28
    • 30+

      ¥1.26
  • 有货
  • 由光电晶体管组成,与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合,可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO4封装。保证宽工作温度(Ta = -55至110℃)和高隔离电压(3750 Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器和混合集成电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.15
    • 10+

      ¥2.45
    • 30+

      ¥2.16
    • 100+

      ¥1.78
    • 500+

      ¥1.62
    • 1000+

      ¥1.52
  • 订货
    • 1+

      ¥4.03
    • 10+

      ¥3.95
    • 30+

      ¥3.89
  • 有货
  • 是小外形耦合器,适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.32
    • 10+

      ¥3.45
    • 30+

      ¥3.02
  • 有货
  • 由与两个反向并联的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125℃和较高的隔离电压(3750Vrms),适用于如可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.18
    • 10+

      ¥7.97
    • 30+

      ¥7.84
  • 有货
  • 特性:小封装:SC-74A。 低正向电压:Vr(3) = 0.90V(典型值)。 快速反向恢复时间:trr = 1.6ns(典型值)。 小总电容:Cₜ = 0.9pF(典型值)。 重量:0.014g(典型值)
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.90965
    • 9000+

      ¥0.88592
    TLP281和TLP281-4是一种非常小巧且纤薄的耦合器,适用于表面贴装组装的应用,例如PCMCIA传真调制解调器、可编程控制器等。TLP281和TLP281-4由光电晶体管组成,并通过光学方式与砷化镓红外发光二极管耦合。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.33
    • 10+

      ¥5.19
    • 30+

      ¥5.11
    • 100+

      ¥5.02
  • 订货
  • 应用:超高速开关
    • 1+

      ¥0.5892
    • 200+

      ¥0.2351
    • 500+

      ¥0.2273
    • 1000+

      ¥0.2234
  • 订货
  • 是浪涌吸收器。平均功耗:P = 2W,齐纳电压:Vz = 12至51V,由于采用小型表面贴装封装“M-FLAT”,适合紧凑组装。
    • 1+

      ¥1.7717
    • 10+

      ¥1.4099
    • 30+

      ¥1.2548
    • 100+

      ¥1.0613
    • 500+

      ¥0.9751
    • 1000+

      ¥0.9234
  • 订货
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