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首页 > 热门关键词 > UMW二极管
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它们具有大截面积结,可传导高瞬态电流。它们为电路板级保护提供了理想的特性,包括快速响应时间、低钳位电压和无器件性能下降。这些器件可用于满足 IEC61000-4-2 4 级的抗扰度要求。
  • 20+

    ¥0.2306
  • 200+

    ¥0.179
  • 600+

    ¥0.1503
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    ¥0.1182
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    ¥0.1102
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2364
    • 200+

      ¥0.1848
    • 600+

      ¥0.156
    • 3000+

      ¥0.1331
    • 9000+

      ¥0.1181
    • 21000+

      ¥0.1101
  • 有货
  • ESD静电管
    数据手册
    • 100+

      ¥0.2367
    • 1000+

      ¥0.1842
    • 3000+

      ¥0.1511
    • 9000+

      ¥0.1335
    • 51000+

      ¥0.1184
    • 99000+

      ¥0.1102
  • 有货
  • 超低电容:典型值0.3pF(I/O-IO)。超低泄漏:nA级别。低工作电压:5V。低钳位电压。IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试。空气放电。接触放电:±15kV。IEC 61000-4-5(闪电)5A(8/20μs)
    • 10+

      ¥0.2436
    • 100+

      ¥0.192
    • 300+

      ¥0.1662
    • 3000+

      ¥0.1469
    • 6000+

      ¥0.1314
    • 9000+

      ¥0.1237
  • 有货
  • 特性:超低电容:典型值0.35pF(I/O到I/O)。 超低泄漏:nA级别。 最多保护4条数据线和1条电源线。 低钳位电压。 低工作电压:5.5V。应用:USB 2.0和USB 3.0端口。 USB OTG
    • 10+

      ¥0.2436
    • 100+

      ¥0.192
    • 300+

      ¥0.1662
    • 3000+

      ¥0.1469
    • 6000+

      ¥0.1314
    • 9000+

      ¥0.1237
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 20+

      ¥0.2453
    • 200+

      ¥0.1916
    • 600+

      ¥0.1618
    • 3000+

      ¥0.1439
    • 9000+

      ¥0.1284
    • 21000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压:-20V。 当栅源电压为 -4.5V,漏极电流为 -4.2A 时,导通电阻小于 40mΩ。 当栅源电压为 -2.5V,漏极电流为 -3.4A 时,导通电阻小于 50mΩ
    • 10+

      ¥0.2461
    • 100+

      ¥0.1946
    • 300+

      ¥0.1688
    • 3000+

      ¥0.1494
    • 6000+

      ¥0.134
    • 9000+

      ¥0.1262
  • 有货
  • 是正低压差稳压器;典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性。适用于所有电子产品。
    • 10+

      ¥0.25
    • 100+

      ¥0.1964
    • 300+

      ¥0.1696
    • 1000+

      ¥0.1495
    • 5000+

      ¥0.1334
    • 10000+

      ¥0.1254
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻,低栅极电荷,并且可以在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于负载开关应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2524
    • 100+

      ¥0.1977
    • 300+

      ¥0.1703
    • 3000+

      ¥0.1497
    • 6000+

      ¥0.1333
    • 9000+

      ¥0.125
  • 有货
  • 是超低电容瞬态电压抑制器阵列,设计用于保护便携式电子产品和智能手机等应用。该系列提供单向和双向配置,在8/20μs波形下额定功率为250W。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2549
    • 200+

      ¥0.2017
    • 600+

      ¥0.1722
    • 3000+

      ¥0.137
    • 9000+

      ¥0.1216
    • 21000+

      ¥0.1133
  • 有货
  • TVS/ESD管,VRWM:5.5V,VBR:6V,VC MAX:14V,Ppp:150W
    • 10+

      ¥0.2563
    • 100+

      ¥0.2021
    • 300+

      ¥0.175
    • 3000+

      ¥0.1546
    • 6000+

      ¥0.1384
    • 9000+

      ¥0.1302
  • 有货
  • 特性:VDS(V)为12V。 Qg为9nC。 RDS(ON)<35mΩ(VGS=-4.5V,ID=-5.1A)。 RDS(ON)<45mΩ(VGS=-2.5V,ID=-4.5A)。 RDS(ON)<59mΩ(VGS=-1.8V,ID=-3.0A)。应用:负载开关。 PA开关
    • 10+

      ¥0.2574
    • 100+

      ¥0.2048
    • 300+

      ¥0.1786
    • 3000+

      ¥0.1523
    • 6000+

      ¥0.1366
    • 9000+

      ¥0.1287
  • 有货
  • 用于电源或数据线应用,可防止ESD、三次闪电和开关瞬态。 该系列提供低钳位电压,用于保护敏感接口。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2597
    • 200+

      ¥0.1958
    • 600+

      ¥0.1602
    • 3000+

      ¥0.133
    • 9000+

      ¥0.1146
    • 21000+

      ¥0.1046
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的低功耗高压稳压器。最大输入电压为30V,输出电压范围为1.5V-12.0V。具有高精度输出电压、极低电源电流和极低压降的特点。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.304
    • 100+

      ¥0.2343
    • 300+

      ¥0.1995
    • 1000+

      ¥0.1674
    • 5000+

      ¥0.1465
    • 10000+

      ¥0.1361
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷,适用于负载开关或PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3155
    • 100+

      ¥0.2504
    • 300+

      ¥0.2178
    • 3000+

      ¥0.1853
    • 6000+

      ¥0.1658
    • 9000+

      ¥0.156
  • 有货
  • 是一个采用CMOS技术实现的三端口低压检测器。该系列检测器可以检测2.2V-7V的固定电压。检测器由4部分组成:高精度、低功耗标准电压源、比较器、迟滞电路和输出驱动器。CMOS技术确保了低功耗。虽然该检测器主要设计用于固定电压检测,但也可以通过外围组件检测用户指定的阈值电压(仅适用于NMOS开漏型)。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3207
    • 100+

      ¥0.254
    • 300+

      ¥0.2207
    • 3000+

      ¥0.1957
    • 6000+

      ¥0.1757
    • 9000+

      ¥0.1657
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的高精度、低噪声、快速响应的低压差线性稳压器。该系列稳压器内置固定参考电压、误差校正电路、限流电路、相位补偿电路和低内阻MOSFET,实现了高纹波抑制、低输出噪声和对低压差的快速响应。
    • 10+

      ¥0.3436
    • 100+

      ¥0.2653
    • 300+

      ¥0.2261
    • 3000+

      ¥0.1893
    • 6000+

      ¥0.1658
    • 9000+

      ¥0.154
  • 有货
  • 78L XX是输出固定电压的小电流稳压双极型集成电路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3454
    • 100+

      ¥0.2756
    • 300+

      ¥0.2407
    • 1000+

      ¥0.1962
    • 5000+

      ¥0.1753
    • 10000+

      ¥0.1648
  • 有货
  • 最大输入电压:57V;最大输出电流:3A;输出电压(固定):15V;静态电流(最大):10mA;
    • 10+

      ¥0.3543
    • 100+

      ¥0.2794
    • 300+

      ¥0.2419
    • 3000+

      ¥0.2138
    • 6000+

      ¥0.1913
    • 9000+

      ¥0.18
  • 有货
  • 是一款低电容 TVS(瞬态电压抑制器)阵列,旨在保护高速数据接口。专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受 ESD(静电放电)引起的过应力影响。
    • 10+

      ¥0.3622
    • 100+

      ¥0.2866
    • 300+

      ¥0.2488
    • 3000+

      ¥0.2204
    • 6000+

      ¥0.1978
    • 9000+

      ¥0.1864
  • 有货
  • 特性:低外形封装,内置应力消除功能,适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低增量浪涌电阻。 低电感。 出色的钳位能力。 1500W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 非常快的响应时间。 塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级 94V-0
    数据手册
    • 10+

      ¥0.405
    • 100+

      ¥0.3216
    • 300+

      ¥0.2798
    • 850+

      ¥0.2419
    • 5100+

      ¥0.2169
    • 10200+

      ¥0.2044
  • 有货
  • SOP-8 经过定制引线框架改进,具有增强的热特性和多芯片能力,适用于各种电源应用。通过这些改进,在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.438
    • 100+

      ¥0.3444
    • 300+

      ¥0.2976
    • 3000+

      ¥0.2625
    • 6000+

      ¥0.2344
    • 9000+

      ¥0.2204
  • 有货
  • 特性:1500W浪涌能力(1ms)。 出色的钳位能力。 低齐纳阻抗。 快速响应时间:通常从0V到VBR(min)小于1.0ps。 典型IR在10V以上小于1μA
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4382
    • 100+

      ¥0.338
    • 300+

      ¥0.2879
    • 850+

      ¥0.2295
    • 5100+

      ¥0.1994
    • 10200+

      ¥0.1844
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥0.4526
    • 50+

      ¥0.3537
    • 150+

      ¥0.3043
    • 500+

      ¥0.2672
    • 3000+

      ¥0.2375
    • 6000+

      ¥0.2227
  • 有货
  • 高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。
    • 5+

      ¥0.4981
    • 50+

      ¥0.3938
    • 150+

      ¥0.3416
    • 500+

      ¥0.3025
    • 3000+

      ¥0.2712
    • 6000+

      ¥0.2555
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5089
    • 50+

      ¥0.4033
    • 150+

      ¥0.3504
    • 500+

      ¥0.3108
    • 3000+

      ¥0.2659
    • 6000+

      ¥0.25
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=30V。 ID = 8.4A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 22mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 30mΩ (VGS = 4.5V)。 快速开关速度。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
    • 5+

      ¥0.556
    • 50+

      ¥0.4367
    • 150+

      ¥0.377
    • 500+

      ¥0.3323
    • 3000+

      ¥0.2965
    • 6000+

      ¥0.2785
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = 2.6A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 0.15Ω(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 0.09Ω(VGS = 4.5V)。 N- 沟道。 增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 dv/dt 额定。 无铅引脚电镀;符合 RoHS 标准
    • 5+

      ¥0.5963
    • 50+

      ¥0.4689
    • 150+

      ¥0.4052
    • 500+

      ¥0.3574
    • 2500+

      ¥0.3192
    • 5000+

      ¥0.3
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,可在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS = 30V。 ID = 18A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 5.5mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 6.2mΩ(VGS = 4.5V)。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5965
    • 50+

      ¥0.4691
    • 150+

      ¥0.4053
    • 500+

      ¥0.3575
    • 3000+

      ¥0.3193
    • 6000+

      ¥0.3001
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于开关电源中的高端开关和通用应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6631
    • 50+

      ¥0.5251
    • 150+

      ¥0.4561
    • 500+

      ¥0.4044
    • 3000+

      ¥0.3458
    • 6000+

      ¥0.325
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