您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > UMW二极管
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共192530
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
4路单向TVS/ESD管,VRWM:3.3V,VBR:4.5V,VC MAX:12V,Ppp:100W
  • 20+

    ¥0.2328
  • 200+

    ¥0.1803
  • 600+

    ¥0.1511
  • 3000+

    ¥0.1335
  • 9000+

    ¥0.1184
  • 21000+

    ¥0.1102
  • 有货
  • SN74AUP1G126 是一款来自超低功耗系列的单路同相缓冲器,具有三态输出,可在 0.8V 至 3.6V 的电源电压下工作。
    • 20+

      ¥0.2357
    • 200+

      ¥0.1819
    • 600+

      ¥0.1519
    • 3000+

      ¥0.134
    • 9000+

      ¥0.1184
    • 21000+

      ¥0.11
  • 有货
  • SN74AUP1G125是一款来自超低功耗系列的单路三态输出缓冲器,可在0.8V至3.6V电源电压下工作。
    • 10+

      ¥0.2365
    • 100+

      ¥0.1864
    • 300+

      ¥0.1614
    • 3000+

      ¥0.1426
    • 6000+

      ¥0.1276
    • 9000+

      ¥0.1201
  • 有货
  • 74AUP1G14是一款高性能单反相器,具有施密特触发器输入,工作电源电压范围为0.8V至3.6V。
    • 10+

      ¥0.2365
    • 100+

      ¥0.1864
    • 300+

      ¥0.1614
    • 3000+

      ¥0.1426
    • 6000+

      ¥0.1276
    • 9000+

      ¥0.1201
  • 有货
  • 特性:ESD/瞬态保护高速数据线,符合以下标准: -IEC61000-4-2 (ESD):±25 kV(空气/接触)。 -IEC61000-4-4 (EFT):±2.5 kV/±50 A (5/50 ns)。 -IEC61000-4-5 (浪涌):±6 A (8/20 µs)。 最大工作电压:VRWM = 5.5 V。 可自由选择一条线路保护VBUS。 极低电容:CL = 0.45 pF(I/O到GND,典型值)。 非常低的动态电阻:RDYN = 0.2Ω(I/O到GND,典型值)。 非常低的反向钳位电压:VCL = 9 V(典型值,IPP = 16 A)
    • 10+

      ¥0.2366
    • 100+

      ¥0.1865
    • 300+

      ¥0.1615
    • 3000+

      ¥0.1427
    • 6000+

      ¥0.1277
    • 9000+

      ¥0.1202
  • 有货
  • 4路单向TVS/ESD管,VRWM:5V,VBR:6.1V,VC MAX:20V,Ppp:150W
    • 20+

      ¥0.237
    • 200+

      ¥0.1846
    • 600+

      ¥0.1555
    • 3000+

      ¥0.1381
    • 9000+

      ¥0.123
    • 21000+

      ¥0.1148
  • 有货
  • 4路单向TVS/ESD管,VRWM:5.25V,VBR:6V,VC MAX:17V
    • 10+

      ¥0.2386
    • 100+

      ¥0.1876
    • 300+

      ¥0.1622
    • 3000+

      ¥0.1431
    • 6000+

      ¥0.1278
    • 9000+

      ¥0.1202
  • 有货
  • 特性:P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低电压 PowerTrench 工艺。针对电池电源管理应用进行了优化。VDS(V) = 12V。ID = -2.6A。RDS(ON) = 40mΩ (VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 50mΩ (VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 80mΩ (VGS = -1.8V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.265
    • 100+

      ¥0.205
    • 300+

      ¥0.175
    • 3000+

      ¥0.1411
    • 6000+

      ¥0.1231
    • 9000+

      ¥0.1141
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 V(BR)DS = -30V。 ID = -3A。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 145mΩ (VGS = -4.5V)
    • 10+

      ¥0.2998
    • 100+

      ¥0.2357
    • 300+

      ¥0.2037
    • 3000+

      ¥0.1797
    • 6000+

      ¥0.1604
    • 9000+

      ¥0.1508
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=30V。 ID = 6.9A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) = 33mΩ (VGS = 4.5V)。 低导通电阻。 高速开关。应用:DC/DC转换器
    数据手册
    • 100+

      ¥0.3227
    • 1000+

      ¥0.2537
    • 3000+

      ¥0.2193
    • 9000+

      ¥0.1934
    • 51000+

      ¥0.1727
    • 99000+

      ¥0.1624
  • 有货
  • 是一个采用CMOS技术实现的三端口低压检测器。该系列检测器可以检测2.2V-7V的固定电压。检测器由4部分组成:高精度、低功耗标准电压源、比较器、迟滞电路和输出驱动器。CMOS技术确保了低功耗。虽然该检测器主要设计用于固定电压检测,但也可以通过外围组件检测用户指定的阈值电压(仅适用于NMOS开漏型)。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3292
    • 100+

      ¥0.2624
    • 300+

      ¥0.2289
    • 3000+

      ¥0.1906
    • 6000+

      ¥0.1705
    • 9000+

      ¥0.1605
  • 有货
  • 是一款超低电容瞬态电压抑制器 (TVS),旨在保护高速数据接口。仅具有 0.20pF(I/O 到 I/O)的典型电容,旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。采用小型 SOT-363 封装。每个器件可以保护四条高速数据线和一条 Vcc 线。超低电容、小尺寸和高 ESD 鲁棒性的综合特性使其非常适合高速数据端口和高频线路(如 HDMI 和 DVI)应用。低钳位电压保证了受保护 IC 上的最小应力。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3599
    • 100+

      ¥0.2857
    • 300+

      ¥0.2486
    • 3000+

      ¥0.2134
    • 6000+

      ¥0.1912
    • 9000+

      ¥0.18
  • 有货
  • 特性:这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻(RDS(ON))可确保最小的功率损耗并节约能源,使其非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。 VDS = 30V。 ID = 2.1A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 80mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 125mΩ(VGS = 4.5V)
    • 10+

      ¥0.3694
    • 100+

      ¥0.292
    • 300+

      ¥0.2533
    • 3000+

      ¥0.2243
    • 6000+

      ¥0.2011
    • 9000+

      ¥0.1895
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和超低栅极电荷。 VDS = -30V。 ID(VGS = -10V) = -8A。 RDS(ON)(VGS = -10V) < 32mΩ。 RDS(ON)(VGS = -4.5V) < 55mΩ。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4261
    • 100+

      ¥0.3418
    • 300+

      ¥0.2996
    • 3000+

      ¥0.268
    • 6000+

      ¥0.2427
    • 9000+

      ¥0.2301
  • 有货
  • 特性:低外形封装,内置应力消除功能,适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低增量浪涌电阻。 低电感。 出色的钳位能力。 1500W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 非常快的响应时间。 塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级 94V-0
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4329
    • 100+

      ¥0.3327
    • 300+

      ¥0.2827
    • 850+

      ¥0.2451
    • 5100+

      ¥0.215
    • 10200+

      ¥0.2
  • 有货
  • 是正低压差稳压器;典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性,适用于所有电子产品。
    • 10+

      ¥0.4336
    • 100+

      ¥0.3421
    • 300+

      ¥0.2964
    • 2500+

      ¥0.2569
    • 5000+

      ¥0.2295
    • 10000+

      ¥0.2157
  • 有货
  • 特性:宽单电源范围:2.0V 至 30V。分离电源范围:±1.0V 至 ±15V。极低电流消耗,与电源电压无关:0.4mA。低输入偏置电流:25nA。低输入失调电流:5.0nA。低输入失调电压:5.0mV(最大值)。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压
    • 5+

      ¥0.4538
    • 50+

      ¥0.3578
    • 150+

      ¥0.3097
    • 500+

      ¥0.2737
    • 2500+

      ¥0.2449
    • 4000+

      ¥0.2305
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=20V。 RDS(ON)<22mΩ(VGS=4.5V)。 RoHS合规,无卤。 与现有表面贴装技术兼容。 多供应商兼容性。 易于制造。 提高可靠性
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4965
    • 50+

      ¥0.3905
    • 150+

      ¥0.3375
    • 500+

      ¥0.2978
    • 3000+

      ¥0.266
    • 6000+

      ¥0.25
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5089
    • 50+

      ¥0.4033
    • 150+

      ¥0.3504
    • 500+

      ¥0.3108
    • 3000+

      ¥0.2659
    • 6000+

      ¥0.25
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 漏源电压(VDS) = -30V。 漏极电流(ID) = -12A。 导通电阻(RDS(ON)) < 20mΩ(栅源电压VGS = 10V)
    • 5+

      ¥0.5224
    • 50+

      ¥0.4104
    • 150+

      ¥0.3544
    • 500+

      ¥0.3125
    • 3000+

      ¥0.2789
    • 6000+

      ¥0.262
  • 有货
  • 此功率 MOSFET 采用最新的处理技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括150℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。
    • 5+

      ¥0.5518
    • 50+

      ¥0.4349
    • 150+

      ¥0.3765
    • 500+

      ¥0.3327
    • 2500+

      ¥0.2976
    • 5000+

      ¥0.2801
  • 有货
  • 是单P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。高达 -30V 的工作电压非常适合用于开关模式电源、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
    • 5+

      ¥0.5586
    • 50+

      ¥0.4397
    • 150+

      ¥0.3802
    • 500+

      ¥0.3356
    • 3000+

      ¥0.2999
    • 6000+

      ¥0.282
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5684
    • 50+

      ¥0.4515
    • 150+

      ¥0.3931
    • 500+

      ¥0.3493
    • 2500+

      ¥0.3142
    • 5000+

      ¥0.2967
  • 有货
  • 1个P沟道,VDS:-30V,ID=-14A,RDS(ON):11.5mΩ(-10V,ID=-14A)
    • 5+

      ¥0.5715
    • 50+

      ¥0.4505
    • 150+

      ¥0.3899
    • 500+

      ¥0.3445
    • 3000+

      ¥0.3082
    • 6000+

      ¥0.29
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=650V。 I=2A。 RDS(ON)=5.5Ω
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5715
    • 50+

      ¥0.4505
    • 150+

      ¥0.3899
    • 500+

      ¥0.3446
    • 2500+

      ¥0.3082
    • 5000+

      ¥0.2901
  • 有货
  • 三端正稳压器采用TO-252封装,具有多种固定输出电压,适用于广泛的应用领域。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6211
    • 50+

      ¥0.4992
    • 150+

      ¥0.4382
    • 500+

      ¥0.3925
    • 2500+

      ¥0.311
    • 5000+

      ¥0.2927
  • 有货
  • 特性:这是一款采用先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本P沟道MOSFET,针对需要宽范围栅极驱动电压额定值(4.5V-25V)的电源管理应用进行了优化。 VDS(V) = -30V。 ID = -8.8A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 20mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 35mΩ(VGS = 4.5V)。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)。 低栅极电荷(典型值17nC)。 快速开关速度
    • 5+

      ¥0.6529
    • 50+

      ¥0.5146
    • 150+

      ¥0.4455
    • 500+

      ¥0.3936
    • 3000+

      ¥0.3521
    • 6000+

      ¥0.3314
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=30V。 ID = 11A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 12.5mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 17mΩ (VGS = 4.5V)。 快速开关速度。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 高性能沟槽技术,实现极低的RDo(sON)
    • 5+

      ¥0.6898
    • 50+

      ¥0.5437
    • 150+

      ¥0.4707
    • 500+

      ¥0.4159
    • 3000+

      ¥0.372
    • 6000+

      ¥0.3501
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥0.6951
    • 50+

      ¥0.5479
    • 150+

      ¥0.4743
    • 500+

      ¥0.4191
    • 3000+

      ¥0.3749
    • 6000+

      ¥0.3528
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 静电放电保护。 VDS(V) = 40V。 ID = 14A。 RDS(ON) < 12mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 4.5V)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7029
    • 50+

      ¥0.5566
    • 150+

      ¥0.4834
    • 500+

      ¥0.4285
    • 3000+

      ¥0.3726
    • 6000+

      ¥0.3506
  • 有货
  • 立创商城为您提供UMW二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买UMW二极管提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content