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首页 > 热门关键词 > UMW二极管
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描述
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操作
特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP型(MMBT2907A)
数据手册
  • 50+

    ¥0.0907
  • 500+

    ¥0.0716
  • 3000+

    ¥0.0549
  • 6000+

    ¥0.0485
  • 24000+

    ¥0.043
  • 51000+

    ¥0.04
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至 2.5V 的栅极电压下工作。适用于作为负载开关或用于 PWM 应用。
    • 50+

      ¥0.1157
    • 500+

      ¥0.0903
    • 3000+

      ¥0.0713
    • 6000+

      ¥0.0628
    • 24000+

      ¥0.0555
    • 51000+

      ¥0.0515
  • 有货
  • 旨在保护低电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其非常适合在电路板空间有限的设计中进行ESD保护。
    • 20+

      ¥0.1224
    • 200+

      ¥0.1063
    • 600+

      ¥0.0974
    • 3000+

      ¥0.092
    • 9000+

      ¥0.0873
    • 21000+

      ¥0.0848
  • 有货
  • 特性:设计用于保护高速数据线免受静电放电 (ESD) 影响。 超低电容,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。 低电容(最大 0.55 pF,I/O 到地)。 符合以下 IEC 标准的保护: -IEC 61000-4-2 (ESD):4 级 ±15 kV 接触放电。IEC 61000-4-4 (EFT):40A-5/50ns。IEC 61000-4-5 (Lightning):1A (8/20μs)。ISO 10605 (ESD) 330 pF/2 kΩ 15 kV 接触放电
    • 20+

      ¥0.1377
    • 200+

      ¥0.1196
    • 600+

      ¥0.1095
    • 3000+

      ¥0.1035
    • 9000+

      ¥0.0982
    • 21000+

      ¥0.0954
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 400W 峰值脉冲功率能力(10/1000μs 波形,重复率(占空比):0.01%,78V 以上为 300W)。 提供单向和双向型号。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 MSL 3 级,LF 最大峰值 260℃
    数据手册
    • 20+

      ¥0.149
    • 200+

      ¥0.1152
    • 600+

      ¥0.0965
    • 1800+

      ¥0.0852
    • 10800+

      ¥0.0755
    • 19800+

      ¥0.0702
  • 有货
  • 用于保护连接到数据和传输线路的组件,免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变 (EFT) 和雷击引起的电压浪涌影响。
    • 20+

      ¥0.1794
    • 200+

      ¥0.1389
    • 600+

      ¥0.1164
    • 3000+

      ¥0.1029
    • 9000+

      ¥0.0912
    • 21000+

      ¥0.0849
  • 有货
  • 是一款瞬态电压抑制器阵列,用于保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击的影响。所有引脚使用IEC61000-4-2空气放电方法可承受30kV ESD脉冲。
    • 20+

      ¥0.1799
    • 200+

      ¥0.1393
    • 600+

      ¥0.1168
    • 3000+

      ¥0.1032
    • 9000+

      ¥0.0915
    • 21000+

      ¥0.0852
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
    数据手册
    • 25+

      ¥0.1857
    • 250+

      ¥0.145
    • 750+

      ¥0.118
    • 2250+

      ¥0.1044
    • 12750+

      ¥0.0927
    • 24750+

      ¥0.0864
  • 有货
  • 采用SOD-323封装,可保护一条单向线路。为设计者在不适合使用阵列的应用中保护一条线路提供了灵活性。可满足IEC 61000-4-2标准4级的ESD抗扰度要求(空气放电±15kV,接触放电±8kV)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1939
    • 200+

      ¥0.1503
    • 600+

      ¥0.1262
    • 3000+

      ¥0.1068
    • 9000+

      ¥0.0942
    • 21000+

      ¥0.0875
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压(VDS):-20V。 导通电阻RDS(ON) < 40mΩ(VGS = -4.5V,ID = -4.2A)。 导通电阻RDS(ON) < 50mΩ(VGS = -2.5V,ID = -3.4A)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1983
    • 200+

      ¥0.1498
    • 600+

      ¥0.1228
    • 3000+

      ¥0.1066
    • 9000+

      ¥0.0926
    • 21000+

      ¥0.085
  • 有货
  • 特性:350W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触,±30kV 空气。应用:数据线。 自动取款机
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1996
    • 200+

      ¥0.1522
    • 600+

      ¥0.1259
    • 3000+

      ¥0.0985
    • 9000+

      ¥0.0848
    • 21000+

      ¥0.0775
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
    数据手册
    • 25+

      ¥0.2006
    • 250+

      ¥0.1514
    • 750+

      ¥0.1237
    • 2250+

      ¥0.1073
    • 12750+

      ¥0.0931
    • 24750+

      ¥0.0854
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 26mΩ(VGS = 4.5V)。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2012
    • 200+

      ¥0.1581
    • 600+

      ¥0.1342
    • 3000+

      ¥0.1093
    • 9000+

      ¥0.0969
    • 21000+

      ¥0.0901
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-30V ,Ip =-1.7A。 RDS(ON)=100mΩ(VGS =-10V),RDS(ON)<330mΩ(VGS =-4.5V)。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2104
    • 200+

      ¥0.167
    • 600+

      ¥0.1429
    • 3000+

      ¥0.1107
    • 9000+

      ¥0.0982
    • 21000+

      ¥0.0915
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,可提供出色的Rps(on)。 低栅极电荷。 可在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = -20V。 ID = -3A (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 66mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 80mΩ (VGS = -2.5V)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2122
    • 200+

      ¥0.1606
    • 600+

      ¥0.1319
    • 3000+

      ¥0.1147
    • 9000+

      ¥0.0997
    • 21000+

      ¥0.0917
  • 有货
  • (铁脚)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2307
    • 200+

      ¥0.1778
    • 1000+

      ¥0.1414
    • 2000+

      ¥0.1237
    • 10000+

      ¥0.1084
    • 20000+

      ¥0.1002
  • 有货
  • SN74AHCT1G86 是一款单路 2 输入异或门。该器件在正逻辑下实现布尔函数 Y = A ⊕ B 或 Δ = A(非)B + A B(非)。
    • 10+

      ¥0.2365
    • 100+

      ¥0.1864
    • 300+

      ¥0.1614
    • 3000+

      ¥0.1426
    • 6000+

      ¥0.1276
    • 9000+

      ¥0.1201
  • 有货
  • 结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的导通电阻。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2793
    • 100+

      ¥0.2171
    • 300+

      ¥0.1861
    • 3000+

      ¥0.1627
    • 6000+

      ¥0.1441
    • 9000+

      ¥0.1348
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = -30V。 ID = -4.2A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 65mΩ (VGS = -4.5V)。应用:负载开关。 PA开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2996
    • 100+

      ¥0.2371
    • 300+

      ¥0.2059
    • 3000+

      ¥0.174
    • 6000+

      ¥0.1552
    • 9000+

      ¥0.1459
  • 有货
  • 电源电压:1.65V-5.5V,电路数:1,输入数:1,工作电流最大:10uA
    • 10+

      ¥0.3181
    • 100+

      ¥0.2501
    • 300+

      ¥0.2161
    • 1000+

      ¥0.1906
    • 5000+

      ¥0.1702
    • 10000+

      ¥0.1601
  • 有货
  • LM2904 是由两个独立的高增益运算放大器组成。可以是单电源工作,也可以是双电源工作,电源的电流消耗与电源电压大小无关。应用范围包括变频放大器、DC 增益部件和所有常规运算放大电路。
    • 5+

      ¥0.5005
    • 50+

      ¥0.3963
    • 150+

      ¥0.3442
    • 500+

      ¥0.3052
    • 2500+

      ¥0.2739
    • 4000+

      ¥0.2583
  • 有货
  • LM324由四个独立的高增益、内部频率补偿运算放大器组成,这些放大器专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计。也可使用双电源供电,且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运算放大器电路
    • 5+

      ¥0.5337
    • 50+

      ¥0.4676
    • 150+

      ¥0.4346
    • 500+

      ¥0.4098
    • 2500+

      ¥0.39
    • 4000+

      ¥0.3801
  • 有货
  • 特性:宽电源范围。 单电源:2V 至 36V(非 V 器件测试至 30V,V 后缀器件测试至 32V)。 双电源:±1V 至 ±18V(非 V 器件测试至 ±15V,V 后缀器件测试至 ±16V)。 低电源电流消耗,与电源电压无关:0.8mA(典型值)。 低输入偏置电流:25nA(典型值)。 低输入失调电流:3nA(典型值)。 低输入失调电压:2mV(典型值)。 共模输入电压范围包括地。 差分输入电压范围等于最大额定电源电压:±36V。 低输出饱和电压。 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容
    • 5+

      ¥0.6562
    • 50+

      ¥0.5161
    • 150+

      ¥0.4461
    • 500+

      ¥0.3935
    • 2500+

      ¥0.3515
    • 4000+

      ¥0.3305
  • 有货
  • LMV721A(单通道)、LMV722A(双通道)和LMV724A(四通道)是低噪声、低电压、微功耗运算放大器。LMV72xA系列具有10 MHz的出色带宽、9 V/μs的压摆率,在5V电源下每个放大器的静态电流为1000 μA,可应用于广泛的领域。LMV72xA运算放大器旨在为低电压、低噪声系统提供最佳性能
    • 5+

      ¥0.6957
    • 50+

      ¥0.547
    • 150+

      ¥0.4727
    • 500+

      ¥0.417
    • 3000+

      ¥0.3724
    • 6000+

      ¥0.3501
  • 有货
  • 特性:结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON)。 VDS(V) = 100V。 ID = 4.2A。 RDS(ON) < 79mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 94mΩ (VGS = 4.5V)。应用:升压转换器。 同步整流器,用于消费、电信、工业电源和LED背光
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7741
    • 50+

      ¥0.6737
    • 150+

      ¥0.6307
    • 500+

      ¥0.5771
    • 3000+

      ¥0.5344
    • 6000+

      ¥0.52
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
    • 5+

      ¥0.8027
    • 50+

      ¥0.631
    • 150+

      ¥0.5452
    • 500+

      ¥0.4808
    • 2500+

      ¥0.4294
    • 5000+

      ¥0.4036
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并可在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 30V。 ID = 30A。 RDS(ON) < 11mΩ (VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用
    • 5+

      ¥0.8208
    • 50+

      ¥0.6489
    • 150+

      ¥0.5629
    • 500+

      ¥0.4984
    • 2500+

      ¥0.4468
    • 5000+

      ¥0.421
  • 有货
  • 提供低电压操作和轨到轨输入输出,以及出色的速度/功耗比,在5V时仅消耗最大1.1mA电流的情况下提供8MHz增益带宽积。该运算放大器为单位增益稳定,具有超低输入偏置电流。适用于传感器接口、电池供电和便携式应用以及有源滤波。
    • 5+

      ¥0.8569
    • 50+

      ¥0.7473
    • 150+

      ¥0.7004
    • 500+

      ¥0.6418
    • 2500+

      ¥0.6157
    • 5000+

      ¥0.6
  • 有货
  • 此N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低导通电阻(RDS(ON))和快速开关速度进行了优化。
    • 5+

      ¥0.8651
    • 50+

      ¥0.752
    • 150+

      ¥0.7036
    • 500+

      ¥0.6431
    • 2500+

      ¥0.6162
    • 5000+

      ¥0.6
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。凭借DPAK/IPAK封装出色的热阻,该器件非常适合大电流应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1368
    • 50+

      ¥0.8894
    • 150+

      ¥0.7833
    • 500+

      ¥0.651
    • 2500+

      ¥0.5362
    • 5000+

      ¥0.5009
  • 有货
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